Ramtron推出首個(gè)4兆位非易失性FRAM存儲(chǔ)器

　　Ramtron International Corporation宣布推出半導(dǎo)體業(yè)界首個(gè)4兆位 (Mb) FRAM存儲(chǔ)器，這是目前最高容量的FRAM產(chǎn)品，其容量是原有最大FRAM存儲(chǔ)器容量的四倍。FM22L16是采用44腳薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)和低功耗等特點(diǎn)。FM22L16與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用、多功能打印機(jī)、自動(dòng)導(dǎo)航系統(tǒng)，以及許多以SRAM為基礎(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

　　Ramtron 副總裁Mike Alwais解釋道：“4Mb FRAM開辟了全新的技術(shù)領(lǐng)域，把Ramtron和FRAM技術(shù)引入嶄新和新穎的應(yīng)用中。FM22L16將FRAM技術(shù)引進(jìn)至主流中，而來目德州儀器公認(rèn)的工藝節(jié)點(diǎn)則提供許多全新的獨(dú)立和集成式產(chǎn)品機(jī)會(huì)。新產(chǎn)品的推出將FRAM定位成理想的非易失性存儲(chǔ)解決方案，擁有具大的潛力改變存儲(chǔ)器的現(xiàn)狀?！?

　　產(chǎn)品特點(diǎn)

　　FM22L16是256K x 16非易失性存儲(chǔ)器，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口實(shí)現(xiàn)存取，存取的時(shí)間為55ns，  
周期為110ns。該器件以“無延遲” (NoDelay?) 寫入的總線速度進(jìn)行讀寫操作，耐久性至少為1e14 (100萬億)次寫入和10年的數(shù)據(jù)保存能力。 

　　這種4Mb FRAM是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM完全替代器件，但其性能卻優(yōu)越很多，因?yàn)樗谶M(jìn)行數(shù)據(jù)備份時(shí)毋需電池，并且具有單片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安裝解決方案，與SRAM不同的是它不在需要電池而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動(dòng)特性。

　　FM22L16備有便于與現(xiàn)今高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁面模式，可以高達(dá)40MHz的速度進(jìn)行4字節(jié)Burst讀/寫操作，這比普通RAM的總線速度高出很多。該器件較標(biāo)準(zhǔn)SRAM具有更低的工作電流，讀/寫操作時(shí)為18mA，在超低電流睡眠模式下僅為5uA。FM22L16在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃至+85℃)于2.7V至3.6V電壓工作。要了解有關(guān)FM22L16更詳細(xì)的信息，請(qǐng)?jiān)L問公司網(wǎng)站 http://www.ramtron.com/4MbFRAM/Default.asp。

　　關(guān)于德州儀器的高級(jí)130納米 (nm) FRAM工藝 

　　FM22L16以德州儀器公認(rèn)及先進(jìn)的130nm CMOS制造工藝為基礎(chǔ)。在標(biāo)準(zhǔn)CMOS 130nm邏輯工藝內(nèi)嵌入非易失性FRAM模塊時(shí)僅使用了兩個(gè)額外的掩模步驟。德州儀器和Ramtron在今天發(fā)布的另一份新聞稿中，詳細(xì)描述了其商用制造的安排，以及針對(duì)Ramtron的FRAM產(chǎn)品而設(shè)德州儀器 130nm工藝的情況。