賽普拉斯推出帶四個串行外設(shè)接口的1Mb nvSRAM，針對需要掉電時進行高可靠性數(shù)據(jù)保存的大數(shù)據(jù)吞吐量應(yīng)用

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司今天宣布推出一款具有四個串行外設(shè)接口(SPI)的1Mb 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。 這一新款nvSRAM的四個SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數(shù)據(jù)吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設(shè)備、工業(yè)自動化、計算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用在掉電時，無需電池即可保存大吞吐量的數(shù)據(jù)。

　　四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時鐘頻率為108MHz，其性能超過了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪問時間)器件。該nvSRAM 提供了 24MBps的隨機讀寫訪問速度，無限制的寫次數(shù)，以及20年的數(shù)據(jù)保存期。因其I/O寬度更小，其16-pin SOIC 封裝以及 24-ball BGA封裝的芯片管腳數(shù)更少，故占板空間也就更少。該器件還包括了一個可選的集成實時時鐘(RTC)，未經(jīng)校準的精度為+/- 50ppm。這款nvSRAM與競爭器件相比具有更低的功耗，工作電流為 5.8mA，睡眠模式電流為10uA。請訪問如下網(wǎng)址觀看該器件的視頻：http://www.cypress.com/video-library/Memory/quad-spi-nvsram/307986.

　　賽普拉斯nvSRAM符合RoHS標準，可直接替代SRAM、帶電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，無需電池即可提供可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲功能。掉電時，數(shù)據(jù)會自動從SRAM傳輸?shù)皆撈骷姆且资詥卧?。供電恢?fù)后，數(shù)據(jù)可從非易失性單元恢復(fù)到SRAM。這兩個操作也可均由軟件控制。

　　賽普拉斯非易失性產(chǎn)品業(yè)務(wù)部總監(jiān)Sonal Chandrasekhar認為：“關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)需要能在掉電瞬間立即可靠地保存數(shù)據(jù)的高性能存儲器。賽普拉斯的新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉電時保護數(shù)據(jù)安全的能力，其數(shù)據(jù)吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。”

　　賽普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲器技術(shù)制造，可實現(xiàn)更高的容量、更快的訪問速度和更好的性能。對RAID系統(tǒng)、PLC、工業(yè)數(shù)據(jù)日志、計算和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、電機驅(qū)動、路由器和交換機、航空、國防系統(tǒng)，以及游戲系統(tǒng)等于需要高性能和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用而言，nvSRAM是理想的選擇。

　　賽普拉斯是SONOS工藝技術(shù)的領(lǐng)先者，該技術(shù)已用于其旗艦產(chǎn)品PSoC®混合信號陣列、可編程時鐘和其他產(chǎn)品中。SONOS兼容標準的CMOS技術(shù)，并有諸多優(yōu)勢，例如高耐用性、低功耗和抗輻射。SONOS技術(shù)已在賽普拉斯內(nèi)部的工廠和多家代工廠中合規(guī)地采用。與其他磁基非易失性存儲技術(shù)相比，該技術(shù)在規(guī)模化和可制造性方面提供了卓越的解決方案。賽普拉斯已經(jīng)發(fā)運了超過20億片采用與nvSRAM中相同SONOS工藝技術(shù)的產(chǎn)品。

　　供貨情況

　　CY14V101QS 1Mb nvSRAM目前處于樣片階段，預(yù)計于2015年三季度量產(chǎn)。