存儲器文章最新資訊

新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

摘要：本文介紹了針對高端存儲應(yīng)用的最新非易失性存儲器NVSRAM。可以根據(jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領(lǐng)域，市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點和優(yōu)勢， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。非易失性存儲器應(yīng)用
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MRAM：內(nèi)存的新潮流(上)

摘要： Freescale運用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對此進(jìn)行了詳細(xì)介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線在半導(dǎo)體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設(shè)計的產(chǎn)品，而內(nèi)存芯片在推動半導(dǎo)體技術(shù)向前發(fā)展的過程中則會起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當(dāng)時業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷售情況最好的內(nèi)存芯片，在很多新的系統(tǒng)設(shè)計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展
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首款單碟60GB 1.8英寸硬盤面世

希捷科技公司日前宣布，開始向全球客戶發(fā)售其Lyrion硬盤。Lyrion作為業(yè)內(nèi)首款單碟60GB 1.8英寸硬盤在容量方面實現(xiàn)了突破，采用了垂直記錄技術(shù)，厚度只有5毫米。由于消費者在日常生活中越來越依賴于他們的消費電子設(shè)備，包括個人媒體播放器、便攜式導(dǎo)航系統(tǒng)、數(shù)字視頻照相機或便攜式存儲設(shè)備，因此在這些設(shè)備中裝備高可靠性硬盤變得越來越重要，而這些硬盤必須具備專門為便攜式手持設(shè)備市場設(shè)計的功能。據(jù)悉，
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DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

　　DRAM 8英寸線將逐漸退出　　隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。　　臺灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點，DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。　　臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為，五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動態(tài)隨機存儲器)應(yīng)用中，有
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適用于圖像檢測壓縮系統(tǒng)的內(nèi)存存取方式

為了兼具可擴展性和數(shù)據(jù)處理速度，對于各種應(yīng)用，如圖像數(shù)據(jù)偵錯、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等，可編程數(shù)據(jù)處理模塊(Programmable Data Processing Module)是時勢所需。在處理的數(shù)據(jù)量越來越大的情況下，所需的內(nèi)存容量隨之增大，以往的先進(jìn)先出隊列(First-In-First-Out, FIFO)無法滿足其高速度與大容量的需求，許多硬件工程師開始考慮使用DRAM的可能性。DRAM具備可快速存取、可依照設(shè)計者規(guī)劃使用空間、大容量等優(yōu)點，但是內(nèi)存數(shù)組需要重新充電，而雙倍數(shù)據(jù)速
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DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍

　　推動全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個輪子，一個是縮小特征尺寸，另一個是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進(jìn)入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時將退出歷史舞臺?？v觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進(jìn)入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
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微型硬盤驅(qū)動技術(shù)與嵌入式應(yīng)用整合方案

目前，硬盤驅(qū)動器采用的主流接口是高技術(shù)配置接口標(biāo)準(zhǔn)(ATA)，即IDE接口，而且絕大多數(shù)硬盤驅(qū)動器都采用了并行ATA接口。部分硬盤驅(qū)動器同時也支持CF (Compact Flash)規(guī)范、安全數(shù)字輸入/輸出(SDIO)標(biāo)準(zhǔn)和串行ATA規(guī)范。由于并行ATA和CF是便攜手持市場的最普遍的兩個標(biāo)準(zhǔn)，因此本文側(cè)重討論這兩個規(guī)范。CF 3.0規(guī)范能夠在與標(biāo)準(zhǔn)IDE完全相同的真IDE模式下操作。與CF2.1相比，CF3.0增加了極端直接內(nèi)存訪問(Ultra DMA)模式。通常，硬盤驅(qū)動器并不需要支持所有的模式。目前，
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內(nèi)容可尋址存儲器MCM69C232及其應(yīng)用

內(nèi)容可尋址存儲器cam（content-addressable memory）是以內(nèi)容進(jìn)行尋址的存儲器，是一種特殊的存儲陣列ram，它的主要工作機制就是將一個輸入數(shù)據(jù)項與存儲在cam中的所有數(shù)據(jù)項自動同時進(jìn)行比較，判別該輸入數(shù)據(jù)項與cam中存儲的數(shù)據(jù)項是否相匹配，并輸出該數(shù)據(jù)項對應(yīng)的匹配信息，美國motorola公司的cam芯片mcm69c232在市場上是性價比較高的產(chǎn)品，因而被廣泛地應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信，模式識別等領(lǐng)域，其用于數(shù)據(jù)檢索的優(yōu)勢是軟件無法比擬的，可以極大的提高系統(tǒng)性能。 1 mcm69c
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用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

　　在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用sram工藝，要求每次上電，對fpga器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計者的知識產(chǎn)權(quán)。 1　基于sram工藝fpga的保密性問題　　通常，采用sram工藝的fpga芯片的的配置方法主要有三種：由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如altera公司的epcx系列芯片）配置、采用
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SDRAM控制器的設(shè)備與VHDL實現(xiàn)

在高速實時或者非實時信號處理系統(tǒng)當(dāng)中，使用大容量存儲器實現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個必不可少的環(huán)節(jié)，也是系統(tǒng)實現(xiàn)中的重點和難點之一。sdram（同步動態(tài)隨機訪問存儲器）具有價格低廉、密度高、數(shù)據(jù)讀寫速度快的優(yōu)點，從而成為數(shù)據(jù)緩存的首選存儲介制裁。但是sdram存儲體結(jié)構(gòu)與ram有較大差異，其控制時序和機制也較復(fù)雜，限制了sdram的使用。目前，雖然一些能家長微處理器提供了和sdram的透明接口，但其可擴展性和靈活性不夠，難以滿足現(xiàn)實系統(tǒng)的要求，限制了sdram的使用。在詳細(xì)闡讀sdram數(shù)據(jù)文檔的前提下
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OTPROM型單片機內(nèi)內(nèi)部存儲器的使用研究

隨著變頻調(diào)速以及微機控制技術(shù)的發(fā)展，適應(yīng)電機控制的intel 8xc196mc系列單片機應(yīng)用越來越廣泛。與80c196mc相比，87c196mc單片機帶有16 kb的otprom(one tline programmable read-only memory)，可以進(jìn)行片內(nèi)編程操作，而且可以增強加密功能。對于普通的控制系統(tǒng)來說，其存儲容量足夠大，不必再使用外部擴展存儲器。然而87c196mc單片機的otprom存在一個缺點：不可擦除，也就是說只能編程一次，不能實現(xiàn)重復(fù)編程，不利于大量普及使
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基于CPLD的容錯存儲器的設(shè)計實現(xiàn)

隨著各種電路和芯片的性能(速度、集成度等)不斷提高，尤其是在軍事、航空航天等用途中對可靠性的要求往往是第一位的，人們對于系統(tǒng)的可靠性方面的要求日益增加，這對電路系統(tǒng)的設(shè)計和制造都提出了嚴(yán)格的目標(biāo)要求。存儲器是電路系統(tǒng)中最常用的器件之一，采用大規(guī)模集成電路存儲芯片構(gòu)成。實際統(tǒng)計表明，存儲器在太空應(yīng)用中的主要錯誤是由瞬態(tài)錯誤(也叫單個事件擾動，seu)所引起的一位錯[1]或者相關(guān)多位錯，而隨機獨立的多位錯誤極少。半導(dǎo)體存儲器的錯誤大體上分為硬錯誤和軟錯誤，其中主要為軟錯誤。硬錯誤所表現(xiàn)的現(xiàn)象是在
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基于Submerge Frame方法的CAN－以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)

以太網(wǎng)憑借其成本低、開放性強以及具有廣泛的開發(fā)、應(yīng)用軟硬件支持等明顯優(yōu)勢，已經(jīng)成為目前應(yīng)用最為廣泛的局域網(wǎng)絡(luò)技術(shù)之一，而can總線也以星火燎原之勢成為應(yīng)用最普遍的現(xiàn)場總線之一[1]。由于can總線的傳輸速率受到傳輸距離的限制，在應(yīng)用中往往以can總線作為現(xiàn)場控制局部網(wǎng)絡(luò)，連接現(xiàn)場監(jiān)控設(shè)備和高級智能設(shè)備，而將以太網(wǎng)作為企業(yè)信息傳輸主干網(wǎng)，連接各個現(xiàn)場控制局部網(wǎng)絡(luò)，傳統(tǒng)的can－以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)往往無法適應(yīng)較大規(guī)模和重網(wǎng)絡(luò)負(fù)荷環(huán)境，本文對在不改變操作系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)協(xié)議且不增加硬件成本的基礎(chǔ)上實現(xiàn)高效的can總線的以太網(wǎng)
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FM20L08型鐵電存儲器的原理及應(yīng)用

1 引言在一些需要下位機單獨工作的場合（如汽車行駛記錄儀、高速存儲測試設(shè)備等），其數(shù)據(jù)的高速存儲和掉電不丟失尤為重要，ramtron公司推出的fm20l08型非易失性鐵電存儲器除具有其他鐵電存儲器的一般特點外，彌補了已有鐵電存儲器存儲量小的缺點，其數(shù)據(jù)存儲量達(dá)1mb，可完全代替標(biāo)準(zhǔn)異步靜態(tài)隨機存儲器（sram）。 2 fm20l08的特點和引腳功能 fm20l08型非易失性鐵電存儲器的存儲容量為128k×8位，和無限次擦寫，掉電后數(shù)據(jù)可保存10年，工作電壓為3v
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液晶顯示器漢字字模存儲方法

液晶顯示器件（lcd）獨具的低壓、微功耗特性使他在單片機系統(tǒng)中特得到了廣泛的應(yīng)用，常用的液晶顯示模塊分為數(shù)顯液晶模塊、點陣字符液晶模塊和點陣圖形液晶模塊，其中圖形液晶模塊在我國應(yīng)用較為廣泛，因為漢字不能象西文字符那樣用字符模塊即可顯示，要想顯示漢字必須用圖形模塊。 1 液晶模塊顯示漢字方法使用圖形液晶模塊以點陣形式來顯示漢字和圖形，每8個點組成1個字節(jié)，每個點用一個二進(jìn)制位表示，存1的點顯示時在屏上顯示一個亮點，存0的點則在屏上不顯示，最常用的16×16的漢字點陣由32個字節(jié)組成。
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]