封裝文章最新資訊

安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界最廣泛的SOT553和SOT563封裝標(biāo)準(zhǔn)邏輯與分立器件系列

安森美半導(dǎo)體（美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN）率先推出35個以上采用SOT553 和SOT563超小型、低厚度、無鉛有引線封裝的小信號、標(biāo)準(zhǔn)邏輯及二極管陣列器件。公司將會在第二季度末推出同樣封裝的另外15個新器件。安森美半導(dǎo)體副總裁兼標(biāo)準(zhǔn)元件部門總經(jīng)理Charlotte Diener說：“安森美半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn)，電路板設(shè)計人員對我們具實效的小體積封裝標(biāo)準(zhǔn)及集成標(biāo)準(zhǔn)元件的需求日益增加，這種封裝能在世界最多的領(lǐng)先電路板制造商采用的取放設(shè)備上裝配，同時可進(jìn)行目視檢驗——因為這仍是一種通用、經(jīng)濟(jì)的行業(yè)慣例。安森美半導(dǎo)體
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飛利浦?jǐn)U展LFPAK封裝的功率MOSFET系列

優(yōu)化的LFPAK封裝MOSFET具有接近于零的封裝電阻和低熱阻，電性能極好，所需元件數(shù)量更少皇家飛利浦電子集團(tuán)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品系列，推出創(chuàng)新性的SOT669無損封裝（LFPAK）。新LFPAK器件針對DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計，具有體積更小、效率更高、性能更加優(yōu)化等特點，可用于眾多新應(yīng)用，如筆記本電腦、臺式機(jī)、服務(wù)器、高頻應(yīng)用等。飛利浦的LFPAK封裝MOSFET主要特點有接近于零的封裝電阻和主板連接低熱阻，以增強(qiáng)功率功能。MOSFET還具有低封裝電感，從而提高了開關(guān)速度，使飛利浦LFPAK
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機(jī)驅(qū)動器性能

功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝，采用IR先進(jìn)的薄硅片工藝制造。新工藝可增強(qiáng)電及熱性能，有助降低傳導(dǎo)損耗，卻不增加開關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機(jī)控制而設(shè)計的iMOTION集成設(shè)計平臺系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達(dá)175°C，標(biāo)準(zhǔn)工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
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飛利浦推出SOT666/SS-Mini SMD封裝的高性能低VCesa BISS晶體管

日前，皇家飛利浦電子集團(tuán)在創(chuàng)新性的低VCesa BISS晶體管產(chǎn)品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成員，從而成為全球首個推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封裝BISS晶體管的半導(dǎo)體廠商。PBSS4240V和PBSS5240V的集電極電流高達(dá)2A，具有一流的性能，并在功能增強(qiáng)的同時，相對其他較為著名的SOT23 封裝1A器件還節(jié)省了41%的PCB空間。PBSS4240V和PBSS5240V還提供極低的集電極-發(fā)射極電阻（RCEsat = 190 mW），由于產(chǎn)生熱量更少，還可提高整體電路
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高效照相閃光燈電容充電器采用ThinSOT封裝

凌特公司（Linear Technology）宣布推出高效快速照相閃光燈電容充電器 LT3468。LT3468 是一個獨立的解決方案，用于照相閃光燈電容充電，所需線路板面積最小，無需軟件開發(fā)。LT3468 能迅速有效地給高壓（一般為 320 V）照相閃光燈電容充電。這個器件既可用于數(shù)字相機(jī)，也可用于膠片相機(jī)，采用限流回掃拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可用 3.6V 電池在 4.6 秒內(nèi)將一個 100uF 電容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值電流，與標(biāo)準(zhǔn)回掃變壓器配合使用，能以高于 80% 的效率對任
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飛兆半導(dǎo)體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET：占用電路板空間減少60%

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設(shè)備電源管理帶來綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢，這些設(shè)備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機(jī)、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器及數(shù)碼相機(jī)等。FDJ129P在緊湊的SC75 FLMP（倒裝引腳鑄模封裝）中結(jié)合了飛兆半導(dǎo)體的高性能 PowerTrench
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環(huán)球儀器與CALCE合作增強(qiáng)封裝與裝配技術(shù)分析能力

環(huán)球儀器公司 (Universal Instruments) 表面貼裝技術(shù)（SMT）實驗室已和馬里蘭大學(xué)CALCE電子產(chǎn)品及系統(tǒng)中心（EPSC）達(dá)成合作協(xié)議，共同針對封裝及裝配的可靠性和制造能力進(jìn)行研究。研究內(nèi)容將著重于無鉛制造的互連可靠性和技巧方面。環(huán)球儀器SMT實驗室George Westby解釋道：“我們希望能夠充分利用這一領(lǐng)域現(xiàn)有的全部研究基金。通過將我們的知識與CALCE的研究工作相結(jié)合，特別是在模制和仿真技術(shù)領(lǐng)域，我們期望能以更低的總成本和更快的速度，為客戶制定新的解決方案?！盋ALCE的Mi
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2003年8月，英特爾宣布在成都建立封裝和測試半導(dǎo)體產(chǎn)品的工廠

　　2003年8月，英特爾宣布在四川省成都市投資建立封裝和測試英特爾半導(dǎo)體產(chǎn)品的工廠。
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飛兆半導(dǎo)體光隔離誤差放大器采用節(jié)省空間的SOIC封裝誤差范圍低至0.5%

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型FOD2742光隔離誤差放大器，其誤差范圍低至0.5%和尺寸小的性能特點，使該產(chǎn)品成為精密電源和轉(zhuǎn)換器設(shè)備的理想器件。FOD2742是飛兆光隔離誤差放大器系列的第四款產(chǎn)品，其它三款產(chǎn)品包括FOD2712、FOD2711和FOD2741，為設(shè)計人員提供了參考電壓、容差和封裝尺寸的不同選擇。元件編號 VREF 最佳容差 VISO 封裝類型FOD2712 1.24V 1% 2.5kV SOICFOD2411 1.24V 1% 5.0kV
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機(jī)驅(qū)動器性能

功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝，采用IR先進(jìn)的薄硅片工藝制造。新工藝可增強(qiáng)電及熱性能，有助降低傳導(dǎo)損耗，卻不增加開關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機(jī)控制而設(shè)計的iMOTION集成設(shè)計平臺系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達(dá)175°C，標(biāo)準(zhǔn)工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
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飛兆半導(dǎo)體全新8引腳邏輯器件封裝MicroPak™ 8體積比US8減小60%

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引腳芯片級無引腳封裝，具備1、2和3位邏輯和開關(guān)功能。全新的TinyLogic
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NS推出新型PBGA封裝單芯片

不久前，美國國家半導(dǎo)體公司(NS)宣布了采用塑膠球柵陣列(PBGA)封裝的GeodeTMSCx200解決方案。內(nèi)含有集成中央處理器；可執(zhí)行多路轉(zhuǎn)換操作的PCI/Sub-ISA接口；視頻輸入端口(VIP)；低腳數(shù)(LPC)接口/通用輸入輸出(GPIO);AC97/AMC97 2.0修訂版中頻；ACPI 1.0控制器；3個通用串行總線(USB)端口；ATA-33接口；輸入輸出；電壓輸入為3.3V，輸出為1.8V。典型功耗為1.8W(233MHz)及2.3W(300MHz), 423球型PBGA封裝后的體積僅為
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BGA封裝技術(shù)及其返修工藝

隨著電子產(chǎn)品向小型化、便攜化、網(wǎng)絡(luò)化和高性能方向發(fā)展，對電路組裝技術(shù)和I/O引線數(shù)提出了更高的要求，芯片體積越來越小，芯片引腳越來越多，給生產(chǎn)和返修帶來困難。原來SMT中廣泛使用的QFP（四邊扁平封裝），封裝間距的極限尺寸停留在0.3mm，這種間距引線容易彎曲、變形或折斷，相應(yīng)地對SMT組裝工藝、設(shè)備精度、焊接材料提出嚴(yán)格的要求，即使如此，組裝小間距細(xì)引線的QFP，缺陷率仍相當(dāng)高，最高可達(dá)6000ppm，使大范圍應(yīng)用受到制約。近年出現(xiàn)的BGA（Ball Grid Array 球柵陣列封裝器件），由于芯
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安捷倫公司推出微型表面貼封裝GaAs射頻芯片、肖特基和PIN二極管(3.2)

　　為通信及生命科學(xué)領(lǐng)域提供創(chuàng)新技術(shù)的安捷倫科技公司（Agilent Technologies）, 推出采用超小表面封裝(MiniPak)的新型GaAs射頻芯片及單管、對管系列肖特基二極管和PIN二極管。該封裝高度僅為0.7毫米，面積為1.75平方毫米，具有寄生性小，高功耗熱傳導(dǎo)性高等特點。　　針對手機(jī)和ISM頻段的使用特點，超小封裝(MiniPak)的尺寸比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SC-70封裝小60%。MGA-725M4型GaAs 射頻芯片是一種帶旁路開關(guān)的高性能低噪聲放大器(LNA)。該型號分單管和對管兩種類型
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采用 LLP 封裝的 500 mA 低壓降穩(wěn)壓器(2.10)

美國國家半導(dǎo)體公司宣布推出一款功能齊備的500mA 低壓降(LDO)穩(wěn)壓器，為個人計算機(jī)及便攜式系統(tǒng)的中等電流量應(yīng)用方案提供所需的低噪音電壓轉(zhuǎn)換功能。這款型號為 LP2989 的高精度微功率穩(wěn)壓器采用大小如芯片、并無腳的框架封裝 (LLP)，其小巧體積務(wù)求能安放在便攜式產(chǎn)品微型設(shè)計的有限空間內(nèi)。LLP 封裝的大小只有 4.0 x 4.0 毫米 (mm)，厚度只有 0.8 毫米，管腳間距只有 0.8 毫米。按照 θ j-a 的測量結(jié)果，這款芯片的功率消耗低至只有 78℃/W。LP29
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封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對象的屬性和實現(xiàn)細(xì)節(jié)，僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個有機(jī)的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合，形成“類”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。　　封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]