相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM

　　相變內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是近年來(lái)內(nèi)存業(yè)界熱門(mén)研發(fā)主題之一，針對(duì)此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與廠商專(zhuān)利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS計(jì)劃發(fā)表最新研究報(bào)告指出，臺(tái)灣地區(qū)已有不少?gòu)S商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機(jī)會(huì)較大。  

　　工研院IEK-ITIS計(jì)劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開(kāi)始有重量級(jí)的公司投入研究資源，但受限于當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤(pán)片為主；直到2000年后，相變化材料制作的相變內(nèi)存無(wú)論是在專(zhuān)利布局、芯片試產(chǎn)及學(xué)術(shù)論文上開(kāi)始有優(yōu)異的表現(xiàn)。  

　　其中一家PCM廠商O(píng)vonyx于1999年成立，將其PCM發(fā)展策略設(shè)定在智財(cái)(Intellectual Property，IP)商業(yè)模式，提供技術(shù)以推動(dòng)PCM進(jìn)入內(nèi)存市場(chǎng)。陳俊儒指出，目前Ovonyx擁有的他國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量是全球最多，美國(guó)專(zhuān)利數(shù)第二(僅次于Micron)，還獲得Intel的投資，以及授權(quán)給ST、Elpida、Samsung及Qimonda等半導(dǎo)體大廠。  

　　投資Ovonyx的廠商Intel還準(zhǔn)備推出128Mb PCM樣品，并計(jì)劃在2007年下半年采用90納米技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)。陳俊儒表示，這種稱(chēng)為Alverstone的產(chǎn)品是Intel的首款PCM產(chǎn)品，是與NOR Flash兼容的替代產(chǎn)品。Intel技術(shù)長(zhǎng)Justin Rattner并曾指出，Intel的理想目標(biāo)是讓128Mb PCM成為NOR Flash閃存的替代品，而該公司將持續(xù)最佳化PCM的量產(chǎn)工藝。  

　　Ovonyx的授權(quán)廠商Samsung也將開(kāi)始供應(yīng)PCM的評(píng)估測(cè)試樣品，該公司目前向多家大型手機(jī)廠商提供的是256Mb和512Mb的90nm產(chǎn)品。為了準(zhǔn)備2008年上半年的量產(chǎn)，該公司還計(jì)劃在2007年第2季和2007年年底，分別開(kāi)始供應(yīng)工程樣品和商用樣品。  

　　陳俊儒表示，Samsung是從2006年下半年開(kāi)始量產(chǎn)90nm工藝NOR Flash，落后于同期開(kāi)始量產(chǎn)65nm產(chǎn)品的Intel。為此，Samsung希望以替代NOR Flash為目的，盡早創(chuàng)造出PCM被采用的實(shí)際業(yè)績(jī)，以便在與其它公司的競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)領(lǐng)先地位。  

　　根據(jù)ITRS預(yù)測(cè)，PCM的Cell Size于2011年將小于NOR Flash，未來(lái)可望大規(guī)模取代NOR Flash市場(chǎng)(營(yíng)收約72億美元)，未來(lái)市場(chǎng)潛力較FeRAM和MRAM大。陳俊儒表示，目前先進(jìn)廠商投入PCM的研發(fā)較晚，臺(tái)灣地區(qū)廠商投入PCM研發(fā)者，相較于FeRAM與MRAM反而來(lái)的多，多屬于DRAM揮發(fā)性?xún)?nèi)存廠商。  

　　因此陳俊儒認(rèn)為，臺(tái)灣地區(qū)廠商若是未來(lái)計(jì)劃大規(guī)模切入非揮發(fā)性?xún)?nèi)存市場(chǎng)，相較于FeRAM與MRAM，投入PCM研發(fā)是比較有機(jī)會(huì)的。