存儲(chǔ)器文章最新資訊

賽普拉斯公司被中興通訊公司認(rèn)可為頂尖的SRAM供應(yīng)商

Cypress憑借其超群的總所有權(quán)成本、產(chǎn)品質(zhì)量、技術(shù)支持和交貨能力而得到了中國(guó)領(lǐng)先WAN公司的表彰 2005年5月13日北京訊今天，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor)宣布被中國(guó)最大的WAN設(shè)備制造商之一、年收入達(dá)40億美元的中興通訊（ZTE）公司評(píng)定為SRAM和專用存儲(chǔ)器的首選供應(yīng)商。這一排名是根據(jù)各SRAM銷售商在去年的總體業(yè)績(jī)確定的。據(jù)ZTE稱，影響該排名的因素有很多，包括總所有權(quán)成本、產(chǎn)品質(zhì)量、對(duì)ZTE要求
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三星下半年DRAM供需均衡面板需求降溫

據(jù)外電報(bào)道，三星電子周三預(yù)期下半年個(gè)人計(jì)算機(jī)用DRAM的供給和需求將達(dá)到平衡，并認(rèn)為2006年LCD面板的需求成長(zhǎng)將持續(xù)降溫。　　三星在一份呈交南韓證交所的報(bào)告中表示，芯片制造商將制程升級(jí)至90奈米后，良率問(wèn)題影響供給成長(zhǎng)，加上部份產(chǎn)能挪用生產(chǎn)非DRAM產(chǎn)品，是下半年供需平衡的主因。　　但有些分析師更樂(lè)觀預(yù)期下半年DRAM的需求會(huì)微幅超過(guò)供應(yīng)，并帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，與其相較，SAMSUNG的看法還較為保守。自今年初以來(lái)，DRAM芯片在供給增加及需求疲弱的壓力下，現(xiàn)貨價(jià)格已重挫逾40%。多位分析師都預(yù)期第2季
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三星電子公司預(yù)計(jì)今明年DRAM銷售將衰退

5月11日消息，全球第二大半導(dǎo)體制造商三星電子預(yù)計(jì)2006年計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片全球銷售將步入連續(xù)第二年衰退。　　三星電子在香港準(zhǔn)備給投資人的文件中表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存DRAM銷售今年將衰退4%，明年估計(jì)萎縮12% 。　　據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，DRAM供過(guò)于求導(dǎo)致Infineon等制造商出現(xiàn)虧損。　　三星電子表示，供過(guò)于求的情況將持續(xù)至第三季，第四季才可能出現(xiàn)供需相符的情況。　　三星電子
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CL 2.5水平低延遲DDR-2內(nèi)存芯片即將量產(chǎn)

DDR-2內(nèi)存如我們預(yù)期地目前已開始調(diào)整售價(jià)并可在下半年取代DDR內(nèi)存在市場(chǎng)的主流位置，不過(guò)DDR-2內(nèi)存眾所周知目前主要的問(wèn)題也在于其高延遲性（CL 4/5）設(shè)計(jì)而大大影響了產(chǎn)品性能。如在同級(jí)的DDR與DDR-2內(nèi)存對(duì)比當(dāng)中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來(lái)始終還是會(huì)得益于其高工作頻率設(shè)定可達(dá)成更高的內(nèi)存帶寬而將取代最高不過(guò)667MHz的DDR，無(wú)論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現(xiàn)始終是不能有太大的突破，而這個(gè)情況
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現(xiàn)代與意法半導(dǎo)體在中國(guó)建內(nèi)存芯片廠

4月29日消息，韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor）和意法半導(dǎo)體公司本周四在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市舉行了高級(jí)內(nèi)存芯片加工廠建設(shè)的破土動(dòng)工儀式。韓國(guó)時(shí)報(bào)報(bào)道，這個(gè)內(nèi)存芯片加工廠是根據(jù)現(xiàn)代半導(dǎo)體和意法半導(dǎo)體去年11月份達(dá)成的合資企業(yè)協(xié)議建設(shè)的。這個(gè)合資企業(yè)將在今年年底投入商業(yè)性生產(chǎn)。無(wú)錫市在聲明中稱，這個(gè)工廠首先使用8英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，然后在2006年晚些時(shí)候過(guò)渡到12英寸晶圓。這個(gè)工廠
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Synopsys推出新版DFT編譯器和TetraMAX ATPG工具

Synopsys公司為其Galaxy測(cè)試解決方案推出DFT編譯器和自動(dòng)測(cè)試模式生成工具TetraMAX。其中DFT的快速掃描綜合技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試DRC引擎可加速掃描插入與測(cè)試設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，從而使設(shè)計(jì)人員在短時(shí)間內(nèi)完成測(cè)試性設(shè)計(jì)。而改進(jìn)的TetraMAX ATPG算法將有助于數(shù)百萬(wàn)門設(shè)計(jì)中優(yōu)化壓縮的模式生成。www.synopsys.com
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瑞薩加入CellularRAM開發(fā)陣營(yíng)瞄準(zhǔn)下一代手機(jī)市場(chǎng)

Renesas公司近期宣布加入由Cypress、Infineon及Micron三家公司聯(lián)合倡導(dǎo)的CellularRAM標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)合開發(fā)組。CellularRAM產(chǎn)品被設(shè)計(jì)用來(lái)進(jìn)行2.5G和3G手機(jī)設(shè)計(jì)，是一種嵌入式替換方案，引腳和功能都與用于當(dāng)前手機(jī)設(shè)計(jì)中的異步低功耗SRAM兼容。www.renesas.com
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飛利浦發(fā)布DVD+R/+RW與硬盤驅(qū)動(dòng)器結(jié)合的半導(dǎo)體參考設(shè)計(jì)

飛利浦電子公司發(fā)布了全球第一款DVD+R/+RW和硬盤驅(qū)動(dòng)器結(jié)合的半導(dǎo)體參考設(shè)計(jì)。該參考設(shè)計(jì)基于 PNX7100 MPEG-2解碼器，具有完整的硬件圖單、材料單、業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的軟件堆棧、全面的Nexperia Home開發(fā)工具包以及相關(guān)文件。為亞洲的消費(fèi)電子OEM廠商提供了低材料成本及快速的上市時(shí)間。www.semiconductors.philips.com
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基于TMS320C54x的便攜存儲(chǔ)設(shè)備設(shè)計(jì)

摘要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動(dòng)存儲(chǔ)終端，終端中使用NAND Flash作為存儲(chǔ)器件。討論了TMS320C54x對(duì)NAND Flash的編程以及接口設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動(dòng)存儲(chǔ)終端包括手機(jī)、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲(chǔ)功能，又需要具備一定的信號(hào)處理能力，因此基于DSP芯片的設(shè)計(jì)方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時(shí)，為了降低產(chǎn)品成本，采用具有較高容量/價(jià)格比的NAND Fla
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為實(shí)現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構(gòu)

按慣例，設(shè)計(jì)人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時(shí)鐘域器件。在需要更高性能時(shí)，設(shè)計(jì)人員通常會(huì)選擇更高的時(shí)鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進(jìn)通信系統(tǒng)的存儲(chǔ)器，這就將工作重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了帶寬，而不是時(shí)鐘頻率。存儲(chǔ)器帶寬的定義為：給定時(shí)間內(nèi)可通過(guò)器件訪問(wèn)的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲(chǔ)器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲(chǔ)器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡(jiǎn)單的方程式可計(jì)算出帶寬：帶寬=I/O速度
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高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡的SDRAM控制器設(shè)計(jì)

摘要：本文對(duì)高速、高精度大容量數(shù)據(jù)采集板卡所采用的SDRAM控制器技術(shù)進(jìn)行了討論，詳細(xì)介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)、命令組合以及設(shè)計(jì)仿真時(shí)序，并將該技術(shù)應(yīng)用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡，最后給出了板卡測(cè)試結(jié)果。關(guān)鍵詞：SDRAM；FPGA；AD9432 引言高速數(shù)據(jù)采集具有系統(tǒng)數(shù)據(jù)吞吐率高的特點(diǎn)，要求系統(tǒng)在短時(shí)間內(nèi)能夠傳輸并存儲(chǔ)采集結(jié)果。因此，采集數(shù)據(jù)的快速存儲(chǔ)能力和容量是制約加快系統(tǒng)速度和容許采集時(shí)間的主要因素之一。通常用于數(shù)據(jù)采
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半導(dǎo)體分析師認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌將減緩

根據(jù)彭博資訊(Bloomberg)，證券業(yè)者花旗集團(tuán)旗下半導(dǎo)體分析師，宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團(tuán)科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評(píng)等調(diào)高，理由是認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌的狀態(tài)將開始減緩。據(jù)了解，花旗將Infineon和南亞科技的評(píng)等由“持有”調(diào)高至“買進(jìn)”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調(diào)高至“持有”，韓國(guó)三星電子評(píng)等維持不變?cè)凇俺钟小薄７治鰩熤赋?，價(jià)格可能在下個(gè)月或其后一個(gè)約觸底，而全球
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測(cè)量并抑制存儲(chǔ)器件中的軟誤差

軟誤差是半導(dǎo)體器件中無(wú)法有意再生的“干擾”(即數(shù)據(jù)丟失)。它是由那些不受設(shè)計(jì)師控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射線和熱中子。許多系統(tǒng)能夠容忍一定程度的軟誤差。例如，如果為音頻、視頻或靜止成像系統(tǒng)設(shè)計(jì)一個(gè)預(yù)壓縮捕獲緩沖器或后置解壓縮重放緩沖器，則一個(gè)偶然出現(xiàn)的缺陷位可能不會(huì)被察覺(jué)，而且對(duì)用戶而言也許并不重要。然而，當(dāng)存儲(chǔ)元件在關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用中負(fù)責(zé)控制系統(tǒng)的功能時(shí)，軟誤差的不良影響就會(huì)嚴(yán)重得多，不僅會(huì)損壞數(shù)據(jù)，而且還有可能導(dǎo)致功能缺失和關(guān)鍵系統(tǒng)故障。本文將討論產(chǎn)生這些軟誤差的根源、不同的測(cè)量技術(shù)以及抵御
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混合信號(hào)測(cè)試新結(jié)構(gòu)——同步及存儲(chǔ)磁心

引言當(dāng)前電子設(shè)計(jì)的趨勢(shì)是復(fù)合功能化以及更廣泛地使用模擬、數(shù)字混合技術(shù)。在設(shè)計(jì)、建模和測(cè)試諸如3G手機(jī)及機(jī)頂盒等混合了視頻、音頻及數(shù)據(jù)信號(hào)的系統(tǒng)時(shí)，需要緊密集成與基頻采樣頻率、失真和觸發(fā)特性相匹配的數(shù)字及模擬數(shù)據(jù)采集和發(fā)生硬件。模擬及數(shù)字儀器不再是具有完全相異的定時(shí)引擎和不匹配模擬性能的獨(dú)立系統(tǒng)。另外，隨著這些具有類似時(shí)鐘的設(shè)備在全球范圍內(nèi)廣泛地制造，產(chǎn)品必須在極寬的溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定性和性能一致性，以便進(jìn)行可靠的、高性能的功能測(cè)試。NI設(shè)計(jì)的同步及存儲(chǔ)磁心(SMC)作為一種針對(duì)高速模塊化儀器的通用結(jié)構(gòu)回應(yīng)
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rSRAM消除“軟錯(cuò)誤”對(duì)電子系統(tǒng)的威脅

意法半導(dǎo)體(ST)公布的一項(xiàng)新技術(shù)rSRAM，完全可以消除近年來(lái)不斷困擾電子設(shè)備制造商的 “軟錯(cuò)誤”難題。由于該技術(shù)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)SRAM存儲(chǔ)單元的改進(jìn)方法是在單元結(jié)構(gòu)內(nèi)以垂直方式增裝附加電容器，因此，芯片面積以及制造成本都不會(huì)受到較大的影響。www.st.com
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]