存儲(chǔ)器文章最新資訊

韓國(guó)開發(fā)變阻存儲(chǔ)器元件原創(chuàng)技術(shù)

韓國(guó)產(chǎn)業(yè)資源部近日宣布，韓國(guó)光州科學(xué)技術(shù)院教授黃賢尚領(lǐng)導(dǎo)的科研小組成功開發(fā)出了變阻存儲(chǔ)器（ＲｅＲＡＭ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ?。遥幔睿洌铮怼。粒悖悖澹螅蟆。停澹恚铮颍┰暮诵脑瓌?chuàng)技術(shù)，這一技術(shù)足以克服新一代存儲(chǔ)器閃存芯片的缺陷。　　據(jù)介紹，迄今為止，閃存芯片存在的最大缺陷是信息存儲(chǔ)和刷新的時(shí)間長(zhǎng)，存儲(chǔ)容量難以達(dá)到３２千兆位（Ｇｂ）以上。　　專家介紹說(shuō)，黃賢尚科研小組開發(fā)出的“單結(jié)晶鍶鈦氧化物（ＳｒＴｉ０３）”和使這種氧化物保持原有特性的表面
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英特爾意法公布存儲(chǔ)器子系統(tǒng)規(guī)范

意法半導(dǎo)體與英特爾公司近日公布了一個(gè)公用存儲(chǔ)器子系統(tǒng)規(guī)范，以幫助手機(jī)OEM制造商降低產(chǎn)品開發(fā)成本，以最快的時(shí)間將功能豐富的產(chǎn)品投放市場(chǎng)。為了簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，兩家公司將提供基于公用標(biāo)準(zhǔn)的軟硬件兼容的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。因此，手機(jī)制造商的開發(fā)時(shí)間將會(huì)縮短，制造成本應(yīng)將會(huì)降低，并能夠以低廉的成本快速過(guò)渡到兩家公司開發(fā)的下一代NOR閃存產(chǎn)品。 NOR閃存是大眾主流手機(jī)市場(chǎng)首選的存儲(chǔ)器技術(shù)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli資料顯示，NOR閃存出貨占手機(jī)嵌入式閃存出貨的92.8%。今天，英特爾和ST提供的NOR閃
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英飛凌日立推出高性能硬盤驅(qū)動(dòng)器

英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款先進(jìn)的硬盤驅(qū)動(dòng)器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)有限公司共同開發(fā)，是適用于下一代硬盤驅(qū)動(dòng)器的高集成控制器芯片開發(fā)過(guò)程中的一個(gè)里程碑。 “第一種采用90納米工藝技術(shù)的讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品的開發(fā)，使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產(chǎn)品，以滿足硬盤驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的需求，”英飛凌管理董事會(huì)成員兼汽車與工業(yè)電子事業(yè)部負(fù)責(zé)人Peter Bauer指出，“我們對(duì)市場(chǎng)的承諾和立足點(diǎn)基于廣泛的專利組合（IP
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英飛凌日立開發(fā)90納米硬盤驅(qū)動(dòng)器

英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進(jìn)的硬盤驅(qū)動(dòng)器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)有限公司共同開發(fā)，是適用于下一代硬盤驅(qū)動(dòng)器的高集成控制器芯片開發(fā)過(guò)程中的一個(gè)里程碑。英飛凌副總裁兼專用集成電路和設(shè)計(jì)解決方案事業(yè)部（ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說(shuō)：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核，使硬盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求
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英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO非板上釘釘

德國(guó)芯片廠商英飛凌總裁和首席執(zhí)行官日前在接受德國(guó)媒體采訪時(shí)表示，英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)分拆上市還不是板上釘釘?shù)氖虑?。由于還有一些問(wèn)題，公司并未作出正式?jīng)Q定。此外，英飛凌也還有別的選擇。　　英飛凌首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart日前在接受德國(guó)報(bào)紙《Suddeutschen Zeitung》時(shí)表示，到目前為止，雖然還沒有決定，但將內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO似乎是最有吸引力的方案。　　Ziebart說(shuō)，在內(nèi)存業(yè)務(wù)上和其他公司合作還是有可
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瑞薩開始接受DDR SDRAM產(chǎn)品訂貨

高速存儲(chǔ)器有助于實(shí)現(xiàn)小型、高速和高性能的產(chǎn)品開發(fā)解決方案瑞薩科技公司近日開始接受封裝在SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）內(nèi)、集成了DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM）高速存儲(chǔ)器芯片的產(chǎn)品訂貨。該產(chǎn)品是在一個(gè)單封裝中整合了瑞薩科技的高性能微處理器和邏輯LSI芯片的多存儲(chǔ)器器件。 <產(chǎn)品背景> 隨著包括圖形設(shè)備、車載信息系統(tǒng)和數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品等各個(gè)領(lǐng)域的快速發(fā)展和功能日益強(qiáng)大，減小芯片尺寸成為了一個(gè)迫切的要求。對(duì)這種需求的一種反應(yīng)就是迅速增加SiP產(chǎn)品的應(yīng)用，因?yàn)樗梢詫⑷舾晌⑻幚砥?/li>
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英飛凌DRAM分拆上市專注邏輯業(yè)務(wù)

英飛凌證實(shí)，它將在2006年7月以前把存儲(chǔ)業(yè)務(wù)分拆出來(lái)(spin out)，然后把這項(xiàng)業(yè)務(wù)上市(IPO)。該公司將把重點(diǎn)放在邏輯部門，繼續(xù)面向汽車、工業(yè)電子和通訊領(lǐng)域。英飛凌把這些舉措稱為“戰(zhàn)略調(diào)整(strategic realignment)”，稱計(jì)劃把這兩個(gè)部門拆開，是因?yàn)樗鼈儭鞍l(fā)展方向不同”。　　“采取這項(xiàng)措施有兩個(gè)主要原因。一是內(nèi)存和邏輯產(chǎn)品的工藝與商業(yè)模式沿著不同的方向發(fā)展。二是我們可以改善這兩個(gè)部門的增長(zhǎng)情況
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三星簽約高通供應(yīng)非存儲(chǔ)類芯片

三星電子公司近日宣布，根據(jù)雙方達(dá)成的一項(xiàng)合作協(xié)議，該公司將向美國(guó)無(wú)線技術(shù)開發(fā)兼手機(jī)制造商高通公司提供定制的非存儲(chǔ)芯片。　　三星公司是應(yīng)用于個(gè)人電腦的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體）芯片及應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)和音樂播放器的NAND閃存的領(lǐng)先生產(chǎn)廠商。該公司希望擴(kuò)大在非存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上所占的份額。　　位于美國(guó)圣地亞哥的高通公司是CDMA（碼分多址）技術(shù)的無(wú)線技術(shù)的先驅(qū)，它希望擴(kuò)大它的芯片供應(yīng)來(lái)源。　　“我們和三星簽署的代工協(xié)議將為
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英飛凌成立子公司獨(dú)立內(nèi)存部門

德國(guó)Infineon Technologies AG當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日，召開了公司的董事會(huì)，會(huì)后公司承認(rèn)了事業(yè)的重組計(jì)劃。　　根據(jù)新的重組計(jì)劃，公司決定將邏輯核心制造部門與內(nèi)存芯片制造部門分開。按照要求記憶體制造部門將在2006年7月1日前作為一個(gè)獨(dú)立的法人個(gè)體與公司分開，成立為單獨(dú)的子公司。　　公司表示，分離的理由是因?yàn)閮刹块T在商業(yè)處理和收益構(gòu)造方面有著不同的方向，分離后不論是增長(zhǎng)力還是公司收益都會(huì)提高。目前有關(guān)
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能平衡串聯(lián)電容電荷的存儲(chǔ)器終結(jié)IC

作為目前最有趣的元件家族之一，高值電容器提供的額定范圍是十分之幾法拉至數(shù)十法拉，但是工作電壓較低。
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LSI推出Engenio存儲(chǔ)解決方案

Engenio 6498控制器與Engenio 6498存儲(chǔ)系統(tǒng) 以Engenio InfiniBand存儲(chǔ)系統(tǒng)領(lǐng)先存儲(chǔ)領(lǐng)域 ?新的本地InfiniBand存儲(chǔ)解決方案為高性能運(yùn)算環(huán)境帶來(lái)益處 LSI邏輯近日宣布推出Engenio存儲(chǔ)解決方案家族的最新成員：Engenio 6498控制器與Engenio 6498存儲(chǔ)系統(tǒng)。這些解決方案集成了本地InfiniBand和第六代Engenio XBB ?架構(gòu)，高性能的光纖通道或者大容量SATA
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NEC與美商聯(lián)手進(jìn)入硬盤芯片市場(chǎng)

NEC 電子與Link A Media Devices公司建立伙伴關(guān)系，為下一代垂直記錄硬盤開發(fā)系統(tǒng)芯片(SoC)。第一款產(chǎn)品將于明年夏天上市。NEC表示，已向美國(guó)加州Link A Media投資800萬(wàn)美元，成為持股16.7%的股東。這將使NEC重新進(jìn)入硬盤芯片市場(chǎng)。　　雙方表示，他們將把Link A Media公司的讀取信道(read channel)、錯(cuò)誤校驗(yàn)
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杰爾系統(tǒng)在華設(shè)立存儲(chǔ)研發(fā)中心

全力推進(jìn)硬盤驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì) 杰爾系統(tǒng)（紐約股市：AGR）近日宣布在中國(guó)上海正式成立存儲(chǔ)研發(fā)設(shè)計(jì)中心。該中心的成立旨在加強(qiáng)杰爾系統(tǒng)在亞洲的半導(dǎo)體研發(fā)和設(shè)計(jì)能力，同時(shí)也為拓展和加強(qiáng)與本地客戶的合作關(guān)系提供支持。 Harley Burger先生將出任上海存儲(chǔ)研發(fā)設(shè)計(jì)中心的總監(jiān)職務(wù)，整個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)將在Harley Burger先生的帶領(lǐng)下致力于硬盤驅(qū)動(dòng)器芯片和固件的研發(fā)工作。目前，硬盤驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于臺(tái)式電腦、筆記本電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及企業(yè)網(wǎng)絡(luò)。杰爾系統(tǒng)大中國(guó)區(qū)副總裁John
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端接DDR DRAM的電源電路

DDR（雙數(shù)據(jù)速率）DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲(chǔ)系統(tǒng)中。存儲(chǔ)器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓（VREF＝VDD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時(shí)，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲(chǔ)器系統(tǒng)提供終端電壓，并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個(gè)降壓控制器和2個(gè)線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
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緊湊型ASSP成就硬盤MP3播放機(jī)的電源設(shè)計(jì)

MP3 播放機(jī)的產(chǎn)量已接近3,000 萬(wàn)部，其中50%是硬盤(HDD)MP3 播放機(jī)。MP3 播放機(jī)的電源供應(yīng)通常來(lái)自于AC 適配器、USB 線纜或鋰離子電池。然而，管理這些不同電源之間的電源通路控制是一個(gè)關(guān)鍵的技術(shù)難題。硬盤MP3 播放機(jī)市場(chǎng)快速成長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?，?lái)自于蘋果iPod 與iPod 迷你型硬盤MP3 的巨大成功，這兩款產(chǎn)品在4～40GB 的存儲(chǔ)范圍內(nèi)均具有多種硬盤選擇。這些MP3 用微型硬盤的盤片直徑大多不足2 英寸。例如，東芝的硬盤在直徑僅為1.8 英寸的單一盤片上具有30GB 的容量；
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]