存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
AMD處理器暴跌 內(nèi)存漲勢驚人
- 受貨源緊張影響,今天北京CPU現(xiàn)貨市場上AMD方面AM2出現(xiàn)大幅反漲情形,而皓龍1XX處理器則出現(xiàn)大幅跳水。其中AM2系列處理器閃龍2800+/3000+盒上漲了5/60元,而速龍3000+盒則大漲了40元;754針閃龍?zhí)幚砥?500+散/2500+盒/2600+散/2600+盒/2800+散/2800+盒/3000+散分別下調(diào)了20/5/20/5/25/5元;939針速龍?zhí)幚砥?000+散/3200+散分別 下調(diào)了15/25元,而3000+盒則上漲了40元;皓龍144散/144盒/146散/1
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惠普開發(fā)出米粒大小無線傳輸內(nèi)存芯片
- 美國東部時間7月17日(北京時間7月18日)據(jù)外電的最新報道稱,惠普周一正式宣布,該公司研發(fā)人員已經(jīng)開發(fā)出了一種米粒大的具有無線網(wǎng)絡(luò)功能的內(nèi)存芯片Memory Spot。 據(jù)悉,Memory Spot芯片由惠普實驗室開發(fā),該芯片容量從256KB到4G不等。該芯片能夠以每秒10MB的速率無線傳輸數(shù)據(jù),此外該芯片可用來存儲視頻短片、數(shù)字照片以及十幾頁厚的圖書。更為重要的是,Memory Spo
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美國34個州聯(lián)合起訴七大內(nèi)存制造商操縱市場
- 新浪科技訊 北京時間7月14日消息,美國34個州周五聯(lián)合控告包括美光和英飛凌在內(nèi)的七家內(nèi)存制造商,指控他們聯(lián)手操縱美國內(nèi)地市場及人為抬高價格。 加州首席檢察官洛凱爾(Bill Lockyer)周四表示,他將和其他33個州的首席檢察官一起,控告內(nèi)存制造商違反州和聯(lián)邦反壟斷法,在1998年到2002年6月期間,在DRAM芯片供給過剩時,聯(lián)手操縱該產(chǎn)品價格。據(jù)悉,此次遭起訴的七家公司分別為美光、英飛凌、韓國現(xiàn)代 、臺灣茂矽及南亞科技、日本Elpida(日立與NEC合資公司)及N
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飛思卡爾在將MRAM技術(shù)投入商用方面行業(yè)領(lǐng)先
- 德州奧斯?。?006年7月10日-飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE:FSL, FSL.B)目前已經(jīng)批量生產(chǎn)和提供第一款商用磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設(shè)備。 飛思卡爾的4兆位(Mbit)MRAM是一款快速的非易失性存儲器產(chǎn)品,具有極強的耐用性——結(jié)合了其它任何單個半導(dǎo)體存儲器都不具備的多種特性。該設(shè)備基于飛思卡爾的超過100項專利所保護的技術(shù),包括跳變位(Toggle-bit)切換。 “隨著MRAM的商用,飛思卡爾率先將這種技術(shù)推向市場,從而帶來巨大的可能性和潛力,”Semico Resea
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瑞薩科技開發(fā)65nm工藝嵌入式SRAM穩(wěn)定運行
- 東京,2006年6月15日——在今天于美國夏威夷火努魯魯舉行的超大規(guī)模集成電路(VLSI)2006年專題研討會上,瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,開發(fā)出一種有助于采用65nm(65納米)制造工藝生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)實現(xiàn)穩(wěn)定運行的技術(shù)。新技術(shù)采用了一種直接圖形成型布局和讀輔助及寫輔助電路,以克服采用精細特征工藝技術(shù)時由于晶體管固有特性可變性帶來的SRAM不穩(wěn)定問題。尤其是,該技術(shù)解決了與門限電壓(Vth)有關(guān)的諸如晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷時出
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瑞薩科技開發(fā)65nm工藝嵌入式SRAM穩(wěn)定運行
- 東京,2006年6月15日——在今天于美國夏威夷火努魯魯舉行的超大規(guī)模集成電路(VLSI)2006年專題研討會上,瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,開發(fā)出一種有助于采用65nm(65納米)制造工藝生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)實現(xiàn)穩(wěn)定運行的技術(shù)。新技術(shù)采用了一種直接圖形成型布局和讀輔助及寫輔助電路,以克服采用精細特征工藝技術(shù)時由于晶體管固有特性可變性帶來的SRAM不穩(wěn)定問題。尤其是,該技術(shù)解決了與門限電壓(Vth)有關(guān)的諸如晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷時出
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Ramtron推出首款內(nèi)嵌FRAM的增強型8051 MCU
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商Ramtron International 發(fā)布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存儲器的8051MCU — VRS51L3074。Ramtron將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051系列產(chǎn)品中,以實現(xiàn)設(shè)計高速及高可靠性的非易失性數(shù)據(jù)存儲和處理系統(tǒng),而該系統(tǒng)只有嵌入了FRAM的增強型微控制器才能提供。 Ramtron 加拿大公司總經(jīng)理Irv L
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基于MPC8250的數(shù)字硬盤錄像機設(shè)計
- 引 言 短短幾年的發(fā)展,數(shù)字硬盤錄像機(DVR)依托其強大的數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化功能,已逐步取代了傳統(tǒng)模擬錄像設(shè)備的主導(dǎo)地位,成為監(jiān)控市場的主流。其應(yīng)用已經(jīng)從最初的金融領(lǐng)域發(fā)展到交通、樓宇、公安、監(jiān)獄、廣場、小區(qū)、機房、環(huán)境、考場等各種應(yīng)用場所,只要是想對圖像和聲音進行監(jiān)控的場所就會應(yīng)用到DVR系統(tǒng)。 目前,數(shù)字硬盤錄像機的產(chǎn)品技術(shù)趨勢主要有兩種:一種是基于PC機Windows平臺的插卡式數(shù)字硬盤錄像機;另一種是基于嵌入式系統(tǒng)技術(shù)的數(shù)字硬盤
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Intel開發(fā)出首個45nmSRAM
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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