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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

基于英飛凌SIC MOSFET 和驅(qū)動器的11kW DC-DC變換器方案

  • REF-DAB11KIZSICSYS是一個CLLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性價比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關特性，是電動汽車和能量存儲系統(tǒng)（ESS）等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統(tǒng)，電動汽車快速充電，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) （PCS）?場景應用
  • 關鍵字： mosfet  dc-dc  英飛凌  ipcdcdc  infineon  終端  功率  dc  充電器  

上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅(qū)動IC和MOSFET解決方案

  • 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下，人們開始探索更快的電量補給，以高效充電來壓縮充電時間，降低充電的時間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術。該技術標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規(guī)格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過一條USB-TYPE C線纜
  • 關鍵字： 上海貝嶺  驅(qū)動IC  MOSFET  

使用TI功能安全柵極驅(qū)動器提高SiC牽引逆變器的效率

  • 隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優(yōu)勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會影響系統(tǒng)熱性能，進而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級別更高，每輛汽車的電機數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
  • 關鍵字： TI  功能安全  柵極驅(qū)動器  SiC  逆變器  

電動汽車東風起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速

  • 碳化硅的發(fā)展與電動汽車的快速發(fā)展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動駕駛技術的升級演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導體碳化硅技術重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導體作為碳化硅領域的頭部企業(yè)，其動態(tài)是行業(yè)的重要風向標，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價值數(shù)十億美元的新工廠，以生產(chǎn)為電動汽
  • 關鍵字： 碳化硅  電源管理芯片  

第三代半導體頭部企業(yè)基本半導體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進程

  • 2022年9月20日，國內(nèi)第三代半導體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進一步加強碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規(guī)模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導體在業(yè)務加速拓
  • 關鍵字： 基本半導體  代半導體  碳化硅  

第三代半導體擴產(chǎn)，硅的時代要結束了嗎

  • 半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數(shù) (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產(chǎn)能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調(diào)為“同比增長3倍”，而
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  

貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

  • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關DC/DC
  • 關鍵字： 貿(mào)澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

  • SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
  • 關鍵字： 羅姆半導體，MOSFET  

東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。  新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  

安森美慶祝在新罕布什爾州擴張?zhí)蓟韫S

  • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應保證，以滿足對基于SiC的方案迅速增長的需求。SiC對于提高電
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅工廠  SiC  

UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
  • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  750V  SiC FET  

Nexperia發(fā)布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關
  • 關鍵字： Nexperia  晶圓級  MOSFET  

單片驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術如何改善電源系統(tǒng)設計

  • 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。引言隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率
  • 關鍵字： ADI  MOSFET  電源系統(tǒng)設計  

UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

  • Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
  • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  電源  SiC FET  

功率半導體組件的主流爭霸戰(zhàn)

  • 功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現(xiàn)，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
  • 關鍵字： 硅  碳化硅  氮化鎵  功率半導體  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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