首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nvsram

賽普拉斯推出帶四個(gè)串行外設(shè)接口的1Mb nvSRAM，針對(duì)需要掉電時(shí)進(jìn)行高可靠性數(shù)據(jù)保存的大數(shù)據(jù)吞吐量應(yīng)用

  • 　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司今天宣布推出一款具有四個(gè)串行外設(shè)接口(SPI)的1Mb 非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。 這一新款nvSRAM的四個(gè)SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數(shù)據(jù)吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲(chǔ)設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用在掉電時(shí)，無(wú)需電池即可保存大吞吐量的數(shù)據(jù)。 　　四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時(shí)鐘頻率為108MHz，其性能超過(guò)了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪問(wèn)時(shí)間)器件。該nvS
  • 關(guān)鍵字： 賽普拉斯  nvSRAM  

賽普拉斯擴(kuò)充業(yè)界領(lǐng)先的非易失性RAM產(chǎn)品發(fā)布全新16Mb并行nvSRAM系列

  • 　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)，包括具有異步并行和異步開(kāi)放式NAND閃存接口(ONFI)標(biāo)準(zhǔn)1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴(kuò)展了賽普拉斯的產(chǎn)品線，以滿(mǎn)足高端可編程邏輯控制器(PLC)、存儲(chǔ)設(shè)備中的高速數(shù)據(jù)/錯(cuò)誤日志記錄器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、航空電子系統(tǒng)以及電子游戲機(jī)等關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的需求。 　　16 Mb nvSRAM是市場(chǎng)上最快的高容量異步非易失性RAM，存取時(shí)間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，
  • 關(guān)鍵字： 賽普拉斯  ONFI  nvSRAM  

LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲(chǔ)器

  • 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，LSI在其用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲(chǔ)器的12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器(HBA)中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。nvSRAM為SAS HBA帶來(lái)高速度、低電壓、無(wú)故障的存儲(chǔ)器，提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個(gè)原因是它可工作在不同的電壓下，而且廣受媒體好評(píng)。
  • 關(guān)鍵字： 賽普拉斯  存儲(chǔ)器  LSI  nvSRAM  

賽普拉斯推出世界快速寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列

  • 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：CY)日前宣布，該公司在其產(chǎn)品系列中整合了Ramtron International的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)產(chǎn)品，提供了市場(chǎng)上最豐富的快速寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器容量范圍選擇。F-RAM是業(yè)界最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器，為賽普拉斯全球速度最快的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器提供了有效補(bǔ)充。
  • 關(guān)鍵字： 賽普拉斯  存儲(chǔ)器  nvSRAM  

Cypress推出1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

  • 　　賽普拉斯半導(dǎo)體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)系列，以及新的擁有集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。 　　賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8? 0.13-微米 SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，能達(dá)到更大的密度并改善存取時(shí)間和性能。nvSRAM對(duì)于要求絕對(duì)數(shù)據(jù)非易失安全性的應(yīng)用來(lái)說(shuō)是理想的選擇，如RAID系統(tǒng)、工業(yè)控制和自動(dòng)化(如PLC，
  • 關(guān)鍵字： Cypress  nvSRAM  嵌入式非易失性存儲(chǔ)器  

賽普拉斯推出2Mbit和8Mbit nvSRAM

  • 　　日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（nvSRAM），進(jìn)一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產(chǎn)品系列。該新型產(chǎn)品的存取時(shí)間短至 20 納秒，支持無(wú)限次的讀寫(xiě)與調(diào)用循環(huán)，而且數(shù)據(jù)能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續(xù)高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)和絕對(duì)非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用提供了最佳解決方案，因此成為了服務(wù)器、RAID 應(yīng)用、惡劣環(huán)境下的工業(yè)控制、汽車(chē)、醫(yī)療以及數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域的理想選擇。 　　CY14B102 2 Mbi
  • 關(guān)鍵字： 賽普拉斯  nvSRAM  EEPROM  存儲(chǔ)器  

新一代非易失性存儲(chǔ)器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

  • 摘要： 本文介紹了針對(duì)高端存儲(chǔ)應(yīng)用的最新非易失性存儲(chǔ)器NVSRAM。可以根據(jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域，市場(chǎng)熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫(xiě)，即為非易失性SRAM。本文將比較各類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器，并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。 非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字： 0701_A  NVSRAM  SRAM  消費(fèi)電子  雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  
共7條 1/1 1
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473