存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

IMEC向Samsung提供嵌入式SRAM可制造設(shè)計工具

　　近日IMEC成功地將靜態(tài)存儲器分析工具MemoryVAM轉(zhuǎn)交給Samsung。該工具可預(yù)估深亞微米IC技術(shù)中因工藝不穩(wěn)定而造成的SRAM成品率損失。　　該工具同時還幫助存儲器和系統(tǒng)設(shè)計者估算由于周期時間、存取時間和功耗等工藝因素變化而造成的成品率降低
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三星開始DDR3存儲器量產(chǎn)

　　為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。　　DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術(shù)。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認為DDR3今年可能不會有實質(zhì)性的太多進展。　　三星表示DDR3能使設(shè)計servers的OEM與DDR2相比較，每個系統(tǒng)提升到192Gb，并在功能提高一倍時功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時)。　　未來Xeon 5500處理器結(jié)合DD
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SanDisk專利保護網(wǎng)支離破碎　NAND Flash帝國傾倒

　　SanDisk與全球25家NAND Flash相關(guān)業(yè)者的侵權(quán)官司纏訟1年多，日前終于確定SanDisk敗訴，讓內(nèi)存模塊廠和控制芯片業(yè)者大大松了一口氣!存儲器廠商認為，臺灣模塊廠在NAND Flash領(lǐng)域默默耕耘多年，把NAND Flash市場大餅越作越大，但最后SanDisk卻撒下專利天羅地網(wǎng)，想把大家一網(wǎng)打盡，所幸最后官司結(jié)果，沒有讓SanDisk坐享其成!惟SanDisk 2008年起在閃存本業(yè)上虧損連連，與三星電子(Samsung Electronics)的收購計劃，又鬧的不可開交，這次專利官司
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閃速存儲器硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。利用其信息非易失性和可以在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)特性，可將其作為具有一定靈活性的只
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爾必達與臺灣TMC考慮交叉持股以加強合作關(guān)系

　　日本個人電腦(PC)存儲器廠商爾必達記憶體和臺灣記憶體公司(TMC)正在考慮交叉持股，鞏固他們新近達成的合作關(guān)系，此舉提振爾必達和臺灣同業(yè)股價連續(xù)第二天上揚。　　周三，TMC選中爾必達作為其技術(shù)合作夥伴。爾必達周四表示可能允許TMC持其10%左右的股份，并購入TMC股份，TMC是臺灣官方為拯救記憶體晶片(存儲器芯片)產(chǎn)業(yè)而成立的新公司。　　過去一年的大部分時間，由于供應(yīng)過剩和需求遲滯引發(fā)全球形勢低迷，動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)廠商一直為虧損所困擾。爾必達和臺灣企業(yè)試圖通過合作，更好地與行業(yè)
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應(yīng)用

1． E5的特點及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體，構(gòu)成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點
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FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造

　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估?？蛻?/li>
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由外部總線訪問MPC5554的內(nèi)部存儲器

由外部總線訪問MPC5554的內(nèi)部存儲器,本文所述的基于MPC5554和FPGA的測試系統(tǒng)已調(diào)試完成，MPC5554內(nèi)部的Flash存儲器可以通過EBI模塊由外部的FPGA進行讀寫。與外掛的存儲器相比，通信讀／寫速度和系統(tǒng)的可靠性都大大提高。在實際應(yīng)用中，其他處理器也可以像文中的FPGA一樣模擬總線時序。當應(yīng)用中不需要數(shù)據(jù)傳輸時，也可將連接配置為普通I／0以作他用，硬件配置靈活。
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爾必達躍升為瑞晶大股東有助其加入TMC

　　力晶與爾必達(Elpida)針對旗下轉(zhuǎn)投資的DRAM廠瑞晶電子正式完成股權(quán)轉(zhuǎn)移，力晶16日確定出售7.9251萬張的瑞晶股票給爾必達，每股價格為新臺幣11.17元，總交易金額為8.85億元，爾必達順勢成為瑞晶的最大股東，也是臺灣第1家日資DRAM廠，存儲器業(yè)者認為，此舉將有利爾必達加入TMC公司，旗下瑞晶順利擠入TMC的生產(chǎn)制造基地之一，目前瑞晶在中科的12寸晶圓廠R1單月產(chǎn)能約8萬片，未來可望成為TMC公司的生產(chǎn)平臺。
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半導體巨頭業(yè)績滑坡存儲器市場有望率先復(fù)蘇

　　全球半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷，今年上半年很難走出低谷。不過，DRAM價格開始反彈，總算為全行業(yè)的復(fù)蘇帶來一點好消息。　　在過去的一個月中，全球半導體產(chǎn)業(yè)幾乎聽不到什么好消息。在中國的農(nóng)歷新年前夕，全球半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)頭羊英特爾公司宣布關(guān)閉5家工廠；隨即，歐洲D(zhuǎn)RAM大廠奇夢達申請破產(chǎn)保護；日前，另一家半導體產(chǎn)業(yè)巨頭德州儀器也傳出了全球工廠將停產(chǎn)三周的消息。2008年第四季度低迷的行情已經(jīng)重創(chuàng)了半導體企業(yè)的信心，至少在今年上半年，這種低迷的行情仍然難以好轉(zhuǎn)。　　業(yè)績滑坡尚未見底　　盡管業(yè)界早已降低了
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半導體巨頭業(yè)績滑坡存儲器市場有望率先復(fù)蘇

據(jù)中國電子報報道，全球半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷，今年上半年很難走出低谷。不過，DRAM價格開始反彈，總算為全行業(yè)的復(fù)蘇帶來一點好消息。在過去的一個月中，全球半導體產(chǎn)業(yè)幾乎聽不到什么好消息。在中國的農(nóng)歷新年前夕，全球半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)頭羊英特爾公司宣布關(guān)閉5家工廠；隨即，歐洲D(zhuǎn)RAM大廠奇夢達申請破產(chǎn)保護；日前，另一家半導體產(chǎn)業(yè)巨頭德州儀器也傳
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基于單片機自動巡線輪式機器人控制系統(tǒng)設(shè)計

1 引言　　輪式移動機器人是機器人研究領(lǐng)域的一項重要內(nèi)容．它集機械、電子、檢測技術(shù)與智能控制于一體。在 ...
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存儲器可能領(lǐng)先復(fù)蘇嗎？

　　據(jù)iSuppli最新報道，全球存儲器將從09年開始有一輪新的上升周期，而從2012年始又將呈下降走勢（如下圖所示）；其中，09年全球存儲器銷售額仍將下降4％，為242億美元，這已經(jīng)是連續(xù)下跌的第三年。08年下降20％，達到252億美元；07年為315億美元，下降7％；而在06年，全球存儲器達到了338億美元的高峰。　　受金融風暴影響，在過去兩年中全球存儲器前八大制造商已累積總虧損達80億美元，至09年底時虧損將擴大到110億美元。金融危機加速存儲器業(yè)復(fù)蘇　　金融危機是把雙
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石墨烯存儲器問世比閃存存儲單元密度更高

Rice大學研究人員正在著手研究一類存儲單元密度至少為閃存兩倍的石墨烯片狀存儲器。石墨烯（Graphene...
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臺灣政府考慮為存儲芯片公司紓困

　　亞洲其它地區(qū)和美國的分析師及業(yè)內(nèi)主管警告稱，臺灣政府對存儲芯片公司的紓困，可能只會使該行業(yè)有史以來最糟糕的衰退之一延長。　　臺灣動態(tài)隨機存儲器(Dram)合同制造商去年的收入為80億美元，占全球總量的約三分之一。Dram是電腦中使用的存儲芯片。　　這使它們成為全球IT業(yè)受經(jīng)濟下滑打擊最嚴重一環(huán)的中心。市場研究機構(gòu)iSuppli表示，今年，全球Dram業(yè)的收入減少了五分之一，而且Dram現(xiàn)在的市場價格處于歷史低點，僅為生產(chǎn)成本的三分之一。　　為了不讓雇傭人數(shù)上萬、銀行貸款達12
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]