存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

微型硬盤驅(qū)動技術(shù)與嵌入式應(yīng)用整合方案

目前，硬盤驅(qū)動器采用的主流接口是高技術(shù)配置接口標準(ATA)，即IDE接口，而且絕大多數(shù)硬盤驅(qū)動器都采用了并行ATA接口。部分硬盤驅(qū)動器同時也支持CF (Compact Flash)規(guī)范、安全數(shù)字輸入/輸出(SDIO)標準和串行ATA規(guī)范。由于并行ATA和CF是便攜手持市場的最普遍的兩個標準，因此本文側(cè)重討論這兩個規(guī)范。CF 3.0規(guī)范能夠在與標準IDE完全相同的真IDE模式下操作。與CF2.1相比，CF3.0增加了極端直接內(nèi)存訪問(Ultra DMA)模式。通常，硬盤驅(qū)動器并不需要支持所有的模式。目前，
關(guān)鍵字：單片機嵌入式系統(tǒng) 微型硬盤消費電子存儲器消費電子

內(nèi)容可尋址存儲器MCM69C232及其應(yīng)用

內(nèi)容可尋址存儲器cam（content-addressable memory）是以內(nèi)容進行尋址的存儲器，是一種特殊的存儲陣列ram，它的主要工作機制就是將一個輸入數(shù)據(jù)項與存儲在cam中的所有數(shù)據(jù)項自動同時進行比較，判別該輸入數(shù)據(jù)項與cam中存儲的數(shù)據(jù)項是否相匹配，并輸出該數(shù)據(jù)項對應(yīng)的匹配信息，美國motorola公司的cam芯片mcm69c232在市場上是性價比較高的產(chǎn)品，因而被廣泛地應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信，模式識別等領(lǐng)域，其用于數(shù)據(jù)檢索的優(yōu)勢是軟件無法比擬的，可以極大的提高系統(tǒng)性能。 1 mcm69c
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用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

　　在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用sram工藝，要求每次上電，對fpga器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進行克隆設(shè)計。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護設(shè)計者的知識產(chǎn)權(quán)。 1　基于sram工藝fpga的保密性問題　　通常，采用sram工藝的fpga芯片的的配置方法主要有三種：由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如altera公司的epcx系列芯片）配置、采用
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SDRAM控制器的設(shè)備與VHDL實現(xiàn)

在高速實時或者非實時信號處理系統(tǒng)當中，使用大容量存儲器實現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個必不可少的環(huán)節(jié)，也是系統(tǒng)實現(xiàn)中的重點和難點之一。sdram（同步動態(tài)隨機訪問存儲器）具有價格低廉、密度高、數(shù)據(jù)讀寫速度快的優(yōu)點，從而成為數(shù)據(jù)緩存的首選存儲介制裁。但是sdram存儲體結(jié)構(gòu)與ram有較大差異，其控制時序和機制也較復(fù)雜，限制了sdram的使用。目前，雖然一些能家長微處理器提供了和sdram的透明接口，但其可擴展性和靈活性不夠，難以滿足現(xiàn)實系統(tǒng)的要求，限制了sdram的使用。在詳細闡讀sdram數(shù)據(jù)文檔的前提下
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OTPROM型單片機內(nèi)內(nèi)部存儲器的使用研究

隨著變頻調(diào)速以及微機控制技術(shù)的發(fā)展，適應(yīng)電機控制的intel 8xc196mc系列單片機應(yīng)用越來越廣泛。與80c196mc相比，87c196mc單片機帶有16 kb的otprom(one tline programmable read-only memory)，可以進行片內(nèi)編程操作，而且可以增強加密功能。對于普通的控制系統(tǒng)來說，其存儲容量足夠大，不必再使用外部擴展存儲器。然而87c196mc單片機的otprom存在一個缺點：不可擦除，也就是說只能編程一次，不能實現(xiàn)重復(fù)編程，不利于大量普及使
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基于CPLD的容錯存儲器的設(shè)計實現(xiàn)

隨著各種電路和芯片的性能(速度、集成度等)不斷提高，尤其是在軍事、航空航天等用途中對可靠性的要求往往是第一位的，人們對于系統(tǒng)的可靠性方面的要求日益增加，這對電路系統(tǒng)的設(shè)計和制造都提出了嚴格的目標要求。存儲器是電路系統(tǒng)中最常用的器件之一，采用大規(guī)模集成電路存儲芯片構(gòu)成。實際統(tǒng)計表明，存儲器在太空應(yīng)用中的主要錯誤是由瞬態(tài)錯誤(也叫單個事件擾動，seu)所引起的一位錯[1]或者相關(guān)多位錯，而隨機獨立的多位錯誤極少。半導(dǎo)體存儲器的錯誤大體上分為硬錯誤和軟錯誤，其中主要為軟錯誤。硬錯誤所表現(xiàn)的現(xiàn)象是在
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基于Submerge Frame方法的CAN－以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)

以太網(wǎng)憑借其成本低、開放性強以及具有廣泛的開發(fā)、應(yīng)用軟硬件支持等明顯優(yōu)勢，已經(jīng)成為目前應(yīng)用最為廣泛的局域網(wǎng)絡(luò)技術(shù)之一，而can總線也以星火燎原之勢成為應(yīng)用最普遍的現(xiàn)場總線之一[1]。由于can總線的傳輸速率受到傳輸距離的限制，在應(yīng)用中往往以can總線作為現(xiàn)場控制局部網(wǎng)絡(luò)，連接現(xiàn)場監(jiān)控設(shè)備和高級智能設(shè)備，而將以太網(wǎng)作為企業(yè)信息傳輸主干網(wǎng)，連接各個現(xiàn)場控制局部網(wǎng)絡(luò)，傳統(tǒng)的can－以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)往往無法適應(yīng)較大規(guī)模和重網(wǎng)絡(luò)負荷環(huán)境，本文對在不改變操作系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)協(xié)議且不增加硬件成本的基礎(chǔ)上實現(xiàn)高效的can總線的以太網(wǎng)
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FM20L08型鐵電存儲器的原理及應(yīng)用

1 引言在一些需要下位機單獨工作的場合（如汽車行駛記錄儀、高速存儲測試設(shè)備等），其數(shù)據(jù)的高速存儲和掉電不丟失尤為重要，ramtron公司推出的fm20l08型非易失性鐵電存儲器除具有其他鐵電存儲器的一般特點外，彌補了已有鐵電存儲器存儲量小的缺點，其數(shù)據(jù)存儲量達1mb，可完全代替標準異步靜態(tài)隨機存儲器（sram）。 2 fm20l08的特點和引腳功能 fm20l08型非易失性鐵電存儲器的存儲容量為128k×8位，和無限次擦寫，掉電后數(shù)據(jù)可保存10年，工作電壓為3v
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液晶顯示器漢字字模存儲方法

液晶顯示器件（lcd）獨具的低壓、微功耗特性使他在單片機系統(tǒng)中特得到了廣泛的應(yīng)用，常用的液晶顯示模塊分為數(shù)顯液晶模塊、點陣字符液晶模塊和點陣圖形液晶模塊，其中圖形液晶模塊在我國應(yīng)用較為廣泛，因為漢字不能象西文字符那樣用字符模塊即可顯示，要想顯示漢字必須用圖形模塊。 1 液晶模塊顯示漢字方法使用圖形液晶模塊以點陣形式來顯示漢字和圖形，每8個點組成1個字節(jié)，每個點用一個二進制位表示，存1的點顯示時在屏上顯示一個亮點，存0的點則在屏上不顯示，最常用的16×16的漢字點陣由32個字節(jié)組成。
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單片機系統(tǒng)中大容量數(shù)據(jù)存儲器的系統(tǒng)擴展

1 引言 mcs-51單片機系統(tǒng)擴展時，一般使用p0口作為地址低8位（與數(shù)據(jù)口分時復(fù)用），而p2口作為地址高8位，它共有16根地址總線，尋址空間為64kb。但在實際應(yīng)用中，有一些特殊場合，例如，語音信號的采集，程控交換機話單的存儲，地形圖信號的收取等，需要有大于64kb的數(shù)據(jù)存儲器。文章根據(jù)作者實際使用的應(yīng)用系統(tǒng)，介紹一種大容量數(shù)據(jù)存儲器的擴展系統(tǒng)。該系統(tǒng)主機采用8031，擴展了三片62256，共96kb的動態(tài)數(shù)據(jù)存儲器，上面介紹其硬件組成及軟件處理方法。 2 系統(tǒng)的硬件組成
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片外Flash存儲器IAP的一種方案

引言以arm芯片為處理器核的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內(nèi)資源以及對操作系統(tǒng)的廣泛支持，得到了人們越來越多的青睞。包括工業(yè)控制領(lǐng)域、無線通信領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、消費電子、成像和安全產(chǎn)品等，如今，arm微處理器及嵌入式技術(shù)的應(yīng)用幾乎已經(jīng)滲透到了各個領(lǐng)域。其中，arm7作為arm微處理器系列中的一員，是低功耗的32位risc處理器。samsung公司的s3c4510b、philips公司的lpc20xx、lpc21xx、lpc22xx系列等都是arm7處理器。這些為數(shù)
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μClinux下SDRAM數(shù)據(jù)交換區(qū)的生成和使用

引言　　數(shù)據(jù)交換區(qū)是指程序執(zhí)行中使用到的各種數(shù)據(jù)所存放的內(nèi)存空間。本文提出了在μclinux操作系統(tǒng)下為嵌入式工業(yè)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器開辟數(shù)據(jù)交換萄思想和解決方案。嵌入式工業(yè)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器項目的開發(fā)目的是構(gòu)建一個以client/server模式工作的工業(yè)遠程監(jiān)控系統(tǒng)，其前端是一個嵌入式服務(wù)器，它安裝在工業(yè)現(xiàn)場，可以與三菱plc組成的控制系統(tǒng)接口，對該系統(tǒng)實施實時監(jiān)控。其中數(shù)據(jù)交換區(qū)部分起到承上啟下的樞紐作用，向上負責對客戶端交互現(xiàn)場設(shè)備數(shù)據(jù)，向下負責與接口緩沖區(qū)交互設(shè)備實時數(shù)據(jù)。系統(tǒng)以motorola公司的3
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DDR SDRAM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

引言很多嵌入式系統(tǒng)，特別是應(yīng)用于圖像處理與高速數(shù)據(jù)采集等場合的嵌入式系統(tǒng)，都需要高速緩存大量的數(shù)據(jù)。ddr（double data rate，雙數(shù)據(jù)速率）sdram由于其速度快、容量大，而且價格便宜，因此能夠很好地滿足上述場合對大量數(shù)據(jù)緩存的需求。但ddr sdram的接口不能直接與現(xiàn)今的微處理器和dsp的存儲器接口相連，需要在其間插入控制器實現(xiàn)微處理器或dsp對存儲器的控制。隨著密度與性能的不斷提升，現(xiàn)場可編程門陣列（fpga）已被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)中。而且，現(xiàn)在很多的fp
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uClinux下SDRAM數(shù)據(jù)交換區(qū)的生成和使用

引言數(shù)據(jù)交換區(qū)就是指程序執(zhí)行中使用到的各種數(shù)據(jù)所存放的內(nèi)存空間。本文提出了在uclinux操作統(tǒng)下為嵌入式工業(yè)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器開辟數(shù)據(jù)交換區(qū)的思想和解決方案。嵌入式工業(yè)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器項目的開發(fā)目的是構(gòu)建一個以client/server模式工作的工業(yè)遠程監(jiān)控系統(tǒng)，其前端是一個嵌入式服務(wù)器，它安裝在工業(yè)現(xiàn)場，可以與三菱plc組成的控制系統(tǒng)接口，對該系統(tǒng)實施實時監(jiān)控。其中數(shù)據(jù)交換區(qū)部分起到承上啟下的樞紐作用，向上負責對客戶端交互現(xiàn)場設(shè)備數(shù)據(jù)，向下負責與接口緩沖區(qū)交互設(shè)備實時數(shù)據(jù)。系統(tǒng)以freescale公司
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雙口RAM CY7C026在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

引言由工業(yè)計算機通過pci總線控制的前端數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)在工業(yè)控制領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用，一般的數(shù)據(jù)傳送系統(tǒng)在大數(shù)據(jù)量的情況下會造成數(shù)據(jù)堵塞現(xiàn)象。在系統(tǒng)設(shè)計的過程中經(jīng)過多方面的比較，最后采用高數(shù)雙口ram構(gòu)成的高速數(shù)據(jù)交換接口成功地解決了此問題。 cy7c026是cypress公司生產(chǎn)的16k×16高速雙口靜態(tài)ram，存取速度小于25ns。它具有真正的雙端口，可以同時進行數(shù)據(jù)存取，兩個端口具有獨立的控制信號線、地址線和數(shù)據(jù)線，另外通過主/從選擇可以方便地擴存儲容量和數(shù)據(jù)寬度。通過芯片的信
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]