存儲器文章進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)

現(xiàn)貨市場熱銷將帶動內(nèi)存合同價格上揚(yáng)

受近日現(xiàn)貨市場DRAM內(nèi)存價格出現(xiàn)反彈影響，業(yè)界人士指出將成為內(nèi)存合同價格出現(xiàn)大范圍反彈的信號。 DRAMeXchange表示，eTTDDR2內(nèi)存的價格在一個星期之內(nèi)上升了27.5%，在6月20日達(dá)到2.04美金。而DDR2內(nèi)存在同一時期也保持了20%的增幅，DDR2內(nèi)存現(xiàn)在價格已達(dá)到2.21美金（667MHz）和2.19美金（533MHz）。 eTT內(nèi)存主要供
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RAMTRON宣布推出基于8051微控制器VRS51L3174

Ramtron International Corporation宣布推出VRS51L3174這款基于8051微控制器，帶有8KB非易失性FRAM內(nèi)存，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的44腳QFP封裝，可以簡便的實(shí)現(xiàn)器件升級。Ramtron已將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲和處理系統(tǒng)，而該系統(tǒng)只有FRAM-Enhanced™ (增強(qiáng)型) MCU才能提供。 VRS51L3174將8KB FRAM內(nèi)存與全
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DSP中的存儲器共享與快速訪問技術(shù)設(shè)計(jì)

介紹了在多個DSP之間或者DSP與其他CPU之間存儲器共享技術(shù)的基本設(shè)計(jì)方法，重點(diǎn)介紹了如何在設(shè)計(jì)上提高存儲器的訪問速度和克服訪問競爭的方法。
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DRAM價格回暖芯片廠商股價大幅上漲

今天，矽瑪特（SigmaTel）與珠海炬力集成電路設(shè)計(jì)有限公司就雙方正在進(jìn)行的專利糾紛達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議條款，雙方將撤銷所有針對對方的未決訴訟。同時，作為和解協(xié)議的一部分，雙方亦達(dá)成了為期三年的專利交叉授權(quán)協(xié)議。和解協(xié)議的財(cái)務(wù)條款不會對外公開。此外，雙方還就彼此所擁有的全部專利，達(dá)成了交互授權(quán)協(xié)議。矽瑪特首席執(zhí)行官 Phil&nbs
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行業(yè)組織再推硬盤加密新標(biāo)準(zhǔn) 三年內(nèi)普及

　　海外媒體消息，可靠計(jì)算組織于6月19日公布了一項(xiàng)旨在加強(qiáng)存儲設(shè)備安全性的新標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)將大大提高現(xiàn)有存儲設(shè)備的安全性，預(yù)計(jì)會在以后的三年內(nèi)大規(guī)模推廣。　　該標(biāo)準(zhǔn)采用一種特殊的方法在存儲設(shè)備上建立一個分區(qū)，生成和保存密匙，防止未授權(quán)用戶訪問設(shè)備上的數(shù)據(jù)。它同時還具有所謂的全盤加密功能，以防磁盤丟失。而且它還具備快速擦除能力，方便用戶重新定義。該技術(shù)還可以同其他加密技術(shù)合用，進(jìn)一步提高系統(tǒng)的安全性。　　目前生產(chǎn)帶全盤加密技術(shù)的硬盤的廠商有希捷和日立公司，它們針對的市場都是商用筆記本，實(shí)現(xiàn)得方式十分
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DRAM價格回暖芯片廠商股價大幅上漲

　　北京時間6月21日硅谷動力從國外媒體處獲悉：當(dāng)?shù)貢r間本周四，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價格大幅上漲，包括韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體在內(nèi)的主要亞洲芯片生產(chǎn)商股價均呈現(xiàn)不同程度的上漲。　　根據(jù)DRAMeXchange公布的數(shù)據(jù)顯示，本周三512MB DDR2內(nèi)存的現(xiàn)貨價格上漲17%，這同時也是疲軟的內(nèi)存市場近期出現(xiàn)的罕見的價格反彈現(xiàn)象。由于產(chǎn)量增加再加上市場需求低于預(yù)期，今年DRAM芯片價格大幅下滑，各大內(nèi)存芯片廠商也因此受到不同程度影響。　　業(yè)內(nèi)分析人士指出，本周三內(nèi)存現(xiàn)貨價格反彈可能也只是暫時現(xiàn)象，但同時也堅(jiān)
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富士通宣布批量提供2Mbit的鐵電存儲器IC

　　富士通微電子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微電子2兆位（Mbit）的FRAM存儲芯片，這是世界上批量生產(chǎn)的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲器具有高速數(shù)據(jù)寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機(jī)、測量儀表及其它使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作條件并安全保存信息的高端設(shè)備的理想選擇。　　FRAM的高速數(shù)據(jù)寫入和大量可用寫周期使得其可以作在辦公設(shè)備中存儲計(jì)數(shù)或參數(shù)、記錄各種事項(xiàng)之用。FRAM有100億個讀/寫周期，
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Freescale擴(kuò)展MRAM的產(chǎn)品系列

　　嵌入式半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的Freescale半導(dǎo)體成功推出3伏4Mbit擴(kuò)展溫度范圍（-40至+105C）非易失性RAM （nvRAM）產(chǎn)品，從而擴(kuò)展了公司獲獎的磁電阻式隨機(jī)存儲器（MRAM）系列產(chǎn)品。該設(shè)備可用于惡劣的應(yīng)用環(huán)境，如工業(yè)、軍事、航空和汽車設(shè)計(jì)等。　　Freescale還通過推出一種1Mbit器件擴(kuò)展了它的商用MRAM 產(chǎn)品系列。該器件可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供一種密度選擇，并專注于主流嵌入式產(chǎn)品市場上的“sweet spot”。此外，F(xiàn)reescale還計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)
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Teradata采用LSI Engenio 6998存儲系統(tǒng)開發(fā)磁盤備份系統(tǒng)

　　LSI 公司日前宣布NCR旗下的Teradata公司已選用LSI為其下一代備份、存檔和恢復(fù)(BAR)解決方案提供企業(yè)關(guān)鍵數(shù)據(jù)保護(hù)。LSI Engenio 6998存儲系統(tǒng)產(chǎn)品將被用于Teradata新發(fā)布的9204磁盤備份(Backup-to-Disk,B2D)系統(tǒng)，提供給其數(shù)據(jù)倉庫客戶。　　LSI和Teradata 已有15年的合作關(guān)系，此次新合作將充分發(fā)揮兩家公司在工程、銷售和市場之間的協(xié)力合作，為Teradata數(shù)據(jù)倉庫客戶提供一款緊密集成的磁盤備份解決方案。　　Teradata研發(fā)部門
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DRAM芯片市場行情優(yōu)于NAND閃存

　　我國臺灣DRAM芯片制造業(yè)界傳出消息稱，到六月份月末，DRAM芯片價格將跌至谷底，并將很快迎來季節(jié)性反彈。預(yù)計(jì)在近期，DRAM芯片的出貨量將全面超出NAND flash芯片。　　自六月份開始，隨著PC OEM廠商紛紛開始季節(jié)性規(guī)模存貨，DRAM芯片價格急劇下滑的勢頭有所緩解。我國臺灣地區(qū)的DRAM芯片廠商、包括韓國的Hynix半導(dǎo)體公司等，它們的DRAM芯片庫存壓力將得到相對釋緩。對于全球整個DRAM芯片制造業(yè)界來說，DRAM芯片將隨著季節(jié)性需求的反彈而出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)。　　隨著DRAM芯片價格的
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Solid推出SOLIDDB6內(nèi)存數(shù)據(jù)庫支持多內(nèi)核處理器

　　Solid™ Information Technology日前宣布，在一項(xiàng)由Sun微系統(tǒng)公司和Solid聯(lián)合進(jìn)行的采用8內(nèi)核Sun UltraSPARC™ T1 coolthreads處理器的基準(zhǔn)測試中，Solid最新內(nèi)存數(shù)據(jù)庫產(chǎn)品SolidDB 6™實(shí)現(xiàn)了較之前版本3倍以上的性能表現(xiàn)。solidDB關(guān)系型內(nèi)存數(shù)據(jù)庫產(chǎn)品在全球已經(jīng)被超過300萬個關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)采用。SolidDB 6是Solid公司最新推出的下一代嵌入式數(shù)據(jù)庫產(chǎn)品，專門面向通信行業(yè)各種實(shí)時應(yīng)用和服務(wù)平
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iSuppli：硬盤驅(qū)動器廠商遭遇競爭和價格壓力

　　根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli的研究，盡管2007年第一季度全球的硬盤驅(qū)動器出貨量比去年同期增長了12.2%，但是相比去年第四季度則下降了4.7%。與此同時，猛烈下跌的價格擠壓了主要硬盤驅(qū)動器廠商的利潤。　　一季度通常是硬盤驅(qū)動器在第四季度假期銷售達(dá)到巔峰之后，迎來的銷售淡季。但是在一季度計(jì)算機(jī)市場需求強(qiáng)勁的情況下，硬盤驅(qū)動器銷售持續(xù)下滑是令人驚奇的。一季度的全球硬盤驅(qū)動器出貨量是1.14億臺，沒有達(dá)到iSuppli預(yù)期的1.18億臺。　　iSuppli存儲系統(tǒng)的資深分析師Krishna
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Ramtron推出符合+125℃工作要求的串行FRAM器件

Ramtron推出新一款符合+125℃工作范圍要求的串行FRAM器件。這款3V、64Kb的FRAM器件FM25CL64-GA具有高速串行外設(shè)接口 (SPI) — 現(xiàn)符合Grade 1 AEC-Q100 的規(guī)范要求，適用于汽車發(fā)動機(jī)周邊和乘客舒適性設(shè)備。為了配合這項(xiàng)產(chǎn)品發(fā)布，Ramtron 已將其Grade 1運(yùn)行數(shù)據(jù)保持時間規(guī)范升級到9,000小時，并將其非運(yùn)行數(shù)據(jù)保持時間規(guī)范提升到17年，即分別提高了 80%&nb
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華三通信進(jìn)軍存儲業(yè) 欲破歐美最后市場壁壘

6月11日13時，華三通信(H3C)副總裁兼首席技術(shù)官曹向英、副總裁兼存儲產(chǎn)品線總裁李治做客新浪總裁在線，聊存儲技術(shù)和中國存儲行業(yè)和技術(shù)趨勢，這也是該公司高管首次以華三的名稱在媒體亮相。華三通信曾為華為和美國3Com的合資公司。去年11月，3Com宣布以8.82億美元收購后者在合資公司華為3Com持有的49%股份，華為3Com成為國外獨(dú)資企業(yè)。今年4月27日，華為3Com正式更名華三通信(H3C)，告別華為時代；5月22日，華為與賽門鐵克宣布將合資進(jìn)軍存儲市場，在這一領(lǐng)域新老諸侯將激烈競逐。國外品牌割
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DRAM內(nèi)存市場供過于求走勢取決于三星電子

6月10日消息，內(nèi)存交易網(wǎng)站DRAMeXchange預(yù)計(jì)今年第三季度DRAM內(nèi)存將繼續(xù)供過于求。DRAM內(nèi)存廠商對此做出了反應(yīng)并且評論說，整個市場前景在很大程度上取決于市場龍頭三星電子如何動作。據(jù)我國臺灣地區(qū)媒體報(bào)道，雖然預(yù)計(jì)DRAM內(nèi)存合同報(bào)價在6月份將觸底，但是，DRAMeXchange認(rèn)為，DRAM內(nèi)存供過于求的局面在今年第三季度仍將繼續(xù)，只有到今年第四季度才能達(dá)到平衡。因此，這家內(nèi)存交易公司指出，三星電子和海力士半導(dǎo)體今年7月份將會把DDR2內(nèi)存產(chǎn)量較少15%。讓渠道和電腦OEM廠商
關(guān)鍵字： DRAM 三星電子消費(fèi)電子存儲器消費(fèi)電子

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]