Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產品。
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Mouser CAS100H12AM1 碳化硅
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
SiC集成技術在生物電信號采集設計, 人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經有了，但如何將他們的體
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SiC 集成技術 生物電信號采集
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍，以滿足下一代功率轉換系統(tǒng)對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。
SiC技術比硅材料提供更高的擊穿電場強度和更好的熱傳導性
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Microsemi SiC
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。
SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長高品質碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產的SiC進入市場;進入21世紀后，SiC的商業(yè)應用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優(yōu)點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
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ROHM SiC 半導體
為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領域，要想增強這些關鍵設計性能，設計的復雜程度就會提高，同時還會導致總體系統(tǒng)成本提高。
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飛兆 SiC 晶體管
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產品瞄準廣泛的工業(yè)應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探。
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美高森美 碳化硅 二極管
記者從東莞市天域半導體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領域，連續(xù)砸進1.8億元，正與中科院半導體研究所聯(lián)合，進行“第三代半導體碳化硅外延晶片研發(fā)及產業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅(SiC)外延片生產、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。
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天域 半導體 碳化硅
為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉換效率是當務之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術貢獻于節(jié)電，通過功率元器件提升轉換效率。
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羅姆 變壓器 SiC
LED 領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
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科銳 LED 碳化硅
科銳材料產品經理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領域100毫米外延片的強大量產能力。最新的150毫米技術將進一步提升碳化硅晶圓片的標準?？其J的垂直整合能力確保能夠為客戶提供針對高品質150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場的領先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
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科銳 碳化硅 LED
LED領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片?？其J通過推出更大直徑的外延片，從而繼續(xù)引領碳化硅材料市場的發(fā)展。此項最新技術能夠降低設備成本，并能夠利用現(xiàn)有150毫米設備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開始訂購。
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科銳 LED 碳化硅
進入21世紀，開關電源技術將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術各界努...
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開關電源 轉換器 碳化硅（SiC）
在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列，立足于英飛凌在SiC技術開發(fā)以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
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英飛凌 SiC JFET
碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
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