封裝 文章 最新資訊
凌特采用 MSOP 封裝的500kHz、1.4A(IOUT)36V 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
- 凌特公司(Linear Technology)推出具有內(nèi)部 1.9A 電源開關(guān)的電流模式 PWM 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT1936,該器件采用纖巧 8 引線耐熱增強型 MSOP 封裝。LT1936 的 3.6V 至 36V 寬輸入范圍使之非常適用于調(diào)節(jié)來自多種來源的電源,如未穩(wěn)壓的墻上變壓器、24V 工業(yè)電源和汽車電池等。就汽車應(yīng)用而言,器件能夠在低于 4V 的輸入條件下輕松操作,這是汽車“冷車發(fā)動”時所要求的。其 500kHz 工作頻率允許使用微小的低成本電感器和陶瓷電容器,從而產(chǎn)生小的可預(yù)測輸
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用于 DDR/QDR 存儲器終端的雙輸出、兩相、無檢測電阻型同步控制器采用4mm x 4mm DFN 封裝
- 凌特公司(Linear Technology)推出用于 DDR/QDR 存儲器終端應(yīng)用的兩相、雙輸出同步降壓開關(guān)穩(wěn)壓控制器 LTC3776。該控制器的第二輸出(VTT)可將其輸出電壓穩(wěn)定在 1/2 VREF(通常是 VDDQ),同時可對稱地提供或吸收輸出電流。LTC3776 采用 2.75V 至 9.8V 輸入工作,能在無需任何外部偏置情況下采用 3.3V 輸入電壓軌工作。無檢測電阻(No RSENSETM)、恒定頻率、電流模式架構(gòu)免除了增設(shè)檢測電阻的需要,并提高了效率。兩個控制器異相工作最大限度地降低了
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意法半導(dǎo)體(ST)在多片封裝內(nèi)組裝8顆裸片
- 2005年4月4日存儲器和微控制器多片封裝技術(shù)應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體日前宣布該公司已開發(fā)出能夠疊裝多達8顆存儲器芯片的高度僅為1.6mm的球柵陣列封裝(BGA)技術(shù),這項封裝技術(shù)還可以將兩個存儲器芯片組裝在一個厚度僅為0.8mm的超薄細(xì)節(jié)距BGA封裝(UFBGA)內(nèi),采用這項制造技術(shù)生產(chǎn)的器件可以滿足手機、數(shù)碼相機和PDA等體積較小的設(shè)備的存儲需求。 ST的多片封裝(MCP)器件內(nèi)置通常是二到四顆不同類型的存儲芯片,如SRAM、閃
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LinearDFN和SOT-23 封裝的微功率LDO可承受高達 100V 輸入電壓
- 凌特公司(Linear Technology)推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續(xù)輸入電壓工作,可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓,非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應(yīng)用。7uA(工作時)和 1uA(關(guān)機狀態(tài))的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長工作時間并由電池供電的存儲器“保持有效”系統(tǒng)的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續(xù) 2ms 的 100V 輸入瞬態(tài)電壓,是電信和汽車應(yīng)用
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DFN和SOT-23封裝的微功率LDO可承受高達100V輸入電壓
- 2005 年 4 月 5 日凌特公司(Linear Technology)推出可提供 20mA 輸出電流的高壓、微功率、低壓差穩(wěn)壓器 LT3014。該器件采用范圍為 3V 至 80V 的持續(xù)輸入電壓工作,可以 350mV 的低壓差產(chǎn)生 1.22V 至 60V 的輸出電壓,非常適用于汽車、48V 電信備份電源和工業(yè)控制應(yīng)用。7uA(工作時)和 1uA(關(guān)機狀態(tài))的超低靜態(tài)電流使該器件成為要求最長工作時間并由電池供電的存儲器“保持有效”系統(tǒng)的極好選擇。LT3014HV 版本可耐受持續(xù) 2ms
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鋁碳化硅為電子封裝提供熱管理解決方案
- 2004年10月B版簡介利用最先進的材料設(shè)計低成本的高度可靠的微波電子、微電子、光電子和功率半導(dǎo)體系統(tǒng)是不現(xiàn)實的。為了保證此類設(shè)備的可靠性,需要電子封裝和襯底熱管理解決方案,因此工程師需要既能夠提供熱管理特性,同時又能夠在更小型的設(shè)計中達到最優(yōu)功率密度的材料。要低成本生產(chǎn)此類材料需要滿足封裝設(shè)計功能要求的健壯成型工藝。鋁碳化硅(AlSiC)金屬基體復(fù)合材料為電子封裝提供了高度可靠且成本經(jīng)濟的熱管理解決方案。它可提供高熱傳導(dǎo)率(~200 W/mK)以及可調(diào)的低熱膨脹系數(shù)(CTE)。對于需要減輕重量以及需要耐
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安森美半導(dǎo)體推出微型封裝電壓抑制器件
- 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出全新高性能、微型封裝的靜電放電(ESD)保護二極管系列,專為便攜式產(chǎn)品和電池供電應(yīng)用中電壓敏感元件提供單線保護而設(shè)計。新系列中的五個ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1(2.5 V), ESD5Z3.3T1(3.3 V), ESD5Z5.0T1 (5.0 V), ESD5Z6.0T1(6.0 V)和ESD5Z7.0T1(7.0 V)。這些器件為鉗制快速上升的ESD脈沖而設(shè)計,防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kV的輸入波形(符合 IEC61000
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Casio和瑞薩半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)進行合作
- Casio Computer Co., Ltd. 和瑞薩科技公司簽署協(xié)議,Casio授權(quán)瑞薩科技使用其晶園片級封裝 (WLP) 半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)。 這個協(xié)議標(biāo)志著Casio首次授權(quán)其它日本半導(dǎo)體器件制造商使用其WLP技術(shù)。 協(xié)議的要點如下: 1. Casio將在不斷發(fā)展的基礎(chǔ)上向瑞薩科技提供其WLP技術(shù)。瑞薩科技將在其半導(dǎo)體器件制造過程中積極使用WLP。 2.瑞薩科技被授權(quán)使用WLP制造和銷售芯片級封裝 (CSP)*1產(chǎn)品,瑞薩科技可以自行制造也可以通過其子公司進行制造。
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Casio和瑞薩科技在半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)方面進行合作
- — 努力推動WLP (晶圓片級封裝) 技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化 — 東京,2005年1月18日— Casio Computer Co., Ltd. 和瑞薩科技公司簽署協(xié)議,Casio授權(quán)瑞薩科技使用其晶園片級封裝 (WLP) 半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)。 這個協(xié)議標(biāo)志著Casio首次授權(quán)其它日本半導(dǎo)體器件制造商使用其WLP技術(shù)。 協(xié)議的要點如下: 1. Casio將在不斷發(fā)展的基礎(chǔ)上向瑞薩科技提供其WLP技術(shù)。瑞薩科技將在其半導(dǎo)體器件制造過程中積極使用WLP。 2.瑞薩科技被授權(quán)使用WLP制造和銷售芯片級封
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封裝介紹
程序 封裝 (encapsulation)
隱藏對象的屬性和實現(xiàn)細(xì)節(jié),僅對外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級別.
封裝 (encapsulation)
封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合,形成一個有機的整體,也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進行有機的結(jié)合,形成“類”,其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。
封裝的目的是增強安全性和簡化編程,使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]
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