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碳化硅(sic)
碳化硅(sic) 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)技術(shù)社區(qū)
SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機(jī)型, 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機(jī)型,該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2),而且產(chǎn)品陣容豐富,擁有13個(gè)機(jī)型?! OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn),在SiC功率元器件領(lǐng)域,ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車載市場(chǎng),ROHM也及時(shí)確立車載品質(zhì),并于2012年開(kāi)始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
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安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),將在美國(guó)加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開(kāi)發(fā)平臺(tái)支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡(jiǎn)易評(píng)估應(yīng)用廣泛的電源方案,使用戶能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍,且在采購(gòu)硬件和完成設(shè)計(jì)之前對(duì)系統(tǒng)性能有信心?! trata Developer S
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
集邦咨詢:需求持續(xù)擴(kuò)張,2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長(zhǎng)8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè),2019年
- 關(guān)鍵字: IGBT SiC
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
- 關(guān)鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器,可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器,可提供最大峰值輸出門極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過(guò)設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動(dòng)電壓,來(lái)滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源?! IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
- 關(guān)鍵字: Power Integrations SiC-MOSFET
第三代半導(dǎo)體又有新成員?氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)?
- 目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來(lái)越高,它們?cè)谖磥?lái)的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來(lái)三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面,會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢琒iC和GaN并不是終點(diǎn),最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?! ?shí)際上,氧化鎵并不是很新的技術(shù),多年前就
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 SiC GaN
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體,推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日,北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書(shū),并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭牌?! ≡撀?lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立,是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措,聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立后,北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中,并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開(kāi)發(fā)?! 〗陙?lái),以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
- 關(guān)鍵字: 北汽新能源 羅姆半導(dǎo)體 SiC
重磅推出碳化硅MOSFET ,基本半導(dǎo)體參加第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議
- 11月4-7日,由中國(guó)電源學(xué)會(huì)與IEEE電力電子學(xué)會(huì)聯(lián)合主辦的第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?;景雽?dǎo)體作為本次大會(huì)的金牌贊助商,重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品,反響熱烈?! ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會(huì),IEEE PEAC 2018可謂大咖云集,來(lái)自31個(gè)國(guó)家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會(huì)議。大會(huì)主席、中國(guó)電源學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)徐德鴻教授主持開(kāi)幕式并致開(kāi)幕詞,美國(guó)工程院院士、中國(guó)工程院外籍院士李澤元教授,中國(guó)工程院院
- 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體 碳化硅 第三代半導(dǎo)體
基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國(guó)電子展
- 10月31日-11月2日,第92屆中國(guó)電子展在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉行。基本半導(dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū),展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?! ≈袊?guó)電子展是電子行業(yè)的年度盛會(huì),集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測(cè)試測(cè)量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè),傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會(huì)以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化,電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)”為主題,共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展,共同打造了一場(chǎng)電子行業(yè)年度盛會(huì)?!?/li>
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基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)
- 11月5日,在第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)期間,來(lái)自中國(guó)、日本和韓國(guó)的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體,參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)。 出席會(huì)議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長(zhǎng)岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國(guó)亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)。與會(huì)嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向,
- 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體 碳化硅 第三代半導(dǎo)體
基本半導(dǎo)體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂(lè)獎(jiǎng)”
- 近日,從深圳市人力資源和社會(huì)保障局傳來(lái)喜訊,基本半導(dǎo)體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果,獲評(píng)“2018年度深圳市人才伯樂(lè)獎(jiǎng)”?! ∩钲谑腥瞬挪畼?lè)獎(jiǎng)是由深圳市政府設(shè)立,旨在鼓勵(lì)企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才,以增強(qiáng)企業(yè)科技創(chuàng)新能力,提升城市核心競(jìng)爭(zhēng)力。每年市政府通過(guò)評(píng)選伯樂(lè)獎(jiǎng)對(duì)在本市人才培養(yǎng)、引進(jìn)過(guò)程中作出貢獻(xiàn)的單位及個(gè)人給予表彰和獎(jiǎng)勵(lì)?! 』景雽?dǎo)體是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司,基本半導(dǎo)體依托廣泛的海外資源,成功引進(jìn)了來(lái)自英
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碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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