美光奇夢達趕在三星前推出DDR3內(nèi)存

    內(nèi)存生產(chǎn)商奇夢達和美光先于三星電子，推出了DDR3 DRAM內(nèi)存的樣品。該公司的營銷副總裁簡尼-馬凱（Jenn Markey）稱，長期以來市場一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會顯著增加的DDR3的出現(xiàn)，只是奇怪美光和奇夢達能在DRAM市場傳統(tǒng)領(lǐng)先者三星之前推出。

　　DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率可達到1600Mb/s（1600兆位/秒），電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特，這可降低能耗和延長移動設(shè)備的電池壽命。美光內(nèi)存部門高級營銷主管比爾-勞爾（Bill Lauer）表示，公司計劃投產(chǎn)1GB（1吉兆） DDR3芯片，并在今年年中推出2GB的DDR3樣品，DDR3是為下一代高性能處理和消費系統(tǒng)提供的內(nèi)存解決方案，在很多方面都有顯著優(yōu)勢。Semiconductor Insights公司預(yù)計，隨著512兆和1吉兆，速度在800MHz以上芯片的推出，DDR3市場將在今年形成規(guī)模。