存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

IBM讓芯片堆疊連接導(dǎo)線作古CPU讀內(nèi)存快千倍

據(jù)國外媒體報道，周四，美國半導(dǎo)體巨頭IBM公司宣布，他們研發(fā)出了一種垂直方向上以堆疊方式連接不同芯片的技術(shù)，這種技術(shù)可以大大減少處理器和內(nèi)存之間的距離，從而加速數(shù)據(jù)的傳輸，并節(jié)省手機或者電腦的功耗。利用IBM公司的研發(fā)成果，今天的不同芯片之間的導(dǎo)線將失去作用。眾所周知的是，在電腦或者手機中，微處理器和內(nèi)存芯片之間依然靠導(dǎo)線來傳輸數(shù)據(jù)，相對于芯片內(nèi)部的晶體管相比，這種“遙遠”的導(dǎo)線距離延緩了數(shù)據(jù)的傳輸，使得內(nèi)存訪問成為系統(tǒng)性能的一個瓶頸。在IBM公司的方案中，兩個芯片將被上下堆疊在一起，兩者之間的距離只
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富士通放棄生產(chǎn)1.8英寸硬盤

日前，富士通表示，他們已經(jīng)暫停了1.8英寸硬盤的開發(fā)計劃，因為手提設(shè)備生產(chǎn)商更傾向于用閃存驅(qū)動器作為存儲設(shè)備。這家日本芯片及電腦業(yè)巨頭本來計劃從今年四月一日起的新財年上半年開始生產(chǎn)1.8英寸硬盤，用于超輕便筆記本電腦和像蘋果iPod等數(shù)字音樂播放器。但現(xiàn)在廠商們發(fā)現(xiàn)閃存驅(qū)動器更輕便和更高速——雖然成本也更高——足可以取代啟動時間較長的硬盤。 “我們希望看清楚廠商是否更偏愛閃存，還是繼續(xù)堅持使用硬盤，”富士通發(fā)言人Masao Sakamoto說。在和希捷及西部數(shù)據(jù)這些行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者競爭中，2.5英
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IDC：存儲虛擬化技術(shù)仍處于發(fā)展初期

作為一種幫助企業(yè)用戶降低IT成本、提高競爭力的技術(shù)，虛擬化在存儲和服務(wù)器領(lǐng)域都得到了長足發(fā)展。本周出現(xiàn)了大量關(guān)于虛擬化的評論，起因于開源虛擬化軟件Xen支持iSCSI磁盤陣列和Sanbolic力挺微軟虛擬服務(wù)器，這展示了虛擬化市場的勃勃生機。虛擬化產(chǎn)品VMware、Virtual Iron和Xen在最近幾年更是得到了飛速發(fā)展。近期，思科收購了私人公司NeoPath來整合其虛擬化產(chǎn)品，NeoPath是一家提供高性能、高靈活性文件存儲器管理解決方案的領(lǐng)袖級廠商。位于加利福尼亞的Ubicom公司的首
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4月DRAM合約價格繼續(xù)下滑已突破生產(chǎn)商成本

　　4月11日消息，據(jù)臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內(nèi)存價格繼續(xù)下滑，而且已經(jīng)降到了多數(shù)制造商的生產(chǎn)成本以下。　　據(jù)IDG新聞社報道，運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內(nèi)存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7%，每芯片價格已經(jīng)降至2.50美元。　　大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來
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針對企業(yè)及臺式硬盤驅(qū)動器的放大器芯片

TrueStore PA7800的運行速度可達2.5Gb/s，同時在寫入模式下比上一代芯片可節(jié)省30％的電流。PA7800的數(shù)據(jù)率更強，數(shù)據(jù)容量更高，且兼容新一代TMR讀取頭，并降低了功耗，從而實現(xiàn)了更高的處理能力。 PA7800具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先性能的關(guān)鍵在于該芯片的寫入器上升時間。它能測量前置放大器將電流轉(zhuǎn)換到讀取HHD盤或存儲媒介數(shù)據(jù)的寫入器讀取頭的速度。PA7800寫入器的上升時間比杰爾的前一代前置放大器產(chǎn)品提高了將近30％。
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基于FPGA的簡易可存儲示波器設(shè)計

摘要：　本文介紹了一種基于FPGA的采樣速度60Mbit/s的雙通道簡易數(shù)字示波器設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)量程和采樣頻率的自動調(diào)整、數(shù)據(jù)緩存、顯示以及與計算機之間的數(shù)據(jù)傳輸。關(guān)鍵詞：數(shù)據(jù)采集；數(shù)字示波器；FPGA 引言　　傳統(tǒng)的示波器雖然功能齊全，但是體積大、重量重、成本高、等一系列問題使應(yīng)用受到了限制。有鑒于此，便攜式數(shù)字存儲采集器就應(yīng)運而生，它采用了LCD顯示、高速A/D采集與轉(zhuǎn)換、ASIC芯片等新技術(shù)，具有很強的實用性和巨大的市場潛力，也代表了當(dāng)代電子測量儀器的一種發(fā)展趨勢，即向功能多、體積小、重量輕、
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揚長補短發(fā)展FeRAM

　　存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。　　易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
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亞洲市場成為Ramtron 2008年前最大目標(biāo)設(shè)計市場

　　非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前發(fā)布其亞太區(qū)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)擴展戰(zhàn)略以及持續(xù)發(fā)展的最新部署，同時推出首款4Mb非易失性FRAM 存儲器FM22L16，成為推動該公司在區(qū)內(nèi)繼續(xù)增長的主要元素。　　FRAM 技術(shù)的核心是將微小的鐵電晶體集成進電容內(nèi)，使到FRAM產(chǎn)品能夠象快速的非易失性RAM那樣工作。通過施加電場，鐵電晶體的電極化在兩個穩(wěn)定狀態(tài)之間變換。內(nèi)部電路將這種電極化的方向感知為高或低的邏輯狀態(tài)。每
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印度半導(dǎo)體離中國還很遠

29年前,美國愛達荷州,三個年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個名叫DRAM的芯片設(shè)計生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達52.6億美金的半導(dǎo)體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的封裝測試廠,總投資2.5億美金。美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項目啟動典禮間隙,接受了本報記者專訪。這位年輕的CEO是個典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機,喜歡在空中做俯沖動作。
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TI攜手Ramtron合作將FRAM技術(shù)提升至130nm工藝

　　德州儀器公司和Ramtron InternaTIonal Corporation 宣布：在 FRAM 技術(shù)發(fā)展中的創(chuàng)新里程碑，針對 FRAM 存儲器達成了商用制造協(xié)議。該協(xié)議許可 Ramtron 的 FRAM 存儲器產(chǎn)品在 TI 先進的 130 納米 (nm) FRAM 制造工藝中生產(chǎn)包括 Ramtron
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Ramtron推出首個4兆位非易失性FRAM存儲器

　　Ramtron International Corporation宣布推出半導(dǎo)體業(yè)界首個4兆位 (Mb) FRAM存儲器，這是目前最高容量的FRAM產(chǎn)品，其容量是原有最大FRAM存儲器容量的四倍。FM22L16是采用44腳薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)和低功耗等特點。FM22L16與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控
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美光奇夢達趕在三星前推出DDR3內(nèi)存

內(nèi)存生產(chǎn)商奇夢達和美光先于三星電子，推出了DDR3 DRAM內(nèi)存的樣品。該公司的營銷副總裁簡尼-馬凱（Jenn Markey）稱，長期以來市場一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會顯著增加的DDR3的出現(xiàn)，只是奇怪美光和奇夢達能在DRAM市場傳統(tǒng)領(lǐng)先者三星之前推出。　　DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率可達到1600Mb/s（1600兆位/秒），電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特，這可降低能耗和延長移動設(shè)備的電池壽命。美光內(nèi)存部門高級營銷主管比
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惠瑞捷增加并行機制以縮減存儲器測試開發(fā)時間

　　惠瑞捷半導(dǎo)體科技宣布將可編程接口矩陣應(yīng)用于Verigy V5000e 工程工作站，以幫助存儲器制造商在應(yīng)用V5000e進行工程，測試開發(fā)和調(diào)試時獲得并行測試能力。憑借該矩陣，V5000e 可以并行測試12顆芯片（DUT），減少產(chǎn)線上的操作人員的時間，同時大幅度提高了總產(chǎn)能。此矩陣還將V5000e的引腳數(shù)量從128提高到768個測試器資源引腳，從而能夠測量具有更高引腳數(shù)量的多種類型存儲器芯片，包括NOR、NAND、DRAM、SRAM以及 MCP。　　由于產(chǎn)品壽命
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美光科技公司在中國啟動新制造工廠

2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠，它將主要負責(zé)生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝測試。　　為此，美光公司舉行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預(yù)計將于2008年底全部建成，總投資將達到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠，其第一家封裝測試工廠于1998年在新
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串行存儲器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應(yīng)用

1 概述行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。其中，事故疑點數(shù)據(jù)是記錄儀以不大于0．2s的時間間隔持續(xù)記錄并存儲停車前20 s實時時間所對應(yīng)的車輛行駛速度及車輛制動狀態(tài)信號，記錄次數(shù)至少為1O次：行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)是無論車輛在行駛狀態(tài)還是停止?fàn)顟B(tài)，記錄儀提供的與實時時間對應(yīng)的車輛行駛速度信息。記錄儀應(yīng)能以不大于1 min的時間間隔持續(xù)記錄并存儲車輛在最近360 h內(nèi)的行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)，該行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)主要是車輛在行駛過程中與實時時間相對應(yīng)的每分鐘間隔內(nèi)的平均行駛速度值[1]。該記錄儀需要采用大容量
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]