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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

羅姆半導(dǎo)體: “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強(qiáng)勁動(dòng)力

  • 據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹,面對(duì)未來的50年,羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
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采用碳化硅作為變頻器,節(jié)能潛力巨大

  • 編者語:在現(xiàn)代工廠的機(jī)械設(shè)備中,電氣傳動(dòng)系統(tǒng)所耗費(fèi)的電能占到了60%~70%,采用節(jié)能傳動(dòng)系統(tǒng)可以為機(jī)械設(shè)備降低...
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富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

  •   富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。   
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SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)分析

  • 引言  隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)
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SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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LED碳化硅襯底基礎(chǔ)概要

  • 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料在...
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利用SiC大幅實(shí)現(xiàn)小型化 安川電機(jī)試制新型EV行駛系統(tǒng)

  • 安川電機(jī)試制出了利用SiC功率元件的電動(dòng)汽車(EV)行駛系統(tǒng)(圖1)。該系統(tǒng)由行駛馬達(dá)及馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)部構(gòu)成。通過...
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市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場(chǎng)

  •   在由Xilinx主辦的會(huì)議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場(chǎng)的報(bào)告。Semico對(duì)于傳統(tǒng)的ASIC市場(chǎng)將只有低增長的預(yù)測(cè),而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動(dòng)聯(lián)結(jié)等日益增長的需求推動(dòng)下將有大的發(fā)展?! ?/li>
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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

  •   英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離套管和隔離膜,使安裝更加簡易、可靠。   獨(dú)具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要?dú)w功于英飛凌已獲得專利的擴(kuò)散焊接工藝,該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻,有效地彌補(bǔ)了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
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即將普及的碳化硅器件

  •   隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計(jì),60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測(cè)試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關(guān)鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

SiC二極管逆變器投入應(yīng)用,讓燃料電池車更輕

  •   日產(chǎn)汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上,并開始行駛實(shí)驗(yàn)。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC,今后有望實(shí)現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對(duì)于電動(dòng)汽車而言,逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。   SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導(dǎo)體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場(chǎng)比Si大1位數(shù)左右,理論上SiC導(dǎo)通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導(dǎo)通電阻與絕緣破壞電場(chǎng)3次方成反比。導(dǎo)通電阻小,因此可
  • 關(guān)鍵字: 二極管  SiC  汽車  逆變器  日產(chǎn)  

探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案

  •   人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域,人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個(gè)不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù),它的開發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術(shù)、無線通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來,在已有系統(tǒng)上增加一個(gè)帶太陽能電池和能量存儲(chǔ)電路的額外堆疊層,這樣就能構(gòu)成一套完全獨(dú)立的生物電信號(hào)采集方案。   
  • 關(guān)鍵字: SiC  EEG  生物電信號(hào)采集  IMEC  

開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

  • 上世紀(jì)60年代,開關(guān)電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
  • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源,IGBT   碳化硅  AC/DC  

車載SiC功率半導(dǎo)體前景光明 逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化

  •   豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會(huì)第一天的主題演講中,談到了對(duì)應(yīng)用于車載的SiC功率半導(dǎo)體的期待。為了在“本世紀(jì)10年代”將其嵌入到混合動(dòng)力車等所采用的馬達(dá)控制用逆變器中,“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導(dǎo)體,將有助于逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化。   在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用是許多SiC半導(dǎo)體廠商瞄準(zhǔn)的目標(biāo),但多數(shù)看法認(rèn)為,就元器件的成本、性能及可靠性而言,比起在產(chǎn)業(yè)設(shè)備以及民用設(shè)備上配備,在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計(jì)劃采用SiC半導(dǎo)體的日期,但表示“到本世紀(jì)10年代前
  • 關(guān)鍵字: 汽車電子  豐田  SiC  半導(dǎo)體  汽車電子  
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碳化硅(sic)介紹

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