存儲器文章進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)

因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位

iSuppli表示， DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個月來最低水準(zhǔn)，因開學(xué)季帶動個人電腦銷售增長?！?nbsp; 　　這家美國研究機(jī)構(gòu)預(yù)期本月庫存量將持續(xù)下降，并在報告中調(diào)升短期DRAM市況評等，由原先的“中性”升至“正向”?！　?nbsp; 　　iSuppli在9月5日發(fā)表的報告中指出，8月初時，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準(zhǔn)下降18%，因新學(xué)年開始前，PC銷售大幅增加?！?nbsp; 　　由于微處理器
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三星發(fā)布“世界最小”的DDR 2內(nèi)存芯片

韓國三星電子正式發(fā)布了“世界上最小的”DDR2 DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)品，當(dāng)然之所以被稱為最小的，不是因為其外觀，而是芯片的制造工藝。　　三星表示，該DDR2產(chǎn)品容量為1G，使用80納米技術(shù)，在制造工藝方面僅僅為目前最小的DRAM內(nèi)存芯片的一半。據(jù)悉，目前的DDR 2內(nèi)存芯片主要用于個人電腦平臺，比起常規(guī)的DRAM內(nèi)存，在速度和發(fā)熱量表現(xiàn)方面均得到了大幅度提升。　　與此同時，80納米技術(shù)的使
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Microchip擴(kuò)展CAN PIC®單片機(jī)之存儲容量

采用28或44引腳封裝的PIC18F4685系列CAN單片機(jī)，其閃存容量擴(kuò)展至96 KB，以滿足汽車及工業(yè)應(yīng)用需求 Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布，推出四款全新的PIC18F4685系列器件。這些器件是高性能、低功耗8位控制器局域網(wǎng)（CAN）單片機(jī)，配備80 KB或96 KB閃存，同時集成了EEPROM，能夠滿足日趨復(fù)雜的CAN應(yīng)用需求。新器件擁有專用于CAN連接的片上ECAN模塊，并且刷新了PIC18單片
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東芝「超高速系列」「高速系列ＳＤ上市

－　對應(yīng)ＳＤ傳輸速率級別“Class 6”、“Class 4”－　　東芝從今年10月起,又將在全球銷售推出SD存儲卡的新產(chǎn)品，即數(shù)據(jù)傳輸速率相當(dāng)于以往產(chǎn)品2倍、最高達(dá)到20MB/秒的“超高速系列”以及最高達(dá)到5MB/秒的“高速系列”。　　　兩種系列分別對應(yīng)于SD存儲卡的性能「ＳＤ傳輸速率級別」中的“Class 6”、“Class 4”，而對應(yīng)于“Class 6”的產(chǎn)品又是行業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。在卡的本體以及包裝上都標(biāo)有對應(yīng)的級別，建議您選擇購買符合推薦級別的數(shù)字產(chǎn)品。　　新系列產(chǎn)品中，都擁有容量分別為
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存儲器的兼容性設(shè)計

介紹了借助存儲器芯片引腳之間的相似性和采用跳線方式實現(xiàn)存儲器系統(tǒng)兼容性的設(shè)計方法。
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1000GB臺式機(jī)硬盤有望于今年上市

據(jù)海外媒體最新報道，日立全球存儲技術(shù)部產(chǎn)品戰(zhàn)略和行銷高級副總裁Bill Healy日前表示，容量為1000GB的臺式機(jī)硬盤年內(nèi)很有可能上市。據(jù)了解，這些硬盤直徑為3.5英寸，可用于個人電腦以及家用服務(wù)器。　　盡管如此，這對于部分硬盤生產(chǎn)商而言并不算什么重大新聞。目前，日立已經(jīng)開始銷售容量為500GB的硬盤產(chǎn)品，競爭對手希捷科技750GB硬盤產(chǎn)品也已經(jīng)于今年4月份向臺式機(jī)生產(chǎn)商供貨。與此同時，希捷還銷
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市場需求旺盛內(nèi)存廠商庫存水平急劇下降

根據(jù)業(yè)界消息，由于個人電腦OEM市場的需求高歌猛進(jìn)，內(nèi)存廠商目前的庫存時間已經(jīng)降低到了7天，比之前的10到14天要低的多。　　自從7月的中下旬開始，內(nèi)存的合同價格就開始上漲，同時內(nèi)存市場上的供應(yīng)吃緊的局面依然繼續(xù)。最近專業(yè)的內(nèi)存網(wǎng)站DRAMeXchange表示，內(nèi)存供貨吃緊這一狀況將一直持續(xù)到9月。　　此外，這一業(yè)界消息還預(yù)期在第四季度，市場需求將依然旺盛，其原因是個人電腦OEM廠商為了迎接即將發(fā)售的微軟的下一代操作系統(tǒng)Windo
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NAND閃存領(lǐng)跑存儲器

iPod Nana攪局美國蘋果公司的iPod MP3攪動了全球半導(dǎo)體業(yè)，采用NAND閃存的MP3成了2005年全球半導(dǎo)體業(yè)的最大亮點(diǎn)。按數(shù)量分析，道理似乎并不充分，2005年蘋果公司銷售MP3計共3200萬臺，累計才4200萬臺。按每臺300美元計，至多100多億美元的銷售額，其中消費(fèi)的NAND閃存才幾十億美元。據(jù)IC Insight報導(dǎo)，2005年NAND閃存增加64%，達(dá)106億美元，而NOR閃存則降13%，為80億美元?？傆?，全球閃存在2005年增加19%達(dá)186億
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富士通攜手東京工業(yè)大學(xué)開發(fā)256M FeRAM

富士通微電子（上海）有限公司日前宣布，東京工業(yè)大學(xué)（Tokyo-Tech）、富士通實驗室(Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已經(jīng)聯(lián)合開發(fā)出一種用于新一代非易失鐵電隨機(jī)存儲器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)的新型材料。這種鉍、鐵、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO
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Ramtron舉辦VRS51L3074設(shè)計大賽

VRS51L3074開發(fā)套件工具將于限定參賽時間內(nèi)提供折扣優(yōu)惠Ramtron公司宣布：在全球范圍內(nèi)舉辦VRS51L3074設(shè)計大賽，向工程師推薦首款嵌入非易失性鐵電存儲器FRAM的8051系列微控制器。Ramtron將FRAM加入于其高速Versa 8051系列產(chǎn)品中，以實現(xiàn)設(shè)計高速、高可靠性的非易失性數(shù)據(jù)存儲和處理系統(tǒng)，而該系統(tǒng)只有嵌入了FRAM的增強(qiáng)型微控制器才能提供。 Ramtron營銷及市場部副總裁 Michael Hollabaugh稱：“VRS51L3074的突破
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全球內(nèi)存芯片二季銷售增長14%

據(jù)外電報道，市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli日前發(fā)表報告稱，計算機(jī)內(nèi)存芯片第二季度的銷售好于預(yù)期，增長率達(dá)14.3%。隨著學(xué)生返校以及年底銷售旺季的到來，預(yù)計，這種旺盛的銷售增長會一直持續(xù)到年底。 Isuppli還在報告中指出，DRAM芯片第二季度的銷售額達(dá)到了75億美元，相比之下，第一季度其銷售額為66億美元。Isuppli先前曾預(yù)期DRAM芯
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華高科技推出2.5英寸IDE電子硬盤

　　　　2.5 IDE Flash Disk 　　完全符合標(biāo)準(zhǔn)ATA接口　　兼容IDE 傳輸接口　　無噪音, 沒有Seek Error　　容量 : 32MB to8GB　　具有自動糾錯、重寫功能　　低耗電量　　　　Model I-type　　連接類型 44Pin IDE　　封裝形式 Horizontal 　　高度 100.0 mm 　　寬度 69.9 mm　　厚度 7.5 mm　　容量 32MB-8GB　　扇區(qū)尺寸 512 Bytes　　持續(xù)讀寫數(shù)率 Read : 10206KB/Sec, Write :
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SSD取代硬盤趨勢凸現(xiàn) 2010年將成“拐點(diǎn)”

據(jù)市場調(diào)研公司In-Stat的報告，近期內(nèi)，隨著基于閃存的固態(tài)磁盤(SSD)整裝待發(fā)，硬盤(HDD)在移動電腦海量存儲市場中的“正統(tǒng)地位”可能面臨挑戰(zhàn)。實際上，SSD有在10年內(nèi)取代HDD、成為筆記本電腦主要存儲手段的潛力。In-Stat認(rèn)為，SSD在移動電腦市場中的份額在2013年可能上升到50%。之前，三星已推出嵌入32G NAND閃存的固態(tài)磁盤(SSD)PC產(chǎn)品，從而揭開閃存替換硬盤序幕。
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Freescale搶攻MRAM新技術(shù) 何時出擊大規(guī)模商用？

日前，F(xiàn)reescale Semiconductor公司宣布推出基于磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)的首款商用芯片。雖然離大規(guī)模采用還有不少障礙，但iSuppli公司相信這將在很大程度上推進(jìn)MRAM技術(shù)的發(fā)展。 Freescale表示，其新款4Mb密度MRAM器件結(jié)合了目前多種存儲器技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。MRAM使用磁極化來存儲數(shù)據(jù)，磁阻的改變代表著二進(jìn)制狀態(tài)的變化，而不是指定的電荷水平。這與其他主流存儲技術(shù)不同，比如SRAM、DRAM和閃存。 Freescale宣稱其新器件平衡了讀寫
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ARM發(fā)布下一代DDR存儲解決方案

ARM [(LSE:ARM); (Nasdaq:ARMHY)]公司今天宣布擴(kuò)展了其Artisan®物理IP系列產(chǎn)品中的Velocity™ DDR存儲接口產(chǎn)品，以支持眾多特定應(yīng)用對SDRAM的要求。擴(kuò)展后的ARM® Velocity DDR產(chǎn)品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3 SDRAM的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)相兼容，并支持領(lǐng)先代工廠的130納米、110納米、90納米和65納米的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。&
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]