- 韓國三星電子昨天表示，公司董事會已通過投資6,367億韓元(約6.17億美元)升級存儲器芯片生產線的計劃。 港臺媒體報道，三星電子在一篇簡短的信息公告中指出，該投資是為了響應快速閃存市場擴大以及生產增加的變化。
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三星電子 存儲器
- ARM公司在加利富尼亞州舊金山市召開的JavaOne大會上發(fā)布了其全新的Jazelle® RCT 技術，該技術能在移動電話和消費電子產品等眾多應用終端上顯著地降低Java應用程序對內存的占用空間，同時提高性能并降低功耗。ARM® Jazelle RCT (運行時間編譯器目標，Runtime Compiler Target)架構擴展集擴展了Jazelle技術范圍，使其涵蓋了運行時間和提前時間編譯器技術的最優(yōu)化，如即時編譯（Just In Time Compiler, JIT)和動態(tài)適應編譯
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ARM 存儲器
- 國際DRAM廠供應貨源不足因應旺季需求 OEM廠轉向臺廠尋求產能支應。由于OEM計算機大廠擔心進入下半年產業(yè)旺季后，目前庫存貨源可能不敷使用，近期紛紛開始增加對DRAM廠下單，惟國際DRAM廠已陸續(xù)轉移產能生產標準型DRAM顆粒以外的產品，因此供貨情況未能滿足國際OEM計算機廠需求，為此，OEM計算機廠也轉向臺灣DRAM廠尋求產能支應，且以過去主力供應現貨市場的DRAM廠為主，據傳訂單數量相當驚人。 TRI觀點：以產業(yè)鏈各廠商的動態(tài)來觀察DRAM產業(yè)目前上下游市況如下：
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DRAM 存儲器
- 據臺灣內存廠商透露，由于自今年初以來，內存的價格經歷了重大下挫，所以這些內存廠商已經開始將目光投在閃存市場上，其中茂德科技(ProMOS Technologies)已經設立了一家NAND閃存存儲卡封裝合資廠，而華邦(Winbond)則收購了一家NOR閃存設計企業(yè)。 據茂德總裁陳民良透露，他們已經投資245萬美元于上海開辦了一家合資企業(yè)，看中的就是大陸手機和數碼相機市場對存儲卡的巨大需求。茂德在此合資企業(yè)中的股份是49%，
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內存 存儲器
- DRAM廠商第2季財報恐多出現赤字，早盤股價紛紛拉回修正，盤中力晶、南科、茂德跌幅均超過1%以上，茂硅一度跌停。 據港臺媒體報道，DRAM 價格第 2 季處于低檔，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會計盈轉虧，稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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DRAM 存儲器
- DRAM制造業(yè)巨頭調換產能搶攻NAND型閃存市場的效應正在快速擴散，那就是內存芯片正面臨缺貨危機。三星、Hynix以及我國臺灣的力晶紛紛實施或宣布了將產能轉調入閃存生產的消息后，內存模塊制造商即將進入長達數個月的供貨“枯水期”。 內存模塊制造業(yè)人士稱，原本DRAM芯片供貨量僅受三星轉換產能影響，還沒有明顯感受到貨源不足壓力，但從7月起，Hynix也將轉換產能生產閃存，在2大DRAM芯片制造商雙雙轉換
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- 超微（AMD）自從4月發(fā)出打算將旗下快閃內存（Flash）部門公開上市，以Spansion之名向美國證管會提出IPO申請后，華爾街分析師認為，近來美國半導體類股市場不佳，Spansion恐怕無法募得足夠資金，在市場不看好聲中，傳出超微有可能遞延IPO消息。 據港臺媒體報道，超微執(zhí)行官Hector Ruiz在2005年初就直言對Flash事業(yè)營運很不滿意，不僅銷售額衰退，連續(xù)2季營運虧損，2004年第四季（Q4）與2005年Q1分別虧
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- 三星公司的CEO兼總裁黃昌圭(HwangChang-gyu)指出，計算機內存芯片價格在下滑40%之后，有望趨于穩(wěn)定。 今年第二季度，全球芯片制造商超負荷生產，導致了DRAM的價格下降，這對三星第二財季的利潤也產生了影響。黃昌圭稱：“到現在為止，DRAM的價格下降了40%。今后，價格會趨于穩(wěn)定?！? 三星表示，DRAM制造商開始由生產低價的DRAM向閃存芯片過渡，閃存芯片主要用于數碼相機、移動手機和音樂播放器等產品中。同時，由于業(yè)內向下一代芯
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- 硬盤手機將成主流之時，隨著手機用戶在手機上存儲的信息日益增多，業(yè)者認為硬盤將成為“必需品”。硬盤手機一旦進入“黃金時代”之時，元件市場也將隨之又蘊商機。 據悉，數年來，硬盤廠商一直在為iPod的成功而歡欣鼓舞。iPod以及其它MP3播放機已經使得微型硬盤的銷售達到了一個新的高峰。之后手機廠商積極將微型硬盤用于新款手機產品中，業(yè)內不斷聽到新的好消息：三星、諾基亞新出品的手機將集成有硬盤。與以前只能在閃存中存儲數首歌曲的手機不同，這些手機的
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- Crolles2聯盟在京都VLSI研討會上宣布的論文，為未來的低成本、低功耗、高密度消費電路采用超小制程尺寸又添新選擇日本京都 (2005年 VLSI 研討會) ， 2005年6月15日 - Crolles2聯盟今天宣讀一篇有關在正常制造條件下采用標準CMOS體效應技術和45納米設計規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*，這個單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。Crolles2聯盟是由飛思卡爾半導體(NYSE: FSL, FSL.B)、飛利浦(NYSE: PHG, AEX: PH
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飛利浦 飛思卡爾 意法 存儲器
- 采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應技術
Crolles2聯盟在京都VLSI研討會上宣布的論文，為未來的低成本、低功耗、高密度消費電路采用超小制程尺寸又添新選擇
日本京都 (2005年 VLSI 研討會) ， 2005年6月15日 – Crolles2聯盟今天宣讀一篇有關在正常制造條件下采用標準CMOS體效應技術和45納米設計規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*，這個單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。
Crolles2聯盟是由飛思卡爾半導體(NYSE: F
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- 全球領先的內存產品供應商英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）近日宣布，該公司已向PC業(yè)界領先開發(fā)商提供了業(yè)界首款DDR3 （雙數據速率3 ）內存模組。這標志著英飛凌已置身于新一代內存產品的開發(fā)前沿，新一代內存產品的速度將是現有最高速內存產品的兩倍。第一批配備DDR3內存的計算機系統有望在2006年年底問世?！癉DR3 是滿足未來移動性、數字家庭和數字企業(yè)應用需求的首選技術。在全球范圍內率先推出DDR3內存模組，這進一步彰顯了英飛凌在內存產品與技術創(chuàng)新領域的領先地位，” 英飛凌公司內存產品部計算產品總
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- Oxford半導體公司 (Oxford Semiconductor) 將成為業(yè)界首個橋接芯片公司，為外部存儲器制造商提供全系列的SATA磁盤接口解決方案。在2005年第二季推出的 “92X” 系列產品包括五款新型SATA橋接芯片，擁有多項創(chuàng)新技術，所支持的接口標準包括USB2.0、FireWire400、FireWire800以及首次支持的External SATA。Oxford半導體的SATA橋接芯片將協助硬盤制造商生產出備有多種接口的外部存儲產品，且能共享通用的軟件和硬件平臺。該產品也是業(yè)界首個提供雙
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- 6月16日消息 據消息來源稱，年底前三星電子和現代半導體公司DRAM初制晶圓(wafer starts)計劃產量將分別下降15%和20%，同時他們將把更多的產能調整到NAND閃存生產上來。 消息來源稱，三星自今年初就一直在降低它的DRAM產量，現在預計2005年其DRAM初制晶圓計劃中的產量將降低15%。 此外，消息來源稱，現代半導體已通知它的客戶，自5月至年底，它的DRAM初制晶圓計劃產量將降低20%，并加大NAND的產能。 據市場調研
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- 內存大廠Infineon已經向Intel提供可以工作的DDR3原型芯片，但是對于容量等細節(jié)Infineon守口如瓶。 一位Infineon發(fā)言人在本周一表示公司已經開始向Intel提供DDR3芯片，但是他沒有透漏內存容量，只是說該芯片并不完全滿足JEDEC要求。同時他確認Infineon將在2006年下半年開始大批出樣DDR3。但是全面量產估計要到2006年底。DDR3芯片剛開始出樣時將采用90nm工藝，之
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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