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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 1200v

Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊

  • 中國(guó) 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡(jiǎn)化
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TO263-7封裝的新1200V CoolSiC溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展

  • 【2023 年 7 月 3 日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級(jí)1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。  相比第一代產(chǎn)品，1200 V CoolSiC系列的開關(guān)損耗降低了25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。這種開關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行，縮小了系統(tǒng)尺寸并提高了功率密度。由于柵極-源極閾值電壓（VGS(th)
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賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

  • 賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯 CEO Claus A.  
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具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

  • 由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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