- LED領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片?？其J通過推出更大直徑的外延片，從而繼續(xù)引領碳化硅材料市場的發(fā)展。此項最新技術能夠降低設備成本，并能夠利用現(xiàn)有150毫米設備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開始訂購。
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科銳 LED 碳化硅
- 進入21世紀，開關電源技術將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術各界努...
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開關電源 轉換器 碳化硅（SiC）
- 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列，立足于英飛凌在SiC技術開發(fā)以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
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英飛凌 SiC JFET
- 由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
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VCESAT 1200V 開關 碳化硅
- 日本京都大學工學研究系電子工學專業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十數(shù)kV的半導體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導體元件中的世界最高值”(木本)。
該二極管的設想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網電壓為6.6kV，因此要求耐壓達到20kV。據(jù)稱目前是使用3～4個數(shù)kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個即可滿足要求。由此，轉換器及冷卻器等便可實現(xiàn)
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SIC 二極管 半導體
- ??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國際產學連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開，來自清華的教授跟與會者分享了與羅姆合作以來在某些領域取得的成果以及一些教學科研經驗。會后，羅姆株式會社常務董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產學研方面的相關合作。
以“羅姆”命名清華樓，并無排他性
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羅姆 SiC
- 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
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SiC 講座 功率元件 氧化鎵
- 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
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電源應用 碳化硅 肖特基二極管
- 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED
- 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
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SiC 功率元件 GaN 導通電阻
- 采用IMEC的SiC技術完成生物電信號采集,人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經有了，但如何將他們的體積
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IMEC SiC 生物電信號采集
- 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產。該產品的內置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構成。
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羅姆 半導體 SiC
- 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點，SiC功率器件被廣泛應用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉換器、PFC電路等領域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉換領域以及太陽能、風能等新能源中的整流、逆變等領域，很多半導體廠商都看好SiC技術的未來，并積極投身其中，在08年收購生產SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導體(ROHM)已經在SiC領域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產體系，并率先市場SiC器件的量產，羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領域?如何發(fā)揮其
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羅姆 太陽能 SiC
- 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調)、PC服務器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產品。
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瑞薩電子 功率器件 SiC
- 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術，有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。
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瑞薩 半導體 碳化硅
碳化硅（sic）介紹
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