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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

iSuppli:9月內(nèi)存價格將再次開始下滑

  •   根據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli的預(yù)測,在經(jīng)歷短暫的緩沖之后,DRAM內(nèi)存廠商的市場條件從9月份起將再次變得惡劣。iSuppli此前預(yù)期在結(jié)束了二季度嚴重的價格下跌之后,市場將保持目前的相對強勢,直到10月份價格才會再次下跌。但是iSuppli現(xiàn)在預(yù)期價格下跌提前了一個月,9月份就會開始。   近期的DRAM內(nèi)存市場供應(yīng)鏈由于廠商和分銷商仍在繼續(xù)處理存貨造成大量的不確定性,因而市場條件也處在不斷變化中。而且由于液晶顯示器供應(yīng)不足導(dǎo)致價格上漲,也將促使一些個人電腦削減了對內(nèi)存的預(yù)算,造成DRAM內(nèi)存現(xiàn)貨市
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奇夢達公司宣布推出新的1Gb GDDR3 內(nèi)存模組

  • 奇夢達公司宣布推出新的1Gb GDDR3 內(nèi)存模組,以擴展其GDDR3(圖形雙數(shù)據(jù)速率3)產(chǎn)品組合。此外,奇夢達還對其所有現(xiàn)有的GDDR3產(chǎn)品進行了速度上的升級。 在目前的256Mb和512Mb產(chǎn)品組合的基礎(chǔ)上,奇夢達增加了第三款顯示內(nèi)存產(chǎn)品:1Gb GDDR3產(chǎn)品。通過向更高容量擴展,奇夢達支持圖形顯示應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴大的幀緩沖區(qū)趨勢。1Gb產(chǎn)品是同時需要高容量和低顆粒數(shù)的筆記本應(yīng)用的理想選擇。此外,所有三款GDDR3產(chǎn)品都進行了升級,使其具有更優(yōu)的I/O性能。256Mb和1Gb產(chǎn)品現(xiàn)在的速率最高可達
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說說奇夢達第三季度虧損

  •    “奇夢達拖累英飛凌第三財季業(yè)績 凈虧1.97億歐元”,“奇夢達業(yè)績不佳 英飛凌透露撤資計劃”……8月上旬,接連出現(xiàn)的這幾則新聞引起了業(yè)界關(guān)注。人們不禁要問,奇夢達怎么了?英飛凌撤資與奇夢達業(yè)績欠佳有關(guān)嗎?     8月7日,筆者借參加“奇夢達蘇州研發(fā)中心新聞發(fā)布會”的機會對上述疑問征詢了奇夢達方面的意見。對此,奇夢達總裁兼首席執(zhí)行官羅建華表示,奇夢達在上上季度有很大盈利,上一季度虧損主要是DRAM價格下跌所致。而對于英飛凌撤資的問題,筆者
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NAND Flash下半年將出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象

  •    根據(jù)內(nèi)存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報告,七月上旬NAND Flash合約價出爐;SLC市場供給吃緊、合約價大漲,平均漲幅約15%~30%。而根據(jù)集邦的研究數(shù)據(jù)來觀察,整體NAND Flash需求將在本季超過供給,下半年NAND Flash產(chǎn)出將供不應(yīng)求。    在MLC部分,集邦表示,因供貨商持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往8Gb以上的產(chǎn)品,另外加上iPhone題材所帶來的預(yù)期心理,4Gb產(chǎn)出日益降低而大漲30%,高容量MLC也順勢漲了
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家

  • NAND閃存產(chǎn)業(yè)風(fēng)水輪流轉(zhuǎn),變化相當(dāng)快速,原本第一季度頭號存儲卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓(Kingston)苦苦追趕,飽受價格大跌之苦,然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后,SanDisk成為了閃存存儲卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓,到終端成品制造一條鞭掌握的模式,在缺貨時期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價格大跌、終端需求疲弱不振的影響,財報出現(xiàn)了赤字,SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元,每股剛好損益平衡,第二季度受到了NAND閃
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相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM

  •   相變內(nèi)存(Phase Change Memory,PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一,針對此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況,工研院IEK-ITIS計劃發(fā)表最新研究報告指出,臺灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā),相較于FeRAM與MRAM,在PCM領(lǐng)域發(fā)展機會較大。     工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示,相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源,但受限于當(dāng)時半導(dǎo)體工藝技術(shù),相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主
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FRAM存儲器加入DSP基礎(chǔ)的數(shù)字式汽車音頻系統(tǒng)中

  • Ramtron International Corporation宣布,韓國的Daesung-Eltec公司已將FRAM存儲器設(shè)計于其以數(shù)字信號處理 (DSP) 為基礎(chǔ)的汽車音頻平臺中。Daesung-Eltec選擇了64kb連2-wire串行接口的FRAM器件 -- FM24C64,以實現(xiàn)精密的存儲器功能如存儲音頻、頻道和喜愛的歌手/歌曲設(shè)置,以及恢復(fù)播放和喜愛的演員/歌曲提示功能。FRAM的非易失性、No Delay™&
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受三星停電事件影響 NAND價格上漲15-25%

  •     根據(jù)集邦科技資料,8月上旬NAND型閃存價格受韓國三星停電事件影響,平均上漲約15-25%。集邦分析師指出,由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場供貨不足,預(yù)估8月下旬價格將持平或小漲。     據(jù)港臺媒體報道,三星半導(dǎo)體廠區(qū)在8月3日下午發(fā)生停電事件,使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響,但三星已宣布于8月4日下午恢復(fù)到正常生產(chǎn)狀況,根據(jù)該公司初步估計損失約4300萬美元。  &
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Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設(shè)計平臺上預(yù)先驗證

  • 北京,2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布,其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機參考設(shè)計平臺上的預(yù)先驗證。MediaTek總部位于臺灣,是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導(dǎo)體芯片設(shè)計公司之一。在MediaTek參考設(shè)計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗證,將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C更快地推向中國及其它高速增長市場。 在未來幾年內(nèi),中國將成為推動新型手機發(fā)
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iSuppli:金士頓居全球DRAM供應(yīng)商排行之首

  •   7月26日消息,據(jù)最新一份市場調(diào)查報告,如果按照公司營收標(biāo)準(zhǔn)計算,內(nèi)存制造商金士頓在全球記憶體模組(DRam)供應(yīng)商排行榜上名列第一。   據(jù)vnunet報道,此份調(diào)查報告由iSuppli提供,憑借產(chǎn)品利潤率方面的優(yōu)勢,在2006年中金士頓公司創(chuàng)造了DRam產(chǎn)品總銷量22億美元的新紀錄,幾乎比前一年提高了8億美元。按照該數(shù)字計算,金士頓公司在全球市場的占有率攀升到了18.1%,幾乎是市場第二名Smart Modular科技公司的三倍之多,后者只有可憐的5.5%?!澳軌虺蔀閕Suppli排行榜上的第
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個人存儲市場火爆 年均增長幅度將超過20%

  •   7月25日消息,市場調(diào)研廠商IDC估計,在2006-2011年間,個人存儲市場的年均復(fù)合增長率將超過20%。   據(jù)國外媒體報道,2006年個人存儲市場增長了近70%,截止到目前,2007年增長速度為30%。越來越多的廠商都瞄上了這一快速增長的市場。分析認為,小型企業(yè)和消費者的數(shù)據(jù)保護和備份需求推動了這一市場的增長。   IDC負責(zé)移動存儲業(yè)務(wù)的調(diào)研主管沃爾夫?qū)硎荆瑐€人存儲是一種快速增長的產(chǎn)品,已經(jīng)成為許多存儲廠商產(chǎn)品線中的重要部分。個人存儲供應(yīng)商的機會在于簡單、安全、有效的解決方案。企業(yè)存
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存儲廠清貨 MP3價格將受影響

  •   市場研究公司iSuppli近日發(fā)表報告稱,今年以來境況一直不佳的內(nèi)存芯片制造商們短期內(nèi)會見到一絲希望的曙光。內(nèi)存芯片(DRAM)價格在七月上半個月里終于停止了漫長的下滑。不過,這種價格停滯不前狀況很可能只是短暫的,原因是內(nèi)存芯片商們倉庫中仍然有大量的庫存有待清貨。   iSupply公司的首席分析師Nam Hyung Kim指出,由于三星和海力士半導(dǎo)體等廠商最終還需要清理庫存以獲得額外收入,所以內(nèi)存芯片的價格很可能會再次下降。為此,Nam Hyung Kim將短期內(nèi)的內(nèi)存芯片市場評級從“負面”提高
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Altera實現(xiàn)對新的JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的支持

  •   Altera宣布,在FPGA業(yè)界實現(xiàn)了對高性能DDR3存儲器接口的全面支持。在最近通過的JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)下,Altera Stratix® III系列FPGA可以幫助設(shè)計人員充分發(fā)揮DDR3存儲器的高性能和低功耗優(yōu)勢,這類存儲器在通信、計算機和視頻處理等多種應(yīng)用中越來越關(guān)鍵。   這些應(yīng)用處理大量的數(shù)據(jù),需要對高性能存儲器進行快速高效的訪問。符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)可滿足DDR3存儲器的1.5V低功耗電壓供電要求,在下一
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iSuppli提升近期內(nèi)存市場條件評測等級

  •   北京時間7月19日硅谷動力從國外媒體處獲悉:市場研究機構(gòu)iSuppli在內(nèi)存市場有增長跡象和貫穿2007年的內(nèi)存價格下滑結(jié)束的情況下,將近期DRAM內(nèi)存供應(yīng)商面臨市場條件等級由消極提升到中性,同時對NAND閃存的市場條件等級做了同樣的調(diào)整。   iSuppli在今年一月中旬把DRAM內(nèi)存市場的條件等級降為消極,當(dāng)時DRAM內(nèi)存市場正處在嚴重低迷的狀態(tài),到六月底DRAM內(nèi)存的價格下滑超過了70%。但是,iSuppli預(yù)期市場在6月底將跌到底部,7月上半月隨著內(nèi)存原始制造商DRAM內(nèi)存價格的上漲,內(nèi)存
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DRAM芯片價格終結(jié)下滑趨勢 內(nèi)存廠現(xiàn)曙光

  •   7月18國際報道 本周二發(fā)布的一份報告顯示,隨著DRAM芯片價格在7月前半月結(jié)束長期以來的下滑趨勢,內(nèi)存芯片廠商在不無的將來或許能夠看到一絲曙光。   iSuppli在這份報告中表示,由于內(nèi)存芯片廠商的庫存仍然過高,價格下跌趨勢的停止可能是短暫的。   iSuppli分析師Nam Hyung Kim說,由于三星、Hynix Semiconductor等廠商會試圖甩賣這些庫存,內(nèi)存芯片價格可能會再次下跌。   不斷下跌的DRAM芯片價格有助于PC、MP3播放器、數(shù)碼相機等消費電子產(chǎn)品價格的降低,但
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存儲器介紹

什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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