存儲器文章進入存儲器技術社區(qū)

HDS召開合作伙伴峰會劍指中小企業(yè)存儲市場

　　日前，日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司(HDS)召開2007中國合作伙伴峰會。日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司亞太區(qū)以及本地高層向來自全國各地的渠道合作伙伴發(fā)出了“提升合作，共鑄輝煌”的倡議，與合作伙伴深度交流，交換意見和看法，以期進一步增強公司銷售渠道的力量，提高市場份額。　　在本次大會中，日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司還向合作伙伴推出了針對中小企業(yè)的Simple Modular Storage(普及型存儲解決方案)，借此推動中國中小用戶以及大中型用戶分散式、部門式存儲應用的普及。日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司對聯(lián)想、神州數(shù)碼和長虹佳華等取得出色業(yè)績的合
關鍵字：消費電子日立數(shù)據(jù)系統(tǒng) HDS 存儲器

2007中國存儲市場實力矩陣國內廠商集體缺席

　　易觀國際基于對中國存儲市場的長期跟蹤研究，對存儲廠商的市場表現(xiàn)及業(yè)務創(chuàng)新能力進行綜合評估，發(fā)布中國存儲市場廠商實力矩陣，該模型反映了整體存儲市場中各廠商所處的市場地位及業(yè)務發(fā)展的未來方向，并為行業(yè)用戶的存儲產品選型提供參考及建議。　　易觀國際研究發(fā)布的《中國存儲市場實力矩陣專題報告2007》研究顯示，IBM、惠普、EMC、SUN處于實力距陣的領先者象限,戴爾、日立處于務實者象限，Netapp處于創(chuàng)新者象限。　　易觀建議　　針對行業(yè)用戶：　　易觀國際認為，處于領先者象限的EMC和惠普產品
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機存儲 EMC SUN 存儲器

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設計思想。該系統(tǒng)改進了FAT表和FRT表的存儲方式，延長了存儲器的使用壽命，提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，容易出現(xiàn)位反轉現(xiàn)象，同時在使用中可
關鍵字： FAT NAND Flash 存儲器通信嵌入式系統(tǒng) 嵌入式無線通信

處理器存儲器子系統(tǒng)中的SoC功耗優(yōu)化設計

　　在新的系統(tǒng)級芯片(SoC)設計中，尤其是對便攜式設備而言，對整個系統(tǒng)功耗的優(yōu)化正變得與性能和面積優(yōu)化同樣重要。有些EDA工具具有門控時鐘、降壓、降頻和減少漏電電流等功能，有些芯片制造商能夠提供低功耗庫和工藝，所有這些工藝都非常費時;在最好情況下能夠提供兩倍的性能提升，因為這些提升是在設計周期的后端進行的。　　功耗優(yōu)化的最佳時間是在設計周期的一開始進行，即在確定體系結構的系統(tǒng)級進行優(yōu)化。確定系統(tǒng)級體系結構對功耗影響非常大，如局部存儲器和高速緩存的數(shù)量和容量。在設計周期的一開始進行優(yōu)化可以減少功耗十倍
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機存儲器 SoC SoC ASIC

Gartner：十大戰(zhàn)略性技術問鼎2008

　　展望2008，人們開始期待著具有戰(zhàn)略性意義的十大信息技術，其中最重要的技術當數(shù)以下四種：綠色IT、統(tǒng)一通信、虛擬化和mashup。　　任何一位稱職的IT高層管理人員都必須認真審視這些信息。　　業(yè)界分析人士透徹分析了2008年具有戰(zhàn)略性的十大信息技術，這些技術日益激勵著IT高管考量不實行各種技術所帶來的危險性。如果其競爭對手掌握了其中的一項技術，而你卻未握有此項技術，那在發(fā)展戰(zhàn)略上你就將處于劣勢。　　綠色IT 　　鑒于種種原因，綠色IT技術的作用更顯突出。這些原因包括對環(huán)境破壞的了解日益增
關鍵字：消費電子 IT 存儲器交換機消費電子

印刷硅挑戰(zhàn)有機材料將引領半導體器件革新

　　市場研究公司NanoMarketsLC研究員預測硅納米晶體(SiliconNanocrystals)和硅印刷方式將對傳統(tǒng)的電子電路和有機電子產生巨大的影響。該公司的報道預測到2015年前述技術的市場價值將達到25億美元。　　研究人員指出，這些新技術將帶來存儲器，邏輯電路，光電及光電子產品的革新。同時，硅納米晶體和印刷硅將挑戰(zhàn)有機材料的地位?？缮炜s的柔性電子設備產品如傳感器和顯示器產品生產成為可能，采用硅印刷方式將給傳統(tǒng)材料制造規(guī)模半導體產品生產提供新的方式，而且不再遵守超過45納米的結點的摩爾定律
關鍵字：消費電子硅半導體存儲器電阻電位器

嵌入式應用中存儲器類型的選擇技巧

　　存儲器的類型將決定整個嵌入式系統(tǒng)的操作和性能，因此存儲器的選擇一個非常重要的決策。無論系統(tǒng)是采用電池供電還是由市電供電，應用需求將決定存儲器的類型(易失性或非易失性)以及使用目的(存儲代碼、數(shù)據(jù)或者兩者兼有)。另外，在選擇過程中,存儲器的尺寸和成本也是需要考慮的重要因素。對于較小的系統(tǒng)，微控制器自帶的存儲器就有可能滿足系統(tǒng)要求，而較大的系統(tǒng)可能要求增加外部存儲器。為嵌入式系統(tǒng)選擇存儲器類型時，需要考慮一些設計數(shù)，包括微控制器的選擇、電壓范圍、電池壽命、讀寫速度、存儲器尺寸、存儲器的特性、擦除/寫入的耐
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機存儲器 EPROM 存儲器

fimicro將Ramtron存儲器用于其新型PC/104和智能I/O模塊設計中

　　Ramtron International Corporation 宣布位于德國的嵌入式軟件和硬件供應商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 pc/104 兼容單板計算機 (SBC) 和智能 I/O 擴展模塊中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-ram 存儲器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網(wǎng)和 USB 板的設計中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，以取代 active104 系統(tǒng)中的 Flash
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 fimicro Ramtron 存儲器存儲器

NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人
關鍵字： NAND NOR flash 集成電路存儲器

FPGA助力高端存儲器接口設計

高性能系統(tǒng)設計師在滿足關鍵時序余量的同時要力爭獲得更高性能，而存儲器接口設計則是一項艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來把數(shù)據(jù)和時鐘(或選通脈沖)由發(fā)射器傳送到接收器。接收器接口內部利用時鐘來鎖存數(shù)據(jù)，此舉可消除接口控制問題(例如在存儲器和FPGA間的信號傳遞時間)，但也為設計師帶來了必須解決的新挑戰(zhàn)。關鍵問題之一就是如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實現(xiàn)高速接口。隨著數(shù)據(jù)有效窗越來越小，該問題也益發(fā)重要；同時，更具挑戰(zhàn)性的問題是，如何讓接收到的時鐘與數(shù)據(jù)中
關鍵字： FPGA 存儲器接口模擬IC

FPGA助力高端存儲器接口設計

　　高性能系統(tǒng)設計師在滿足關鍵時序余量的同時要力爭獲得更高性能，而存儲器接口設計則是一項艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來把數(shù)據(jù)和時鐘(或選通脈沖)由發(fā)射器傳送到接收器。接收器接口內部利用時鐘來鎖存數(shù)據(jù)，此舉可消除接口控制問題(例如在存儲器和FPGA間的信號傳遞時間)，但也為設計師帶來了必須解決的新挑戰(zhàn)。　　關鍵問題之一就是如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實現(xiàn)高速接口。隨著數(shù)據(jù)有效窗越來越小，該問題也益發(fā)重要;同時，更具挑戰(zhàn)性的問題是，如何讓接收到的時鐘與數(shù)據(jù)中心
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA 存儲器接口存儲器

RAMTRON推出2兆位 (Mb) 并行存儲器產品

非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存儲器產品，進一步擴展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44腳TSOP-II封裝的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有訪問速度快、NoDelay 無寫等待、無限次讀/寫和低功耗等特點。FM21L16與異步靜態(tài)RAM (SRAM) 管腳兼容，其目標應用是以SRAM為基礎的工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、汽車
關鍵字：模擬技術電源技術 RAMTRON 并行存儲器 FM21L16 存儲器

索尼與奇夢達組建合資公司開發(fā)DRAM儲存芯片

地時間本周二，日本索尼和德國芯片制造商奇夢達宣布，它們計劃建立一個芯片設計合資機構，開發(fā)消費電子和游戲機使用的DRAM儲存芯片。兩公司在一份聯(lián)合聲明中稱，新的合資機構稱為 Qreatic Design，計劃在今年年前在東京成立，在由雙方30名專家組成的芯片設計合資公司中，兩公司將各自擁有50%的股份。合資公司主要開發(fā)高性能、低能量消耗、嵌入式的、明確用于消費電子產品的DRAM芯片。奇夢達是全球最大的DRAM儲存芯片制造商之一，盡管索尼內部擁有它自己的芯片設計
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機索尼奇夢達 DRAM 存儲器

日立將售硬盤部門股份股票暴漲達4年來頂峰

　　9月29日消息，據(jù)外電報道，日立正在考慮把將其硬盤部門的股份出售給戰(zhàn)略投資者以幫助它扭轉虧損的硬盤業(yè)務。　　日立要出售其硬盤業(yè)務部門股份的消息傳出之后，日立股票上漲了7%，達到了一個月的最高點。這是四年以來日立股票單日最大的漲幅。　　日立自從2002年以20億美元收購IBM硬盤業(yè)務部門以來，由于硬盤價格下降，日立的硬盤業(yè)務一直沒有盈利。　　Ichiyoshi投資管理公司首席基金經(jīng)理Mitsushige Akino表示，這是日立的一個巨大變化?，F(xiàn)在正是時機。隨著硬盤向非PC領域擴張，日
關鍵字：日立硬盤部門存儲器

中芯國際進軍閃存市場計劃遇到阻力

　　據(jù)一名外國分析師透露，中國晶圓代工廠中芯國際集成電路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下簡稱中芯國際)進軍閃存市場的計劃明顯遇到了阻力。　　早在2005年的時候，以色列的賽芬半導體有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯國際簽訂了一份晶圓代工協(xié)議。在賽芬的幫助下，中芯國際公司去年決定進軍存儲卡市場。中芯國際擴充了專利授權范圍，獲得了使用氮氧化合物閃存技術的權利，目的是開發(fā)和生產存儲卡。
關鍵字：中芯國際閃存存儲器

共1627條 71/109 |‹ « 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 » ›|

存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構成構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]