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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲(chǔ)器

DDR SDRAM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 引言 很多嵌入式系統(tǒng),特別是應(yīng)用于圖像處理與高速數(shù)據(jù)采集等場(chǎng)合的嵌入式系統(tǒng),都需要高速緩存大量的數(shù)據(jù)。ddr(double data rate,雙數(shù)據(jù)速率)sdram由于其速度快、容量大,而且價(jià)格便宜,因此能夠很好地滿足上述場(chǎng)合對(duì)大量數(shù)據(jù)緩存的需求。但ddr sdram的接口不能直接與現(xiàn)今的微處理器和dsp的存儲(chǔ)器接口相連,需要在其間插入控制器實(shí)現(xiàn)微處理器或dsp對(duì)存儲(chǔ)器的控制。 隨著密度與性能的不斷提升,現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(fpga)已被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)中。而且,現(xiàn)在很多的fp
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uClinux下SDRAM數(shù)據(jù)交換區(qū)的生成和使用

  • 引言 數(shù)據(jù)交換區(qū)就是指程序執(zhí)行中使用到的各種數(shù)據(jù)所存放的內(nèi)存空間。本文提出了在uclinux操作統(tǒng)下為嵌入式工業(yè)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器開辟數(shù)據(jù)交換區(qū)的思想和解決方案。嵌入式工業(yè)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器項(xiàng)目的開發(fā)目的是構(gòu)建一個(gè)以client/server模式工作的工業(yè)遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng),其前端是一個(gè)嵌入式服務(wù)器,它安裝在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng),可以與三菱plc組成的控制系統(tǒng)接口,對(duì)該系統(tǒng)實(shí)施實(shí)時(shí)監(jiān)控。其中數(shù)據(jù)交換區(qū)部分起到承上啟下的樞紐作用,向上負(fù)責(zé)對(duì)客戶端交互現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備數(shù)據(jù),向下負(fù)責(zé)與接口緩沖區(qū)交互設(shè)備實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。系統(tǒng)以freescale公司
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雙口RAM CY7C026在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 引言 由工業(yè)計(jì)算機(jī)通過pci總線控制的前端數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)在工業(yè)控制領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用,一般的數(shù)據(jù)傳送系統(tǒng)在大數(shù)據(jù)量的情況下會(huì)造成數(shù)據(jù)堵塞現(xiàn)象。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中經(jīng)過多方面的比較,最后采用高數(shù)雙口ram構(gòu)成的高速數(shù)據(jù)交換接口成功地解決了此問題。 cy7c026是cypress公司生產(chǎn)的16k×16高速雙口靜態(tài)ram,存取速度小于25ns。它具有真正的雙端口,可以同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)存取,兩個(gè)端口具有獨(dú)立的控制信號(hào)線、地址線和數(shù)據(jù)線,另外通過主/從選擇可以方便地?cái)U(kuò)存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)寬度。通過芯片的信
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DSP片外高速海量SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號(hào)處理應(yīng)用場(chǎng)合,需要有高速大容量存儲(chǔ)空間的強(qiáng)力支持,來滿足系統(tǒng)對(duì)海量數(shù)據(jù)吞吐的要求,通過使用大容量同步動(dòng)態(tài)ram(sdram)來擴(kuò)展嵌入式dsp系統(tǒng)存儲(chǔ)空間的方法,選用issi公司的is42s16400高速sdram芯片,詳細(xì)論述在基于tms320c6201(簡(jiǎn)稱c6201)的數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中此設(shè)計(jì)方法的具體實(shí)現(xiàn)。 1 is42s16400芯片簡(jiǎn)介 is42s16400是issi公司推出的一種單片存儲(chǔ)容量高達(dá)64mb(即8mb)的16位字寬高速sdram芯片。
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為DDR-SDRAM度身定造高效功率管理芯片

  • 引言 ddr-sdram,即雙數(shù)據(jù)速率同步dram,簡(jiǎn)稱ddr。ddr因其更為卓越的性能 (起初的數(shù)據(jù)速率為266mbps,后來提升至400mbps,而一般sdram只有133mbps)、更低的功耗以及更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,已經(jīng)在桌面和便攜式應(yīng)用中頗為流行。最近推出的第二代ddr或稱ddr2 (jesd79-2a),數(shù)據(jù)速率從400mbps提升到了667mbps。因此與之前的sdram技術(shù)相比,ddr存儲(chǔ)器需要更加復(fù)雜和新穎的功率管理結(jié)構(gòu)。 ddr功率管理結(jié)構(gòu) 圖1所示為第一代ddr
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基于FPGA和SRAM的數(shù)控振蕩器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 1 引言 數(shù)控振蕩器是數(shù)字通訊中調(diào)制解調(diào)單元必不可少的部分,同時(shí)也是各種數(shù)字頻率合成器和數(shù)字信號(hào)發(fā)生器的核心。隨著數(shù)字通信技術(shù)的發(fā)展,對(duì)傳送數(shù)據(jù)的精度和速率要求越來越高。如何得到可數(shù)控的高精度的高頻載波信號(hào)是實(shí)現(xiàn)高速數(shù)字通信系統(tǒng)必須解決的問題,可編程邏輯器件和大容量存儲(chǔ)器的發(fā)展為這一問題的解決帶來了曙光。本文介紹如何用fpga(現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門陣列)和sram(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)實(shí)現(xiàn)高精度數(shù)控振蕩器。 2 nco概述 nco(numerical controlled oscillator)
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Catalyst新增了三個(gè)包含最寬選擇范圍的嵌入式存儲(chǔ)器系列電壓監(jiān)控器件

  •  Catalys新推出了三個(gè)系列的電壓監(jiān)控器件,它們包含業(yè)內(nèi)最寬選擇范圍的嵌入式存儲(chǔ)器。CAT130xx系列具有1-,2-,4-,8-或16-kbit Microwire串行接口的嵌入式 EEPROM。CAT140xx和CAT150xx系列則具有2-,4-,8-或16-kbit I2C和SPI串行接口的嵌入式EEPROM。   這三種新的電壓監(jiān)控器件系列產(chǎn)品為2.5V,3V,3.3V和5V系統(tǒng)提供在2.32V到4.63V之間的7個(gè)復(fù)位門限。復(fù)位輸出可以是CMOS低電平或CMO
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瑞薩科技與力晶半導(dǎo)體建立設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的合資企業(yè)

  • 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)與力晶半導(dǎo)體公司 (Powerchip Semiconductor)今天宣布,雙方已簽署協(xié)議將建立一家致力于先進(jìn)存儲(chǔ)器件設(shè)計(jì)的合資企業(yè)。 根據(jù)該協(xié)議,兩家合作公司都將為新公司提供工程設(shè)計(jì)資源。建立新型合資企業(yè)將有助于兩家公司解決其當(dāng)前面對(duì)的一些關(guān)鍵問題。 瑞薩科技存儲(chǔ)器事業(yè)部總經(jīng)理Shigeru Mori表示:“作為一家系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商,瑞薩面對(duì)不斷提供高度先進(jìn)而卓越的SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝)解
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Ovonyx與奇夢(mèng)達(dá)簽訂相變內(nèi)存技術(shù)許可協(xié)議

  • Ovonyx公司與奇夢(mèng)達(dá)股份公司(NYSE:QI)宣布,雙方就采用Ovonyx和奇夢(mèng)達(dá)的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)相關(guān)技術(shù)專利及知識(shí)產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存產(chǎn)品,簽訂長(zhǎng)期交叉許可協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議規(guī)定,Ovonyx公司將大力支持奇夢(mèng)達(dá)相變內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)項(xiàng)目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術(shù),對(duì)PCRAM的情況非常了解,包括相變內(nèi)存設(shè)備、材料、加工、設(shè)計(jì)、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術(shù)采用可逆相變
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存儲(chǔ)科技無止境 雷克沙CES 2007新品迭出

  •     2007年1月8日至11日,第40屆國(guó)際消費(fèi)電子展(CES 2007)在美國(guó)拉斯維加斯舉行,整個(gè)會(huì)期將持續(xù)4天,仍然以數(shù)字家庭以及高清視頻為主題。匯集全球通信、計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的2500余家知名企業(yè),成為今年第一個(gè)IT盛會(huì)。作為在全球享有盛譽(yù)的存儲(chǔ)卡、高性能數(shù)碼媒體及其輔助產(chǎn)品生產(chǎn)商——Lexar(雷克沙)公司也參加了本屆展會(huì),這也是雷克沙歸結(jié)美光公司旗下后2007年參加的第一次展會(huì),展示最新系列的專業(yè)存儲(chǔ)卡、閃存盤、讀卡器等產(chǎn)品,希望通過這次展會(huì),為關(guān)
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用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

  • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流,進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此,在關(guān)鍵、核心設(shè)備中,必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題   通常,采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種:由計(jì)算機(jī)通過下載電纜配置、用專用配置芯片(如Altera公司的EPCX系列芯片)配置、采用存儲(chǔ)器
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松下推出第六級(jí)速度規(guī)格的SD/SDHC記憶卡

  •   松下電子消費(fèi)品公司宣布計(jì)劃推出新款的高速SD記憶卡,速度6級(jí),記憶容量規(guī)格分別為1GB/2GB/4GB。預(yù)計(jì)于2007年2月在全球進(jìn)行這些新款記憶卡的銷售。   SD/SDHC兼容器件的質(zhì)量、產(chǎn)銷正處于上升期,這要求產(chǎn)品要有更快的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速度以及更大的儲(chǔ)存空間。為了滿足這些需求,松下即將推出新款高速SD卡,速度等級(jí)達(dá)到6級(jí)。依據(jù)SD卡協(xié)會(huì)的標(biāo)準(zhǔn),SD速度等級(jí)共有三類,6級(jí)是其中速度最快的一類。   新款的高速SD卡擁有高速的數(shù)據(jù)寫入能力,使高級(jí)SD/SDHC兼容設(shè)備可以提供更為穩(wěn)定和有效的功能
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基于C8051F320 USB接口的數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)電路

  • 摘要: 介紹采用C8051F320 SOC與AM45DB321構(gòu)成數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。關(guān)鍵詞:  數(shù)據(jù)采集;USB接口;存儲(chǔ)電路;SOC 在一些特殊的工業(yè)場(chǎng)合,有時(shí)需要將傳感器的信號(hào)不斷的實(shí)時(shí)采集和存儲(chǔ)起來,并且到一定時(shí)間再把數(shù)據(jù)回放到PC機(jī)中進(jìn)行分析和處理。在工作環(huán)境惡劣的情況下采用高性能的單片機(jī)和工業(yè)級(jí)大容量的FLASH存儲(chǔ)器的方案恐怕就是最適當(dāng)?shù)倪x擇了。CYGNAL公司的C8051F320 SOC是一種具有8051內(nèi)核的高性能單片機(jī),運(yùn)行速度為普通8051的12倍。該芯
  • 關(guān)鍵字: 0612_A  SOC  USB接口  存儲(chǔ)電路  數(shù)據(jù)采集  消費(fèi)電子  雜志_設(shè)計(jì)天地  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  

TI高性能DSP以更低成本實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器容量與I/O帶寬提高一倍

  •        日前,德州儀器宣布推出低成本、高性能 TMS320C6454 DSP,使設(shè)計(jì)人員在同等價(jià)格下獲得更高性能的 DSP 。全新 1 GHz C6454 DSP 建立在增強(qiáng)型TMS320C64x+TM DSP 內(nèi)核與 TI 最高性能 DSP 架構(gòu)基礎(chǔ)之上,針對(duì)各種基礎(chǔ)局端設(shè)備應(yīng)用,
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

  • ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存儲(chǔ)器接口,支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
  • 關(guān)鍵字: 90  ARM  DDR1  DDR2  IP  TSMC  存儲(chǔ)器  單片機(jī)  工藝  接口  納米  嵌入式系統(tǒng)  存儲(chǔ)器  
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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