存儲器 文章 進入存儲器技術社區(qū)
一種新型非易失性存儲器的原理及應用
- 摘要:本文詳細了介紹了德國ZMD公司的非易失性存儲器(nvSRAM)的原理、種類及應用。德國ZMD公司的非易失性存儲器采用SRAM+EEPROM方式,巧妙地將兩種存儲技術集成進一個芯片之中,降低了成本,提高了可靠性。本文除介紹芯片原理之外,還提供了參考框圖。 關鍵詞:ZMD,nvSRAM,非易失性存儲器,掉電非易失 縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲器市場,EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場主流,其中EEPROM的供應廠家很多,其中以ATMEL,ST等廠家占主導地位,F(xiàn)RAM只
- 關鍵字: 存儲器
多元化有助內存市場穩(wěn)定,OEM買家面臨新挑戰(zhàn)
- 日前,市場研究機構iSuppli公司市場分析師Nam Hyung Kim表示,隨著內存供應商將產品線多樣化,這類產品價格變動頻繁的特點可能將成為過去,如DRAM。 Kim表示,生產商正持續(xù)把產能轉向其他類型的內存產品,比如NAND閃存,以減少他們的投資風險,但是這讓OEM廠商采購變得復雜。Kim說,“供應商希望產品多元化,如果你有多樣化的產品系列就能有效規(guī)避風險?!?nbsp; 這種趨勢已經發(fā)生,Kim注意到
- 關鍵字: 存儲器
FPGA到高速DRAM的接口設計
- FPGA做為系統(tǒng)的核心元件正在更多的用于網絡、通信、存儲和高性能計算應用中,在這些應用中都需要復雜的數(shù)據(jù)處理。所以,現(xiàn)在FPGA支持高速、外部存儲器接口是必須遵循的。現(xiàn)在的FPGA具有直接接口各種高速存儲器件的專門特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口設計。設計高速外部存儲器接口不是一件簡單的任務。例如,同步DRAM已發(fā)展成高性能、高密度存儲器并正在用于主機中。最新的DRAM存儲器—DDR SDRAM,DDR2和RLDRAM II支持頻率范圍達到133MHz(260Mbits/s)_400MHz(
- 關鍵字: 存儲器
美國自殺式硬盤防泄密 被竊后可自毀數(shù)據(jù)
- 硬盤被盜、數(shù)據(jù)外泄,可能造成重大損失。據(jù)德國《焦點》周刊報道,美國隱藏數(shù)據(jù)技術公司(Ensconce)日前發(fā)明了一種“自殺式”硬盤,可在被竊后根據(jù)要求自毀數(shù)據(jù),阻止竊賊濫用其中的敏感數(shù)據(jù)。 這種數(shù)據(jù)保護技術的關鍵在于外部信號。比如全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)傳感器探知硬盤離開安全區(qū)域后會發(fā)出信號。接到信號后,事先安裝在硬盤盒內的容器會向磁盤噴射一種化學制劑,永久抹掉上面的數(shù)據(jù)。 報道說,這種新型硬盤計劃于明年初面市。
- 關鍵字: 硬盤 存儲器
PXI在重離子加速器-冷卻存儲環(huán)控制系統(tǒng)的應用
- HIRFL-CSR工程蘭州近代物理所HIRFL-CSR(重離子加速器-冷卻存儲環(huán))工程是國家九五重點國家重大科學工程。HIRFL-CSR是一個集加速、累積、冷卻 、儲存、內靶實驗及高分辨測量于一體的多功能實驗裝置。蘭州近代物理所HIRFL-CSR包括:主環(huán)(CSRm)、實驗環(huán)(CSRe)、束運線、放射性束(RIB)分離器、實驗探測裝置。主環(huán)周長161米,最高加速能量為900MeV/u(12C6+)和400MeV/u(238U72+),試驗環(huán)周長129米,最大接收能量為600MeV/u (12C6+)和40
- 關鍵字: 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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