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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅助力電動汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化

  • 與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC 讓設(shè)計人員能夠減少元器件的使用，從而進(jìn)一步降低了設(shè)計的復(fù)雜程度。SiC 元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計出能夠減少 CO2 排放量 的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的 開發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的 應(yīng)用中都實(shí)現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
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安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商

  • 由于 SiC 具有更快的開關(guān)速度，因此對于某些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規(guī)模儲能變得越來越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長遠(yuǎn)的發(fā)展路向。隨著電動車采用率的增加，充電樁將大規(guī)模部署，另外，SiC 最終還將成為電動車主驅(qū)逆變器的首選材料，因?yàn)樗蓽p少車輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長電池使用壽命。安森美首席碳化硅專家，中國汽車OEM技術(shù)負(fù)責(zé)人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
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碳化硅助力電動汽車?yán)m(xù)航和成本的全方位優(yōu)化

  • 受訪人：水原德健  羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　目前，市場上基本按下圖劃分幾種材料功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用場景。當(dāng)?shù)皖l、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
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安森美：打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商

  • 受訪人：安森美首席碳化硅專家，中國汽車OEM技術(shù)負(fù)責(zé)人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應(yīng)用極限，開關(guān)速度更快，導(dǎo)通電阻更低，損耗更小，能效更高。　　GaN的開關(guān)頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
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第三代半導(dǎo)體市場的“互補(bǔ)共生”

  • 　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個人電子市場的定制電源設(shè)計。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計，并在過去20年中設(shè)計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
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TrendForce：估今年車用SiC功率組件市場破10億

  • 為進(jìn)一步提升電動車動力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車型。依TrendForce研究，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。 隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達(dá)到10.7億美元。TrendForce指出，目前車用SiC功率組件市場主要由歐美IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨
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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊 打造次世代電動車

  • SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運(yùn)用于SEMIKRON車規(guī)級功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
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賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開新的合作

  • 賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署
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Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運(yùn)用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設(shè)計帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
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SiC FET的起源及其向著完美開關(guān)發(fā)展的歷程

  • 使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個示例是，碳化硅開關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書當(dāng)然，接近完美的電子開關(guān)已經(jīng)存在很長一段時間了，但是我們這里要談的不是機(jī)械開關(guān)。現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換依賴的是半導(dǎo)體開關(guān)，它們最好在打開時沒有電阻，在關(guān)閉時電阻和耐受電壓無限大，并能在簡單驅(qū)動下以任意快的速度在開關(guān)狀態(tài)間切換且沒有瞬時功率損耗。在這個重視能源與成本
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破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

  • SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴(yán)重影響到器件評估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計的性能和安全、項(xiàng)目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動電壓VGS的測量，包括兩個部分：開關(guān)過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進(jìn)行測量的，這會導(dǎo)致設(shè)備和人員危險，同時還會由
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題

  • 這篇微信文章，其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。這篇微信文章，其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇：●    2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象》●    2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無法替代實(shí)驗(yàn)，仿真只供參考。在展開
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豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

  • 電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。  WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機(jī)鋰電池保護(hù)設(shè)計近幾年，手機(jī)快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費(fèi)者電量焦慮的同時，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護(hù)開關(guān)的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
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安森美的VE-Trac SiC系列為電動車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢

  • 雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動化發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢將改變電動車的未來，如在關(guān)鍵的主驅(qū)逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠(yuǎn)續(xù)航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢，但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)提供領(lǐng)先的智能電源方案，在SiC領(lǐng)域有著深厚的歷史積淀，是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商之一，其創(chuàng)新的VE TracTM Direct SiC
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究

  • 米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計所有柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設(shè)計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅(qū)動電路。為此，本文介紹了
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌   MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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