存儲器文章最新資訊

瑞薩松下開發(fā)45nm傳統(tǒng)CMOS片上SRAM技術(shù)

　　瑞薩科技公司與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布共同開發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS*1的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作的技術(shù)，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統(tǒng)級芯片）器件和微處理器（MPU）當中。采用這種技術(shù)的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經(jīng)得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)的用于實驗的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲單元設(shè)計，一個
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Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功

日前，Intel宣布，他們采用最新的65納米工藝制造SRAM（靜態(tài)存儲器）取得了突破，他們成功的用65nm的工藝制造出了70Mbit的大容量靜態(tài)存儲器。　　靜態(tài)存儲器（SRAM）主要用作高速的存儲設(shè)備，例如處理器內(nèi)部的高速緩存等存儲設(shè)備?！　?5年11月，Intel首次宣布65nm制造工藝的時候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，現(xiàn)在能夠生產(chǎn)出70Mbit的SRAM將有助于將來處理器的制造。
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NOR標準化能否延續(xù)手機存儲器老大地位

市場調(diào)研表明，NOR閃存仍是手機存儲器的老大，它目前可以滿足95%以上手機存儲容量需求。但NOR閃存一直沒有標準化，給手機制造商帶來研發(fā)時間長、沒有第二供貨源等難題。近日，Intel和ST共同宣布，兩家公司針對手機存儲子系統(tǒng)，制定了NOR閃存規(guī)范，并將針對手機市場各自獨立設(shè)計、制造軟硬件兼容的NOR閃存產(chǎn)品，這一舉措能否去除NOR的軟肋，使它延續(xù)在手機制造商處的熱度？手機對存儲器依賴性增加今天，市場上的手機已經(jīng)成為流
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嵌入式存儲器面面觀

模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC（片上系統(tǒng)）。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重（面積）將逐漸增大。到2010 年，約90%的硅片面積都將被具有不同功能的存儲器所占據(jù)。另一方面，微處理器的速度以每年60%遞增，但主存的速度每年僅增長10%左右。二者之間的性能差異越來越大。計算機
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KLA-Tencor 發(fā)布最新存儲和邏輯器件明場檢測系統(tǒng)

　　KLA-Tencor 推出 28xx 明場檢測平臺的最新成員 2810 和 2815。通過特殊的光學配置，它們能有效地應(yīng)對亞 55 納米存儲器件和亞 45 納米邏輯器件生產(chǎn)中所面臨的獨特缺陷檢測挑戰(zhàn)。無論是適合存儲器件缺陷檢測的 2810 系統(tǒng)，還是適合邏輯器件檢測的 2815 系統(tǒng)，都依靠 KLA-Tencor 業(yè)界領(lǐng)先的全光譜光源技術(shù)以捕獲最廣泛的缺陷類型，包括嚴重影響成品率的沉浸光刻缺陷。與以往的 2800 系統(tǒng)相比，在同等靈敏度條件下，新系統(tǒng)可在多種應(yīng)用中實現(xiàn)兩倍以上的生產(chǎn)能力。　　“在
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富士通兩款2Mbit FRAM內(nèi)存芯片上市

富士通微電子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM內(nèi)存芯片已開始供貨上市，該產(chǎn)品號稱為目前全球可量產(chǎn)的最大容量FRAM組件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片內(nèi)建非揮發(fā)性內(nèi)存，具備高速資料寫入、低功耗、大量寫入周期等特點，適用于汽車導航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀器及其它需使用非揮發(fā)性內(nèi)存來儲存各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件與保存安全信息的各項高階應(yīng)用。 &nb
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現(xiàn)貨市場熱銷將帶動內(nèi)存合同價格上揚

受近日現(xiàn)貨市場DRAM內(nèi)存價格出現(xiàn)反彈影響，業(yè)界人士指出將成為內(nèi)存合同價格出現(xiàn)大范圍反彈的信號。 DRAMeXchange表示，eTTDDR2內(nèi)存的價格在一個星期之內(nèi)上升了27.5%，在6月20日達到2.04美金。而DDR2內(nèi)存在同一時期也保持了20%的增幅，DDR2內(nèi)存現(xiàn)在價格已達到2.21美金（667MHz）和2.19美金（533MHz）。 eTT內(nèi)存主要供
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RAMTRON宣布推出基于8051微控制器VRS51L3174

Ramtron International Corporation宣布推出VRS51L3174這款基于8051微控制器，帶有8KB非易失性FRAM內(nèi)存，工業(yè)標準的44腳QFP封裝，可以簡便的實現(xiàn)器件升級。Ramtron已將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲和處理系統(tǒng)，而該系統(tǒng)只有FRAM-Enhanced™ (增強型) MCU才能提供。 VRS51L3174將8KB FRAM內(nèi)存與全
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DSP中的存儲器共享與快速訪問技術(shù)設(shè)計

介紹了在多個DSP之間或者DSP與其他CPU之間存儲器共享技術(shù)的基本設(shè)計方法，重點介紹了如何在設(shè)計上提高存儲器的訪問速度和克服訪問競爭的方法。
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DRAM價格回暖芯片廠商股價大幅上漲

今天，矽瑪特（SigmaTel）與珠海炬力集成電路設(shè)計有限公司就雙方正在進行的專利糾紛達成和解。根據(jù)和解協(xié)議條款，雙方將撤銷所有針對對方的未決訴訟。同時，作為和解協(xié)議的一部分，雙方亦達成了為期三年的專利交叉授權(quán)協(xié)議。和解協(xié)議的財務(wù)條款不會對外公開。此外，雙方還就彼此所擁有的全部專利，達成了交互授權(quán)協(xié)議。矽瑪特首席執(zhí)行官 Phil&nbs
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行業(yè)組織再推硬盤加密新標準三年內(nèi)普及

　　海外媒體消息，可靠計算組織于6月19日公布了一項旨在加強存儲設(shè)備安全性的新標準。該標準將大大提高現(xiàn)有存儲設(shè)備的安全性，預(yù)計會在以后的三年內(nèi)大規(guī)模推廣。　　該標準采用一種特殊的方法在存儲設(shè)備上建立一個分區(qū)，生成和保存密匙，防止未授權(quán)用戶訪問設(shè)備上的數(shù)據(jù)。它同時還具有所謂的全盤加密功能，以防磁盤丟失。而且它還具備快速擦除能力，方便用戶重新定義。該技術(shù)還可以同其他加密技術(shù)合用，進一步提高系統(tǒng)的安全性。　　目前生產(chǎn)帶全盤加密技術(shù)的硬盤的廠商有希捷和日立公司，它們針對的市場都是商用筆記本，實現(xiàn)得方式十分
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DRAM價格回暖芯片廠商股價大幅上漲

　　北京時間6月21日硅谷動力從國外媒體處獲悉：當?shù)貢r間本周四，由于計算機內(nèi)存芯片價格大幅上漲，包括韓國現(xiàn)代半導體在內(nèi)的主要亞洲芯片生產(chǎn)商股價均呈現(xiàn)不同程度的上漲。　　根據(jù)DRAMeXchange公布的數(shù)據(jù)顯示，本周三512MB DDR2內(nèi)存的現(xiàn)貨價格上漲17%，這同時也是疲軟的內(nèi)存市場近期出現(xiàn)的罕見的價格反彈現(xiàn)象。由于產(chǎn)量增加再加上市場需求低于預(yù)期，今年DRAM芯片價格大幅下滑，各大內(nèi)存芯片廠商也因此受到不同程度影響。　　業(yè)內(nèi)分析人士指出，本周三內(nèi)存現(xiàn)貨價格反彈可能也只是暫時現(xiàn)象，但同時也堅
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富士通宣布批量提供2Mbit的鐵電存儲器IC

　　富士通微電子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微電子2兆位（Mbit）的FRAM存儲芯片，這是世界上批量生產(chǎn)的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲器具有高速數(shù)據(jù)寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀表及其它使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件并安全保存信息的高端設(shè)備的理想選擇。　　FRAM的高速數(shù)據(jù)寫入和大量可用寫周期使得其可以作在辦公設(shè)備中存儲計數(shù)或參數(shù)、記錄各種事項之用。FRAM有100億個讀/寫周期，
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Freescale擴展MRAM的產(chǎn)品系列

　　嵌入式半導體設(shè)計和制造領(lǐng)域的Freescale半導體成功推出3伏4Mbit擴展溫度范圍（-40至+105C）非易失性RAM （nvRAM）產(chǎn)品，從而擴展了公司獲獎的磁電阻式隨機存儲器（MRAM）系列產(chǎn)品。該設(shè)備可用于惡劣的應(yīng)用環(huán)境，如工業(yè)、軍事、航空和汽車設(shè)計等。　　Freescale還通過推出一種1Mbit器件擴展了它的商用MRAM 產(chǎn)品系列。該器件可為系統(tǒng)設(shè)計師提供一種密度選擇，并專注于主流嵌入式產(chǎn)品市場上的“sweet spot”。此外，F(xiàn)reescale還計劃進一步擴
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Teradata采用LSI Engenio 6998存儲系統(tǒng)開發(fā)磁盤備份系統(tǒng)

　　LSI 公司日前宣布NCR旗下的Teradata公司已選用LSI為其下一代備份、存檔和恢復(fù)(BAR)解決方案提供企業(yè)關(guān)鍵數(shù)據(jù)保護。LSI Engenio 6998存儲系統(tǒng)產(chǎn)品將被用于Teradata新發(fā)布的9204磁盤備份(Backup-to-Disk,B2D)系統(tǒng)，提供給其數(shù)據(jù)倉庫客戶。　　LSI和Teradata 已有15年的合作關(guān)系，此次新合作將充分發(fā)揮兩家公司在工程、銷售和市場之間的協(xié)力合作，為Teradata數(shù)據(jù)倉庫客戶提供一款緊密集成的磁盤備份解決方案。　　Teradata研發(fā)部門
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]