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牛津推出USB/Firewire雙SATA存儲控制器

  • 牛津半導(dǎo)體公司(Oxford Semiconductor)近日發(fā)布了業(yè)界首例具有加密功能的可配置USB/Firewire雙SATA存儲控制器。作為全球唯一一款具有嵌入式加密引擎的SATA存儲控制器，牛津半導(dǎo)體公司推出的產(chǎn)品OXUF924DSE能夠幫助外部存儲制造商向用戶提供穩(wěn)定性極高的數(shù)據(jù)保密存儲。該款控制器通過整合硬件實(shí)現(xiàn)來加密，因此能夠使數(shù)據(jù)吞吐速度保持在80Mbytes/秒這樣較高的水平上。 OXUF924DSE控制器可連通雙SATA磁盤和USB2.0接口以及Firewire400和Fir
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杰爾出讀入耗電減少1W的硬盤導(dǎo)引通道電路

  • 　美國杰爾系統(tǒng)（Agere Systems）日前開發(fā)成功了面向硬盤的導(dǎo)引通道（Lead Channel）電路“TrueStore RC7200”。該公司認(rèn)為，通過采用90nm工藝CMOS技術(shù)及多種電力模式，與其它公司原來的產(chǎn)品相比，耗電可最大減少50％。“當(dāng)使用于筆記本電腦硬盤時(shí)，在讀入負(fù)荷占總負(fù)荷大半的狀態(tài)下，能夠減少大約1W”（杰爾）。  　　將以包括接口電路、硬盤控制器及存儲器在內(nèi)的SoC（系統(tǒng)級芯片）的方式提供。面向2.5英寸及3.5英寸的硬盤。支持100M
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松下展示利用生物納米工藝制成半導(dǎo)體內(nèi)存

  • 　松下電器產(chǎn)業(yè)以展板方式展出了浮游柵型半導(dǎo)體內(nèi)存元件的開發(fā)內(nèi)容，該元件含有利用“生物納米工藝”（由基于遺傳工程的生物技術(shù)和nm級微細(xì)加工技術(shù)融合而成的工藝）制成的納米粒子。松下與日本奈良先端科技大學(xué)于2005年底進(jìn)行了發(fā)表（發(fā)布資料）。為表明其應(yīng)用前景，松下此次展出了將薄膜型顯示器等便攜終端貼到身上使用的示意圖。  　　展臺上放置了電腦，結(jié)合動畫內(nèi)容簡明地介紹了“生物納米工藝”。最初的原料是一種名為“鐵蛋白”的蛋白質(zhì)。通過基因操作，以DNA為模型對其進(jìn)行合成。鐵蛋白的一個(gè)分子形成了“串珠狀”，多
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杰爾出讀入耗電減少1W的硬盤導(dǎo)引通道電路

  • 　美國杰爾系統(tǒng)（Agere Systems）日前開發(fā)成功了面向硬盤的導(dǎo)引通道（Lead Channel）電路“TrueStore RC7200”。該公司認(rèn)為，通過采用90nm工藝CMOS技術(shù)及多種電力模式，與其它公司原來的產(chǎn)品相比，耗電可最大減少50％?！爱?dāng)使用于筆記本電腦硬盤時(shí)，在讀入負(fù)荷占總負(fù)荷大半的狀態(tài)下，能夠減少大約1W”（杰爾）。  　　將以包括接口電路、硬盤控制器及存儲器在內(nèi)的SoC（系統(tǒng)級芯片）的方式提供。面向2.5英寸及3.5英寸的硬盤。支持100M
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ST發(fā)布6位單片電平轉(zhuǎn)換器用于手機(jī)存儲卡

ST推出世界手機(jī)存儲卡單片電平轉(zhuǎn)換器

  • 集成的ESD保護(hù)功能和卡檢測功能 最大限度降低需用外接存儲卡的移動設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的電路板空間需求 意法半導(dǎo)體公布兩款采用3 x 3mm µTFBGA25微型封裝的6位電平轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品用于連接1.8V或2.5V信號的手機(jī)和3.3V電平的外插存儲卡。ST6G3238E含有ESD保護(hù)電路，能夠?qū)Υ鎯ń涌趯?shí)施最高8kV的放電保護(hù)，允許存儲卡直接插入外接存儲器插槽。 卡側(cè)每個(gè)輸入引腳上都集成一個(gè)40歐姆的串聯(lián)電阻，以抑制EMI（電磁干擾）噪聲，同時(shí)卡檢測和寫保護(hù)輸入
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Spansion M-Systems合作供單裸片存儲芯片

  • 　　M-Systems公司和Spansion公司宣布，雙方正在共同開發(fā)一個(gè)新產(chǎn)品，該產(chǎn)品集成了M-Systems的MegaSIM平臺和Spansion公司MirrorBit™ORNAND™閃存技術(shù)。  　　兩家公司正在將他們各自的技術(shù)融合到一個(gè)創(chuàng)新的、集成化的單裸片產(chǎn)品之中，使之可以為高容量SIM卡市場提供顯著的成本、安全和產(chǎn)量優(yōu)勢。MirrorBit ORNAND是一種創(chuàng)新的閃存架構(gòu)，它將NOR代碼執(zhí)行和NAND數(shù)據(jù)存儲功能中的優(yōu)點(diǎn)集成到一個(gè)基于Spansio
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杰爾讀入耗電減少1W的硬盤導(dǎo)引通道電路

  • 　美國杰爾系統(tǒng)（Agere Systems）日前開發(fā)成功了面向硬盤的導(dǎo)引通道（Lead Channel）電路“TrueStore RC7200”。該公司認(rèn)為，通過采用90nm工藝CMOS技術(shù)及多種電力模式，與其它公司原來的產(chǎn)品相比，耗電可最大減少50％?！爱?dāng)使用于筆記本電腦硬盤時(shí)，在讀入負(fù)荷占總負(fù)荷大半的狀態(tài)下，能夠減少大約1W”（杰爾）。  　　將以包括接口電路、硬盤控制器及存儲器在內(nèi)的SoC（系統(tǒng)級芯片）的方式提供。面向2.5英寸及3.5英寸的硬盤。支持100M
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松下展示利用生物納米工藝半導(dǎo)體內(nèi)存

  • 　　松下電器產(chǎn)業(yè)以展板方式展出了浮游柵型半導(dǎo)體內(nèi)存元件的開發(fā)內(nèi)容，該元件含有利用“生物納米工藝”（由基于遺傳工程的生物技術(shù)和nm級微細(xì)加工技術(shù)融合而成的工藝）制成的納米粒子。松下與日本奈良先端科技大學(xué)于2005年底進(jìn)行了發(fā)表（發(fā)布資料）。為表明其應(yīng)用前景，松下此次展出了將薄膜型顯示器等便攜終端貼到身上使用的示意圖。  　　展臺上放置了電腦，結(jié)合動畫內(nèi)容簡明地介紹了“生物納米工藝”。最初的原料是一種名為“鐵蛋白”的蛋白質(zhì)。通過基因操作，以DNA為模型對其進(jìn)行合成。鐵蛋白的一個(gè)分子形成了“串珠狀”，
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MCU的伴侶Ramtron的FM31系列產(chǎn)品

  •                      作者: 曾平貴 (商鼎盛) Ramtron的Fm31XX產(chǎn)品是Ramtron最有競爭力的產(chǎn)品系列，產(chǎn)品包含4K-256K的鐵電存儲器，精度為+2.17PPM的RTC,低電壓復(fù)位,看門狗復(fù)位和低電壓檢測,8個(gè)可以鎖定的特殊存儲和2個(gè)16位的
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05年DRAM芯片銷售排名三星仍保持冠軍

  • 　　據(jù)著名市場調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner 公司最新公布的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2005年全球DRAM儲存芯片的銷售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲存芯片的銷售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業(yè)銷售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下，中國臺灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達(dá)公司（Elpida）是全球最高前六個(gè)公司中銷售收入實(shí)現(xiàn)了增長的公司。  　　調(diào)研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
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德州MIT DARPA合力打造65納米SRAM

  • ISSCC 會議文件論述 SRAM 將有望使電池供電產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)超低功耗 日前，麻省理工學(xué)院 (MIT) 的研究員將在著名的國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上展示一款采用德州儀器 (TI) 先進(jìn) 65 納米 CMOS 工藝制造的超低功耗 (ULP) 256kb 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM) 測試器件。該款 SRAM&
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全球內(nèi)存（DRAM）價(jià)格報(bào)告

  •    北美市場         經(jīng)銷商們在星期三透露，本周DRAM的銷售比較緩慢，這段時(shí)間也是傳統(tǒng)的銷售淡季。整個(gè)周三都沒有一筆生意，因而市價(jià)也沒什么變化。這一天只有芯片市場PC133材質(zhì)有唯一一筆現(xiàn)貨交易，價(jià)格在每芯片$3.30 到$4之間。         亞太市場    &
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Ramtron針對嵌入式數(shù)采推出微控制器

  •      Ramtron公司宣布推出Versa Mix 8051 系列 (VMX51C1xxx) 混合信號微控制器，這是單芯片的解決方案，可用于工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)電子、儀表和汽車市場等各種不同的信號調(diào)節(jié)、數(shù)據(jù)采集、處理和控制應(yīng)用。Ramtron還同時(shí)提供Versa 8051系列 (VRS51x1xxx/5xx) 的低成本、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)并以8051為基礎(chǔ)的插入式MCU，帶有高達(dá)12
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內(nèi)存供過于求 06年半導(dǎo)體前景待觀望

  •       市場研究機(jī)構(gòu)Gartner/Dataquest表示，雖然半導(dǎo)體行業(yè)在2006年預(yù)期將有合理的增長，但是不排除在平穩(wěn)增長的時(shí)候會出現(xiàn)一些增長過快的情況，如內(nèi)存的供過于求。  　　Gartner/Dataquest的分析師Klaus Rinner預(yù)測2006年集成電路的市場增長率為7.6%，但是在資本支出上將有0.4%的下降。  　　在一次講座中Rinnen表示：市場的前景并非一片大好。  　　在市
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存儲器介紹

什么是存儲器 存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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