封裝文章進(jìn)入封裝技術(shù)社區(qū)

采用 ThinSOT 封裝的降壓型 DC/DC 控制器電流消耗僅為 16uA

凌特公司（Linear Technology）推出一個(gè)采用 ThinSOTTM（SOT-23）封裝的降壓型 DC/DC 控制器 LTC3801。該產(chǎn)品專為延長(zhǎng)電池使用壽命而設(shè)計(jì)，可將待機(jī)電流消耗降至僅為 16uA。LTC3801 在正常工作、輕負(fù)載時(shí)的突發(fā)模式（Burst Mode
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采用 2mm x 2mm DFN 封裝的 900mA 全集成鋰離子電池線性充電器不會(huì)過熱

凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4059 微型單節(jié)鋰離子電池線性充電器，它無(wú)需使用 3 個(gè)分立功率組件，在不使系統(tǒng)溫度過高的情況下提高充電速度，并檢測(cè)和報(bào)告充電電流值。此外，該產(chǎn)品采用最小的封裝，但卻沒有影響熱性能。整個(gè)解決方案僅需要兩個(gè)分立組件（輸入電容器與充電電流設(shè)置電阻器），而且只占用 2.5mm x 2.7mm 面積。LTC4059 的 2mm x 2mm DFN 封裝占位面積比 SOT-23 封裝的一半還小，提供 600C/W 的更低熱阻以改善散熱功能。通過正確的 PC
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具軟啟動(dòng)功能、采用 ThinSOT 封裝的高壓 1.3MHz 升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

凌特公司（Linear Technology）推出一個(gè) 1.3MHz 升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3467，它兼有 42V、1.1A 內(nèi)部開關(guān)和軟啟動(dòng)功能。LT3467 采用恒定頻率電流模式架構(gòu)，在 2.4V 到 16V 輸入電壓范圍內(nèi)工作，從而使它成為單節(jié)鋰離子電池、5V 或 12V 應(yīng)用的理想選擇。它內(nèi)部的 42V 開關(guān)非常適合輸出高達(dá) 40V 的升壓型轉(zhuǎn)換器以及 SEPIC 和返激式設(shè)計(jì)。通過一個(gè)集成的可編程軟啟動(dòng)功能消除了大浪涌電流，而 1.3MHz 的恒定開關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)了低噪聲工作。Thin
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飛兆半導(dǎo)體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設(shè)備電源管理帶來(lái)綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢(shì)，這些設(shè)備包括移動(dòng)電話、PDA、便攜音樂播放機(jī)、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器及數(shù)碼相機(jī)等。FDJ129P在緊湊的SC75 FLMP（倒裝引腳鑄模封裝）中結(jié)合了飛兆半導(dǎo)體的高性能 PowerTrench
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安森美半導(dǎo)體為高速、硅鍺數(shù)據(jù)和時(shí)鐘管理系列推出更小型耐用的QFN封裝

安森美半導(dǎo)體（美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）宣布，其硅鍺（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成電路現(xiàn)在均可提供16引腳無(wú)引線四方扁平（QFN）封裝，進(jìn)一步拓展了該公司在高速數(shù)據(jù)與時(shí)鐘管理元件市場(chǎng)的地位。這種封裝與其他工業(yè)等級(jí)溫度范圍內(nèi)的封裝相比，節(jié)省電路板空間，同時(shí)大幅提高了熱性能。采用QFN封裝的Gigacomm™器件目前額定溫度范圍為-40° C to +85° C，尺寸為3 mm x 3 mm，比倒裝球柵陣列（FCBGA）封裝減少44%。QFN封裝采用QFN封裝的G
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安森美半導(dǎo)體新推SOT553和SOT563微型封裝集成瞬態(tài)電壓保護(hù)器件系列

安森美半導(dǎo)體（美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）致力于不斷推出高性能、節(jié)省空間的器件，新推出的五款保護(hù)器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563單封裝內(nèi)集成了多個(gè)瞬變電壓抑制（TVS）元件。這些SOT5xx封裝TVS器件不僅符合靜電放電（ESD）保護(hù)的嚴(yán)格要求，更較傳統(tǒng)的SC88封裝減少電路板空間達(dá)36%，降低厚度40%。它們可理想應(yīng)用于重視電路板空間的便攜設(shè)備，例如手機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、MP3播放器、掌上游戲機(jī)以及PDA。安森美半導(dǎo)體副總裁兼集成電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ramesh Ramc
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安森美半導(dǎo)體為TVS元件和肖特基二極管系列推出低厚度SOD-123FL封裝

安森美半導(dǎo)體（美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）不斷提升產(chǎn)品性能，在其品種全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封裝。這五十款器件[包括瞬變電壓抑制（TVS）元件與肖特基二極管]現(xiàn)已提供低厚度的扁平引腳封裝。今年稍后，將有更多新型封裝的器件面世。安森美半導(dǎo)體副總裁兼標(biāo)準(zhǔn)元件部總經(jīng)理Charlotte Diener說：“由于SOD-123FL優(yōu)化電路板空間占用每單位內(nèi)的功率耗散，該封裝是便攜與無(wú)線電路板設(shè)計(jì)所需之TVS元件與肖特基二極管的理想選擇，此類設(shè)計(jì)必須符合電源管理和保護(hù)的嚴(yán)格要求?！? SO
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飛兆半導(dǎo)體全新8引腳邏輯器件封裝MicroPak™ 8體積比US8減小60%

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引腳芯片級(jí)無(wú)引腳封裝，具備1、2和3位邏輯和開關(guān)功能。全新的TinyLogic
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安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界最廣泛的SOT553和SOT563封裝標(biāo)準(zhǔn)邏輯與分立器件系列

安森美半導(dǎo)體（美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）率先推出35個(gè)以上采用SOT553 和SOT563超小型、低厚度、無(wú)鉛有引線封裝的小信號(hào)、標(biāo)準(zhǔn)邏輯及二極管陣列器件。公司將會(huì)在第二季度末推出同樣封裝的另外15個(gè)新器件。安森美半導(dǎo)體副總裁兼標(biāo)準(zhǔn)元件部門總經(jīng)理Charlotte Diener說：“安森美半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn)，電路板設(shè)計(jì)人員對(duì)我們具實(shí)效的小體積封裝標(biāo)準(zhǔn)及集成標(biāo)準(zhǔn)元件的需求日益增加，這種封裝能在世界最多的領(lǐng)先電路板制造商采用的取放設(shè)備上裝配，同時(shí)可進(jìn)行目視檢驗(yàn)——因?yàn)檫@仍是一種通用、經(jīng)濟(jì)的行業(yè)慣例。安森美半導(dǎo)體
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飛利浦?jǐn)U展LFPAK封裝的功率MOSFET系列

優(yōu)化的LFPAK封裝MOSFET具有接近于零的封裝電阻和低熱阻，電性能極好，所需元件數(shù)量更少皇家飛利浦電子集團(tuán)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品系列，推出創(chuàng)新性的SOT669無(wú)損封裝（LFPAK）。新LFPAK器件針對(duì)DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有體積更小、效率更高、性能更加優(yōu)化等特點(diǎn)，可用于眾多新應(yīng)用，如筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器、高頻應(yīng)用等。飛利浦的LFPAK封裝MOSFET主要特點(diǎn)有接近于零的封裝電阻和主板連接低熱阻，以增強(qiáng)功率功能。MOSFET還具有低封裝電感，從而提高了開關(guān)速度，使飛利浦LFPAK
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器性能

功率半導(dǎo)體專家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復(fù)二極管組合封裝，采用IR先進(jìn)的薄硅片工藝制造。新工藝可增強(qiáng)電及熱性能，有助降低傳導(dǎo)損耗，卻不增加開關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)的iMOTION集成設(shè)計(jì)平臺(tái)系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達(dá)175°C，標(biāo)準(zhǔn)工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
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飛利浦推出SOT666/SS-Mini SMD封裝的高性能低VCesa BISS晶體管

日前，皇家飛利浦電子集團(tuán)在創(chuàng)新性的低VCesa BISS晶體管產(chǎn)品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成員，從而成為全球首個(gè)推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封裝BISS晶體管的半導(dǎo)體廠商。PBSS4240V和PBSS5240V的集電極電流高達(dá)2A，具有一流的性能，并在功能增強(qiáng)的同時(shí)，相對(duì)其他較為著名的SOT23 封裝1A器件還節(jié)省了41%的PCB空間。PBSS4240V和PBSS5240V還提供極低的集電極-發(fā)射極電阻（RCEsat = 190 mW），由于產(chǎn)生熱量更少，還可提高整體電路
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高效照相閃光燈電容充電器采用ThinSOT封裝

凌特公司（Linear Technology）宣布推出高效快速照相閃光燈電容充電器 LT3468。LT3468 是一個(gè)獨(dú)立的解決方案，用于照相閃光燈電容充電，所需線路板面積最小，無(wú)需軟件開發(fā)。LT3468 能迅速有效地給高壓（一般為 320 V）照相閃光燈電容充電。這個(gè)器件既可用于數(shù)字相機(jī)，也可用于膠片相機(jī)，采用限流回掃拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可用 3.6V 電池在 4.6 秒內(nèi)將一個(gè) 100uF 電容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值電流，與標(biāo)準(zhǔn)回掃變壓器配合使用，能以高于 80% 的效率對(duì)任
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飛兆半導(dǎo)體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET：占用電路板空間減少60%

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設(shè)備電源管理帶來(lái)綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢(shì)，這些設(shè)備包括移動(dòng)電話、PDA、便攜音樂播放機(jī)、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器及數(shù)碼相機(jī)等。FDJ129P在緊湊的SC75 FLMP（倒裝引腳鑄模封裝）中結(jié)合了飛兆半導(dǎo)體的高性能 PowerTrench
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環(huán)球儀器與CALCE合作增強(qiáng)封裝與裝配技術(shù)分析能力

環(huán)球儀器公司 (Universal Instruments) 表面貼裝技術(shù)（SMT）實(shí)驗(yàn)室已和馬里蘭大學(xué)CALCE電子產(chǎn)品及系統(tǒng)中心（EPSC）達(dá)成合作協(xié)議，共同針對(duì)封裝及裝配的可靠性和制造能力進(jìn)行研究。研究?jī)?nèi)容將著重于無(wú)鉛制造的互連可靠性和技巧方面。環(huán)球儀器SMT實(shí)驗(yàn)室George Westby解釋道：“我們希望能夠充分利用這一領(lǐng)域現(xiàn)有的全部研究基金。通過將我們的知識(shí)與CALCE的研究工作相結(jié)合，特別是在模制和仿真技術(shù)領(lǐng)域，我們期望能以更低的總成本和更快的速度，為客戶制定新的解決方案?！盋ALCE的Mi
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封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對(duì)象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，僅對(duì)外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級(jí)別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個(gè)有機(jī)的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合，形成“類”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。　　封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡(jiǎn)化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]