rSRAM消除“軟錯誤”對電子系統(tǒng)的威脅 作者：eaw 時間：2005-04-28 來源：eaw 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 意法半導體(ST)公布的一項新技術rSRAM，完全可以消除近年來不斷困擾電子設備制造商的 “軟錯誤”難題。由于該技術對標準SRAM存儲單元的改進方法是在單元結(jié)構(gòu)內(nèi)以垂直方式增裝附加電容器，因此，芯片面積以及制造成本都不會受到較大的影響。www.st.com
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