存儲(chǔ)器文章最新資訊

SSD取代硬盤趨勢(shì)凸現(xiàn) 2010年將成“拐點(diǎn)”

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司In-Stat的報(bào)告，近期內(nèi)，隨著基于閃存的固態(tài)磁盤(SSD)整裝待發(fā)，硬盤(HDD)在移動(dòng)電腦海量存儲(chǔ)市場(chǎng)中的“正統(tǒng)地位”可能面臨挑戰(zhàn)。實(shí)際上，SSD有在10年內(nèi)取代HDD、成為筆記本電腦主要存儲(chǔ)手段的潛力。In-Stat認(rèn)為，SSD在移動(dòng)電腦市場(chǎng)中的份額在2013年可能上升到50%。之前，三星已推出嵌入32G NAND閃存的固態(tài)磁盤(SSD)PC產(chǎn)品，從而揭開閃存替換硬盤序幕。
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Freescale搶攻MRAM新技術(shù) 何時(shí)出擊大規(guī)模商用？

日前，F(xiàn)reescale Semiconductor公司宣布推出基于磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)的首款商用芯片。雖然離大規(guī)模采用還有不少障礙，但iSuppli公司相信這將在很大程度上推進(jìn)MRAM技術(shù)的發(fā)展。 Freescale表示，其新款4Mb密度MRAM器件結(jié)合了目前多種存儲(chǔ)器技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。MRAM使用磁極化來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，磁阻的改變代表著二進(jìn)制狀態(tài)的變化，而不是指定的電荷水平。這與其他主流存儲(chǔ)技術(shù)不同，比如SRAM、DRAM和閃存。 Freescale宣稱其新器件平衡了讀寫
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ARM發(fā)布下一代DDR存儲(chǔ)解決方案

ARM [(LSE:ARM); (Nasdaq:ARMHY)]公司今天宣布擴(kuò)展了其Artisan®物理IP系列產(chǎn)品中的Velocity™ DDR存儲(chǔ)接口產(chǎn)品，以支持眾多特定應(yīng)用對(duì)SDRAM的要求。擴(kuò)展后的ARM® Velocity DDR產(chǎn)品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3 SDRAM的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)相兼容，并支持領(lǐng)先代工廠的130納米、110納米、90納米和65納米的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。&
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微軟播放器細(xì)節(jié)再曝光 DSP處理器30G硬盤

7月19日消息，據(jù)外電報(bào)道，有關(guān)微軟播放器的最新消息，日前有知情人士透露，該款播放器將采用400MHz DSP處理器。用戶在欣賞音樂時(shí)，屏幕上可以顯示專輯的封面。由于屏幕尺寸相對(duì)較大，因此效果還不錯(cuò)。另外，“Argo”播放器并不支持游戲功能。另?yè)?jù)最新消息顯示，該款播放器基于400MHz DSP處理器，內(nèi)置30G硬盤，運(yùn)行的是Windows Mobile操作系統(tǒng)。而且，還支
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AMD處理器暴跌內(nèi)存漲勢(shì)驚人

受貨源緊張影響，今天北京CPU現(xiàn)貨市場(chǎng)上AMD方面AM2出現(xiàn)大幅反漲情形，而皓龍1XX處理器則出現(xiàn)大幅跳水。其中AM2系列處理器閃龍2800+/3000+盒上漲了5/60元，而速龍3000+盒則大漲了40元；754針閃龍?zhí)幚砥?500+散/2500+盒/2600+散/2600+盒/2800+散/2800+盒/3000+散分別下調(diào)了20/5/20/5/25/5元；939針?biāo)冽執(zhí)幚砥?000+散/3200+散分別下調(diào)了15/25元，而3000+盒則上漲了40元；皓龍144散/144盒/146散/1
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惠普開發(fā)出米粒大小無線傳輸內(nèi)存芯片

美國(guó)東部時(shí)間7月17日（北京時(shí)間7月18日）據(jù)外電的最新報(bào)道稱，惠普周一正式宣布，該公司研發(fā)人員已經(jīng)開發(fā)出了一種米粒大的具有無線網(wǎng)絡(luò)功能的內(nèi)存芯片Memory Spot。據(jù)悉，Memory Spot芯片由惠普實(shí)驗(yàn)室開發(fā)，該芯片容量從256KB到4G不等。該芯片能夠以每秒10MB的速率無線傳輸數(shù)據(jù)，此外該芯片可用來存儲(chǔ)視頻短片、數(shù)字照片以及十幾頁(yè)厚的圖書。更為重要的是，Memory Spo
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美國(guó)34個(gè)州聯(lián)合起訴七大內(nèi)存制造商操縱市場(chǎng)

新浪科技訊北京時(shí)間7月14日消息，美國(guó)34個(gè)州周五聯(lián)合控告包括美光和英飛凌在內(nèi)的七家內(nèi)存制造商，指控他們聯(lián)手操縱美國(guó)內(nèi)地市場(chǎng)及人為抬高價(jià)格。　　加州首席檢察官洛凱爾(Bill Lockyer)周四表示，他將和其他33個(gè)州的首席檢察官一起，控告內(nèi)存制造商違反州和聯(lián)邦反壟斷法，在1998年到2002年6月期間，在DRAM芯片供給過剩時(shí)，聯(lián)手操縱該產(chǎn)品價(jià)格。據(jù)悉，此次遭起訴的七家公司分別為美光、英飛凌、韓國(guó)現(xiàn)代、臺(tái)灣茂矽及南亞科技、日本Elpida(日立與NEC合資公司)及N
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美34州聯(lián)名起訴七內(nèi)存芯片制造商面臨巨額索賠

美國(guó)東部時(shí)間7月13日（北京時(shí)間7月14日）據(jù)外電的最新報(bào)道稱，美國(guó)34個(gè)州將在周五起訴全球七家內(nèi)存芯片制造商，指控這七家內(nèi)存芯片制造商操縱美國(guó)市場(chǎng)內(nèi)存芯片價(jià)格。上述七家公司分別是美光、英飛凌、臺(tái)灣的茂矽電子和南亞科技、日本的Elpida、NEC電子美洲公司以及韓國(guó)的現(xiàn)代半導(dǎo)體。加利福尼亞首席檢察官比爾
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50TB涂層DVD問世有望徹底淘汰硬盤？

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道：一位印度科學(xué)家近日宣稱，他正在研制一種表面帶有光感蛋白有機(jī)物質(zhì)涂層的DVD存儲(chǔ)介質(zhì)，這種介質(zhì)的最大存儲(chǔ)容量可達(dá)50TB（約合50,000GB）. 現(xiàn)就職于波士頓Harvard Medical學(xué)院的V Renugopalakrishnan教授宣稱，已經(jīng)研制出一種通過磁性改
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飛思卡爾在將MRAM技術(shù)投入商用方面行業(yè)領(lǐng)先

德州奧斯?。?006年7月10日－飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE:FSL, FSL.B)目前已經(jīng)批量生產(chǎn)和提供第一款商用磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備。飛思卡爾的4兆位（Mbit）MRAM是一款快速的非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有極強(qiáng)的耐用性——結(jié)合了其它任何單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器都不具備的多種特性。該設(shè)備基于飛思卡爾的超過100項(xiàng)專利所保護(hù)的技術(shù)，包括跳變位（Toggle-bit）切換。 “隨著MRAM的商用，飛思卡爾率先將這種技術(shù)推向市場(chǎng)，從而帶來巨大的可能性和潛力，”Semico Resea
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閃存8年內(nèi)有望在筆記本上代替硬盤使用

　　三星電子在近日推出了首款閃存筆記本電腦。這款筆記本以32GB的NAND閃存完全替代了傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器。　　早在去年9月，三星與希捷在閃存是否會(huì)全面取代硬盤技術(shù)上展開爭(zhēng)論，三星高層預(yù)言，硬盤時(shí)代已步入黃昏，閃存時(shí)代即將來臨。希捷公司隨即反駁，認(rèn)為閃存完全替代硬盤還為時(shí)尚早。　　從目前筆記本發(fā)展的趨勢(shì)來看，移動(dòng)性強(qiáng)，省電等指標(biāo)已經(jīng)成為用戶購(gòu)買筆記本電腦時(shí)的重要考慮因素，未來筆記本將進(jìn)一步在不影響性能的前提下向輕薄化和長(zhǎng)電池使用時(shí)間發(fā)展，閃存
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瑞薩科技開發(fā)65nm工藝嵌入式SRAM穩(wěn)定運(yùn)行

東京，2006年6月15日——在今天于美國(guó)夏威夷火努魯魯舉行的超大規(guī)模集成電路（VLSI）2006年專題研討會(huì)上，瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，開發(fā)出一種有助于采用65nm（65納米）制造工藝生產(chǎn)的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行的技術(shù)。新技術(shù)采用了一種直接圖形成型布局和讀輔助及寫輔助電路，以克服采用精細(xì)特征工藝技術(shù)時(shí)由于晶體管固有特性可變性帶來的SRAM不穩(wěn)定問題。尤其是，該技術(shù)解決了與門限電壓（Vth）有關(guān)的諸如晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷時(shí)出
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瑞薩科技開發(fā)65nm工藝嵌入式SRAM穩(wěn)定運(yùn)行

東京，2006年6月15日——在今天于美國(guó)夏威夷火努魯魯舉行的超大規(guī)模集成電路（VLSI）2006年專題研討會(huì)上，瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，開發(fā)出一種有助于采用65nm（65納米）制造工藝生產(chǎn)的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行的技術(shù)。新技術(shù)采用了一種直接圖形成型布局和讀輔助及寫輔助電路，以克服采用精細(xì)特征工藝技術(shù)時(shí)由于晶體管固有特性可變性帶來的SRAM不穩(wěn)定問題。尤其是，該技術(shù)解決了與門限電壓（Vth）有關(guān)的諸如晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷時(shí)出
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Ramtron推出首款內(nèi)嵌FRAM的增強(qiáng)型8051 MCU

世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商Ramtron International 發(fā)布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存儲(chǔ)器的8051MCU — VRS51L3074。Ramtron將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051系列產(chǎn)品中，以實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)高速及高可靠性的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理系統(tǒng)，而該系統(tǒng)只有嵌入了FRAM的增強(qiáng)型微控制器才能提供。 Ramtron 加拿大公司總經(jīng)理Irv L
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基于ADmC812和DSP實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

ADmC812是ADI公司的以8051(8052)內(nèi)核為控制核心的新型微轉(zhuǎn)換器。
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]