存儲(chǔ)器文章最新資訊

存儲(chǔ)器業(yè)或已過景氣谷底但前景仍未見光明

　　存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後，看來似乎已經(jīng)落底，但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。　　更慘的是，部分分析師認(rèn)為近期存儲(chǔ)器芯片價(jià)格上漲，讓迫切需要進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻，使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度擁擠狀態(tài)，易于受到周期性景氣榮枯的沖擊。　　“除了產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子之外，其他動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)業(yè)者都必需想出對(duì)策以保留現(xiàn)金及繼續(xù)存活。”富邦投顧研究部協(xié)理李克揚(yáng)表示。　　長期來看，部分業(yè)者很難獨(dú)自走出活路。　　臺(tái)灣政府今年稍早成立臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司(TM
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富士通推出兩款125°C規(guī)格的低功耗SiP存儲(chǔ)器

　　富士通微電子(上海)有限公司今日宣布推出兩款新型消費(fèi)類FCRAM(*1)存儲(chǔ)器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴(kuò)大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。這兩款低功耗存儲(chǔ)器適用于數(shù)字電視、數(shù)字視頻攝像機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)。　　如果SiP架構(gòu)上的片上系統(tǒng)(SoC)整合了新型FCRAM芯片，當(dāng)SiP工作速度提高導(dǎo)致工作
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美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新技術(shù) 有望取代NAND閃存

　　美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計(jì)劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲(chǔ)器。　　這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報(bào)說，新型存儲(chǔ)器的單位存儲(chǔ)密度有望達(dá)到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度有可能達(dá)到后者的5倍到10倍。　　NAND型閃存因?yàn)榇鎯?chǔ)容量大等特點(diǎn)，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認(rèn)為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進(jìn)一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲(chǔ)器旨在
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DRAM業(yè)自救　臺(tái)塑砸百億新臺(tái)幣

　　DRAM產(chǎn)業(yè)面對(duì)臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司(TMC)成立，已逐漸接受當(dāng)前事實(shí)，尤其現(xiàn)階段資金問題仍相當(dāng)窘迫，各家DRAM廠都開始展開自救運(yùn)動(dòng)。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，臺(tái)塑集團(tuán)已撥款逾新臺(tái)幣100億元，力挺旗下南亞科和華亞科，宣示力拼DRAM產(chǎn)業(yè)決心;力晶除出售手上瑞晶持股給爾必達(dá)(Elpida)，亦傳出12寸晶圓廠有停工計(jì)畫;至于茂德中科廠考慮作1個(gè)月休1個(gè)月。不過，各DRAM廠對(duì)于上述說法均不予證實(shí)，力晶董事長黃崇仁則表示，只是依季節(jié)性作調(diào)整，依照目前DRAM現(xiàn)貨價(jià)格決定投片多少。　　臺(tái)DRAM廠對(duì)于政府整合產(chǎn)業(yè)結(jié)
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利用C8051F020的SPI接口擴(kuò)展大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

引言在以網(wǎng)絡(luò)通訊、軟件和微電子為主要標(biāo)志的信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，以為微處理器為核心的嵌入式系統(tǒng)隨處可見，這些系統(tǒng)應(yīng)用的典型例子包括移動(dòng)電話系統(tǒng)、汽車的應(yīng)用、家用電器、航天應(yīng)用、醫(yī)療設(shè)備和國防系統(tǒng)等[1
關(guān)鍵字：大容量數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)器擴(kuò)展接口 C8051F020 SPI 利用串行外設(shè)接口 SOC 單片機(jī) 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 C8051F020 軟件

分析師：3月芯片市場企穩(wěn)

　　市場調(diào)研公司Carnegie Group的分析師指出，3月全球芯片銷售額三個(gè)月平均額估計(jì)為147億美元，較2月的142億美元增長5%，較去年3月減少30%，與2月和1月的同比跌幅相當(dāng)。　　PC、存儲(chǔ)器、LCD和汽車用芯片銷售額都較2月有所改善。然而，消費(fèi)電子產(chǎn)品支出在3月有所減弱，1月和2月消費(fèi)電子顯示出驚人的反彈。對(duì)供應(yīng)鏈存量縮減的平衡并不能說明庫存周期開始朝正面的方向發(fā)展。
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IMEC向Samsung提供嵌入式SRAM可制造設(shè)計(jì)工具

　　近日IMEC成功地將靜態(tài)存儲(chǔ)器分析工具M(jìn)emoryVAM轉(zhuǎn)交給Samsung。該工具可預(yù)估深亞微米IC技術(shù)中因工藝不穩(wěn)定而造成的SRAM成品率損失。　　該工具同時(shí)還幫助存儲(chǔ)器和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者估算由于周期時(shí)間、存取時(shí)間和功耗等工藝因素變化而造成的成品率降低
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三星開始DDR3存儲(chǔ)器量產(chǎn)

　　為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準(zhǔn)備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。　　DDR3是第3代的同步雙速率存儲(chǔ)器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲(chǔ)器的主流技術(shù)。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認(rèn)為DDR3今年可能不會(huì)有實(shí)質(zhì)性的太多進(jìn)展。　　三星表示DDR3能使設(shè)計(jì)servers的OEM與DDR2相比較，每個(gè)系統(tǒng)提升到192Gb，并在功能提高一倍時(shí)功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時(shí))。　　未來Xeon 5500處理器結(jié)合DD
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SanDisk專利保護(hù)網(wǎng)支離破碎　NAND Flash帝國傾倒

　　SanDisk與全球25家NAND Flash相關(guān)業(yè)者的侵權(quán)官司纏訟1年多，日前終于確定SanDisk敗訴，讓內(nèi)存模塊廠和控制芯片業(yè)者大大松了一口氣!存儲(chǔ)器廠商認(rèn)為，臺(tái)灣模塊廠在NAND Flash領(lǐng)域默默耕耘多年，把NAND Flash市場大餅越作越大，但最后SanDisk卻撒下專利天羅地網(wǎng)，想把大家一網(wǎng)打盡，所幸最后官司結(jié)果，沒有讓SanDisk坐享其成!惟SanDisk 2008年起在閃存本業(yè)上虧損連連，與三星電子(Samsung Electronics)的收購計(jì)劃，又鬧的不可開交，這次專利官司
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閃速存儲(chǔ)器硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。利用其信息非易失性和可以在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)特性，可將其作為具有一定靈活性的只
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爾必達(dá)與臺(tái)灣TMC考慮交叉持股以加強(qiáng)合作關(guān)系

　　日本個(gè)人電腦(PC)存儲(chǔ)器廠商爾必達(dá)記憶體和臺(tái)灣記憶體公司(TMC)正在考慮交叉持股，鞏固他們新近達(dá)成的合作關(guān)系，此舉提振爾必達(dá)和臺(tái)灣同業(yè)股價(jià)連續(xù)第二天上揚(yáng)。　　周三，TMC選中爾必達(dá)作為其技術(shù)合作夥伴。爾必達(dá)周四表示可能允許TMC持其10%左右的股份，并購入TMC股份，TMC是臺(tái)灣官方為拯救記憶體晶片(存儲(chǔ)器芯片)產(chǎn)業(yè)而成立的新公司。　　過去一年的大部分時(shí)間，由于供應(yīng)過剩和需求遲滯引發(fā)全球形勢(shì)低迷，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)廠商一直為虧損所困擾。爾必達(dá)和臺(tái)灣企業(yè)試圖通過合作，更好地與行業(yè)
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在E5中的應(yīng)用

1． E5的特點(diǎn)及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體，構(gòu)成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點(diǎn)
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FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估?？蛻?/li>
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由外部總線訪問MPC5554的內(nèi)部存儲(chǔ)器

由外部總線訪問MPC5554的內(nèi)部存儲(chǔ)器,本文所述的基于MPC5554和FPGA的測試系統(tǒng)已調(diào)試完成，MPC5554內(nèi)部的Flash存儲(chǔ)器可以通過EBI模塊由外部的FPGA進(jìn)行讀寫。與外掛的存儲(chǔ)器相比，通信讀／寫速度和系統(tǒng)的可靠性都大大提高。在實(shí)際應(yīng)用中，其他處理器也可以像文中的FPGA一樣模擬總線時(shí)序。當(dāng)應(yīng)用中不需要數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，也可將連接配置為普通I／0以作他用，硬件配置靈活。
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爾必達(dá)躍升為瑞晶大股東有助其加入TMC

　　力晶與爾必達(dá)(Elpida)針對(duì)旗下轉(zhuǎn)投資的DRAM廠瑞晶電子正式完成股權(quán)轉(zhuǎn)移，力晶16日確定出售7.9251萬張的瑞晶股票給爾必達(dá)，每股價(jià)格為新臺(tái)幣11.17元，總交易金額為8.85億元，爾必達(dá)順勢(shì)成為瑞晶的最大股東，也是臺(tái)灣第1家日資DRAM廠，存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，此舉將有利爾必達(dá)加入TMC公司，旗下瑞晶順利擠入TMC的生產(chǎn)制造基地之一，目前瑞晶在中科的12寸晶圓廠R1單月產(chǎn)能約8萬片，未來可望成為TMC公司的生產(chǎn)平臺(tái)。
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]