碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級總監(jiān)St
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如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器

在本文中，我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢。我們將展示在各種負(fù)荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負(fù)荷到滿負(fù)荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率，以對電機(jī)繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。預(yù)計在所有這些因素的影響下，純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
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羅姆子公司SiCrystal和意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議

近日，羅姆和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布，意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定， SiCrystal將向意法半導(dǎo)體提供總價超過1.2億美元的先進(jìn)的150mm碳化硅晶片，滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長期供應(yīng)協(xié)
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羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體就碳化硅（SiC）晶圓長期供貨事宜達(dá)成協(xié)議

近日，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡稱“SiC”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH （以下簡稱“SiCrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)先進(jìn)的150mm SiC晶圓。ST　總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官（CEO）　Jean-Marc Chery 說：
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環(huán)球晶圓：硅晶圓明年回溫

半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示，明年半導(dǎo)體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟(jì)及匯率三大變數(shù)干擾，但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫，以及應(yīng)用擴(kuò)大等來看，硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底，明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預(yù)期，她預(yù)估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會逐季成長。
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Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間

近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動器，幫助高壓/大功率系統(tǒng)設(shè)計者將電源效率提升4%，優(yōu)于競爭產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關(guān)電源，典型應(yīng)用包括太陽能電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲，影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
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使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動1200 V SiC電源模塊

簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達(dá)MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護(hù)。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅(qū)動能
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意法半導(dǎo)體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

近日，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導(dǎo)體行使期權(quán)，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現(xiàn)金支付。
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科銳與ABB在汽車和工業(yè)領(lǐng)域展開SiC合作

全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達(dá)成合作，共同擴(kuò)展SiC在快速增長大功率半導(dǎo)體市場的采用。協(xié)議內(nèi)容包括在ABB種類齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導(dǎo)體，這將助力科銳擴(kuò)大客戶基礎(chǔ)，同時加快ABB進(jìn)入正在快速擴(kuò)大的電動汽車（EV）市場。
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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
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北京經(jīng)開區(qū)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)新突破

一輛新能源汽車、一組高能效服務(wù)器電源，核心功能的實現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點，國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體制備技術(shù)。近日，記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“世紀(jì)金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現(xiàn)小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應(yīng)用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務(wù)器電源、特種電源等領(lǐng)域，實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
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國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點火試驗成功

近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
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第三代半導(dǎo)體將催生萬億元市場

　　日前，第三屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學(xué)者認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體未來應(yīng)用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導(dǎo)體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口。　　2018年，美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)支持力度，國際廠商積極、務(wù)實推進(jìn)，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應(yīng)用逐漸廣泛。受益于整個半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進(jìn)、企業(yè)廣泛進(jìn)入等積極因素，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標(biāo)、器件性能等方
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SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動等電路設(shè)計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開關(guān)的應(yīng)用范圍越來越廣。結(jié)果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時候，收益遞減
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ST進(jìn)軍工業(yè)市場，打造豐富多彩的工業(yè)樂園

近日，意法半導(dǎo)體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營銷和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強(qiáng)，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點，需要改變消費類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化，即一個大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用，所以產(chǎn)品會非標(biāo)準(zhǔn)化，即一個產(chǎn)品只能針對某一類小應(yīng)用/小客戶的需
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