存儲器文章進入存儲器技術社區(qū)

DSP片外高速海量SDRAM存儲系統(tǒng)設計

在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號處理應用場合，需要有高速大容量存儲空間的強力支持，來滿足系統(tǒng)對海量數(shù)據(jù)吞吐的要求，通過使用大容量同步動態(tài)ram（sdram）來擴展嵌入式dsp系統(tǒng)存儲空間的方法，選用issi公司的is42s16400高速sdram芯片，詳細論述在基于tms320c6201（簡稱c6201）的數(shù)字信號處理系統(tǒng)中此設計方法的具體實現(xiàn)。 1 is42s16400芯片簡介 is42s16400是issi公司推出的一種單片存儲容量高達64mb（即8mb）的16位字寬高速sdram芯片。
關鍵字：存儲器

為DDR-SDRAM度身定造高效功率管理芯片

引言 ddr-sdram，即雙數(shù)據(jù)速率同步dram，簡稱ddr。ddr因其更為卓越的性能 (起初的數(shù)據(jù)速率為266mbps，后來提升至400mbps，而一般sdram只有133mbps)、更低的功耗以及更具競爭力的價格，已經(jīng)在桌面和便攜式應用中頗為流行。最近推出的第二代ddr或稱ddr2 (jesd79-2a)，數(shù)據(jù)速率從400mbps提升到了667mbps。因此與之前的sdram技術相比，ddr存儲器需要更加復雜和新穎的功率管理結(jié)構(gòu)。 ddr功率管理結(jié)構(gòu) 圖1所示為第一代ddr
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基于FPGA和SRAM的數(shù)控振蕩器的設計與實現(xiàn)

1 引言數(shù)控振蕩器是數(shù)字通訊中調(diào)制解調(diào)單元必不可少的部分，同時也是各種數(shù)字頻率合成器和數(shù)字信號發(fā)生器的核心。隨著數(shù)字通信技術的發(fā)展，對傳送數(shù)據(jù)的精度和速率要求越來越高。如何得到可數(shù)控的高精度的高頻載波信號是實現(xiàn)高速數(shù)字通信系統(tǒng)必須解決的問題，可編程邏輯器件和大容量存儲器的發(fā)展為這一問題的解決帶來了曙光。本文介紹如何用fpga（現(xiàn)場可編程邏輯門陣列）和sram（靜態(tài)隨機存儲器）實現(xiàn)高精度數(shù)控振蕩器。 2 nco概述 nco（numerical controlled oscillator）
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Catalyst新增了三個包含最寬選擇范圍的嵌入式存儲器系列電壓監(jiān)控器件

　Catalys新推出了三個系列的電壓監(jiān)控器件，它們包含業(yè)內(nèi)最寬選擇范圍的嵌入式存儲器。CAT130xx系列具有1-，2-，4-，8-或16-kbit Microwire串行接口的嵌入式 EEPROM。CAT140xx和CAT150xx系列則具有2-，4-，8-或16-kbit I2C和SPI串行接口的嵌入式EEPROM。　　這三種新的電壓監(jiān)控器件系列產(chǎn)品為2.5V，3V，3.3V和5V系統(tǒng)提供在2.32V到4.63V之間的7個復位門限。復位輸出可以是CMOS低電平或CMO
關鍵字： Catalyst 測量測試電壓監(jiān)控器件電源技術模擬技術嵌入式存儲器系列存儲器

瑞薩科技與力晶半導體建立設計存儲器產(chǎn)品的合資企業(yè)

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）與力晶半導體公司 (Powerchip Semiconductor)今天宣布，雙方已簽署協(xié)議將建立一家致力于先進存儲器件設計的合資企業(yè)。根據(jù)該協(xié)議，兩家合作公司都將為新公司提供工程設計資源。建立新型合資企業(yè)將有助于兩家公司解決其當前面對的一些關鍵問題。瑞薩科技存儲器事業(yè)部總經(jīng)理Shigeru Mori表示：“作為一家系統(tǒng)解決方案供應商，瑞薩面對不斷提供高度先進而卓越的SiP（系統(tǒng)級封裝）解
關鍵字：單片機合資企業(yè) 力晶半導體嵌入式系統(tǒng) 瑞薩科技設計存儲器產(chǎn)品存儲器

Ovonyx與奇夢達簽訂相變內(nèi)存技術許可協(xié)議

Ovonyx公司與奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢達的相變隨機存取存儲器（PCRAM）相關技術專利及知識產(chǎn)權的內(nèi)存產(chǎn)品，簽訂長期交叉許可協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議規(guī)定，Ovonyx公司將大力支持奇夢達相變內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)項目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術，對PCRAM的情況非常了解，包括相變內(nèi)存設備、材料、加工、設計、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術采用可逆相變
關鍵字： Ovonyx 單片機奇夢達嵌入式系統(tǒng) 相變內(nèi)存技術許可協(xié)議存儲器

存儲科技無止境雷克沙CES 2007新品迭出

2007年1月8日至11日，第40屆國際消費電子展（CES 2007）在美國拉斯維加斯舉行，整個會期將持續(xù)4天，仍然以數(shù)字家庭以及高清視頻為主題。匯集全球通信、計算機和消費電子產(chǎn)品的2500余家知名企業(yè)，成為今年第一個IT盛會。作為在全球享有盛譽的存儲卡、高性能數(shù)碼媒體及其輔助產(chǎn)品生產(chǎn)商——Lexar（雷克沙）公司也參加了本屆展會，這也是雷克沙歸結(jié)美光公司旗下后2007年參加的第一次展會，展示最新系列的專業(yè)存儲卡、閃存盤、讀卡器等產(chǎn)品，希望通過這次展會，為關
關鍵字：存儲國際消費電子展雷克沙存儲器消費電子

用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應用

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆設計。因此，在關鍵、核心設備中，必須采用加密技術保護設計者的知識產(chǎn)權。 1　基于SRAM工藝FPGA的保密性問題　　通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲器
關鍵字： FPGA SRAM 單片機加密嵌入式系統(tǒng) 存儲器

松下推出第六級速度規(guī)格的SD/SDHC記憶卡

　　松下電子消費品公司宣布計劃推出新款的高速SD記憶卡，速度6級，記憶容量規(guī)格分別為1GB/2GB/4GB。預計于2007年2月在全球進行這些新款記憶卡的銷售。　　SD/SDHC兼容器件的質(zhì)量、產(chǎn)銷正處于上升期，這要求產(chǎn)品要有更快的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速度以及更大的儲存空間。為了滿足這些需求，松下即將推出新款高速SD卡，速度等級達到6級。依據(jù)SD卡協(xié)會的標準，SD速度等級共有三類，6級是其中速度最快的一類。　　新款的高速SD卡擁有高速的數(shù)據(jù)寫入能力，使高級SD/SDHC兼容設備可以提供更為穩(wěn)定和有效的功能
關鍵字： SD/SDHC 第六級速度規(guī)格記憶卡松下消費電子存儲器音視頻技術

基于C8051F320 USB接口的數(shù)據(jù)采集存儲電路

摘要：介紹采用C8051F320 SOC與AM45DB321構(gòu)成數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)的設計方案。關鍵詞：數(shù)據(jù)采集；USB接口；存儲電路；SOC 在一些特殊的工業(yè)場合，有時需要將傳感器的信號不斷的實時采集和存儲起來，并且到一定時間再把數(shù)據(jù)回放到PC機中進行分析和處理。在工作環(huán)境惡劣的情況下采用高性能的單片機和工業(yè)級大容量的FLASH存儲器的方案恐怕就是最適當?shù)倪x擇了。CYGNAL公司的C8051F320 SOC是一種具有8051內(nèi)核的高性能單片機，運行速度為普通8051的12倍。該芯
關鍵字： 0612_A SOC USB接口存儲電路數(shù)據(jù)采集消費電子雜志_設計天地存儲器消費電子

TI高性能DSP以更低成本實現(xiàn)存儲器容量與I/O帶寬提高一倍

日前，德州儀器宣布推出低成本、高性能 TMS320C6454 DSP，使設計人員在同等價格下獲得更高性能的 DSP 。全新 1 GHz C6454 DSP 建立在增強型TMS320C64x+TM DSP 內(nèi)核與 TI 最高性能 DSP 架構(gòu)基礎之上，針對各種基礎局端設備應用，
關鍵字： DSP I/O帶寬 TI 存儲器容量單片機嵌入式系統(tǒng) 存儲器

ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP

ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的9
關鍵字： 90 ARM DDR1 DDR2 IP TSMC 存儲器單片機工藝接口納米嵌入式系統(tǒng) 存儲器

從嵌入式應用看存儲器的技術發(fā)展趨勢

針對嵌入式應用　看市面存儲器的技術發(fā)展趨勢存儲器是整個嵌入式系統(tǒng)中最重要的一個媒體，不但肩負有指令緩沖的責任，也同時兼具儲存、管理、甚至是加速等作用，依照存儲器種類的區(qū)分，利用不同的設計與實作方式，來決定其不同的使用目的?！≡诩铀儋Y料處理方面，從大家耳熟能詳?shù)腟RAM、1T-SRAM到PSRAM、eDRAM等，分別都使用了不同的技術來達到符合特定應用的目的，而為了SoC/SiP的儲存需求，內(nèi)嵌快閃存儲器也成了降低設計成本、降低體積的絕妙方式?！隼?/li>
關鍵字： 06回顧存儲器嵌入式存儲器

Ramtron推出汽車級16Kb SPI接口FRAM器件

Ramtron推出汽車級16Kb SPI 接口FRAM 器件FM25C160 滿足汽車電子AEC-Q100標準認證此款產(chǎn)品豐富了適用于嚴苛汽車環(huán)境的汽車級產(chǎn)品陣容 Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存儲器件FM25C160已經(jīng)獲得AEC-Q100標準認證 (汽車電子設備委員會針對集成電路而設的測試標準)。FM25C160是第三款達到AEC-Q100標準認證的FRAM器件，
關鍵字： 16Kb FM25C160 FRAM Ramtron SPI 接口汽車電子汽車級器件存儲器汽車電子

IBM、旺宏和奇夢達共同推出新型存儲芯片技術

尺寸非常小的新型“相變”內(nèi)存速度遠遠快于閃存來自IBM、旺宏和奇夢達的科學家今天聯(lián)合發(fā)布他們的共同研究成果，這種新型計算機存儲器技術將有望取代已被廣泛用于計算機和消費類電子產(chǎn)品（如數(shù)碼相機和便攜式音樂播放器）的閃存芯片。新研究成果預示“相變”內(nèi)存的前景一片光明，該內(nèi)存的處理速度遠遠快于閃存，并且尺寸也比閃存小得多，從而使未來高密度“非易失性”存儲器以及功能更強大的電子設備的出現(xiàn)成為可能。非易失性存儲器無需利用電力來保存信息。通過將非易失性與優(yōu)異性能以及可靠性完美結(jié)合起來，相變技術還為面向移
關鍵字： IBM 單片機奇夢達嵌入式系統(tǒng) 旺宏新型存儲芯片存儲器

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]