存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

希捷:未來三年中國硬盤營收增長幅度將超過PC

據(jù)國外媒體報道，全球最大的計算機硬盤生產(chǎn)商希捷科技日前表示，該公司計劃借助其在中國地區(qū)的生產(chǎn)能力，未來三年內(nèi)在中國市場實現(xiàn)營收增長幅度超過PC和筆記本市場增長幅度的目標。希捷當天援引研究數(shù)據(jù)稱，截至2010年，中國PC市場年平均增長幅度將介于10%和15%之間，而筆記本市場年平均增長幅度預(yù)計達到30%。希捷科技中國區(qū)總經(jīng)理楊建初在接受路透社采訪時表示，硬盤市場應(yīng)以PC和筆記本市場相同的幅度進行增長。在截至今年3月底的第三財季，希捷銷售收入達到28億美元，其中亞太地區(qū)占43%，同
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韓制造商全球DRAM儲存市場領(lǐng)導(dǎo)地位受到威脅

市場調(diào)研機構(gòu) iSuppli總裁兼首席執(zhí)行官Derek Lidow稱，未來三年內(nèi)，韓國的DRAM 儲存芯片制造商長期以來在全球的領(lǐng)先地位存在著威脅，可能將被其他外國的競爭對手奪取。在韓國舉行的數(shù)字論壇上Lidow表示，目前在全球DRAM儲存芯片市場，韓國的制造商仍然保持了領(lǐng)先的位置，去年三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷售收入在全球市場占到45%。相比之下中國和中國臺灣的公司擁有的份額為17%。 Lidow預(yù)期今年全球DRAM儲存芯片的發(fā)貨量將發(fā)生變化，韓國廠
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硬盤業(yè)務(wù)每況愈下日立考慮采取更多改革措施

據(jù)國外媒體報道，日立公司日前表示，為了扭轉(zhuǎn)虧損的硬盤業(yè)務(wù)，該公司可能采取更多額外措施，但目前看來，日立硬盤業(yè)務(wù)今年很有可能繼續(xù)虧損。日立總裁古川一夫在談及該公司中期業(yè)務(wù)計劃時對業(yè)內(nèi)分析人士及新聞媒體表示，由于第一季度虧損180億日元，再加上第二季度形勢嚴峻，今年硬盤業(yè)務(wù)可能將虧損330億日元，因此我們有必要尋找額外的改革措施并認真進行考慮，以便達到盈利的目的。盡管如此，古川一夫當天并未透露日立目前正在考慮具體哪些額外措施，但根據(jù)中期計劃，日立計劃將分支機構(gòu)數(shù)量從目前的885家削
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iSuppli:08年3月前全球DRAM銷售恐減緩

　　5月29日消息，美國研究機構(gòu)iSuppli表示，到2008年3月以前，全球DRAM銷售將減緩，出貨增長將壓低價格。　　iSuppli今天在韓國首爾的科技會議上發(fā)表聲明指出，全球DRAM到明年3月以前將持續(xù)減緩。　　iSuppli指出，2010年全球DRAM銷售將由去年的339億美元增至457億美元。
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Dallas Semiconductor推出新型存儲器件DS28DG02

　　Dallas Semiconductor推出新型存儲器件DS28DG02，具有空前的混合信號和非易失存儲功能集成度。　　DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通?？晒?jié)省20%的PCB空間和30%的成本。由于采用更少的元件，使得終端設(shè)備的制造廠商可以減少材料清單數(shù)，從而降低了生產(chǎn)成本，并提高了設(shè)備的可靠性。通過簡化硬件的復(fù)雜度，并采用單個器件實現(xiàn)軟件通信，使產(chǎn)品設(shè)計人員的設(shè)計周期得到了縮短。該新型存儲器件具有空前大的陣列容量，能夠用于多種應(yīng)用，包括通信、醫(yī)療、消費品和工業(yè)終端設(shè)備。　　與傳
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富士通推出配備FeRAM的通用微控制器投放

富士通在2007年5月16日開幕的“第10屆嵌入系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)展（ESEC）”上，參考展出了配備強電介質(zhì)內(nèi)置內(nèi)存（FeRAM，鐵電內(nèi)存）的通用8bit微控制器。評測用芯片“MB95RV100”近日即可供應(yīng)，計劃2008年前后量產(chǎn)供貨。CPU內(nèi)核采用“F2MC-8FX”，工作頻率為10MHz。首先面向密鑰數(shù)據(jù)的保存用途投放市場。配備FeRAM的微控制器最初只應(yīng)用于數(shù)據(jù)保存區(qū)域（原有微控制的RAM部分）。程序保存區(qū)域預(yù)定以掩膜ROM的形式提供。產(chǎn)品系列計劃對于數(shù)據(jù)保存用途推出FeRAM分
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內(nèi)存價格終于反彈業(yè)內(nèi)持不同意見

在5月18-25日，DRAM內(nèi)存價格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開始，包括eTT在內(nèi)各種頻率型號的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內(nèi)存升幅最大，達到16%。一些業(yè)內(nèi)人士擔心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內(nèi)存模組廠的消息稱，由于DRAM廠商
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內(nèi)存價格終于反彈業(yè)內(nèi)持不同意見

　　在5月18-25日，DRAM內(nèi)存價格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。　　據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開始，包括eTT在內(nèi)各種頻率型號的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內(nèi)存升幅最大，達到16%。　　一些業(yè)內(nèi)人士擔心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調(diào)整。來自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內(nèi)存模組廠的消息稱，由于DRA
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Flash FPGA、ASIC、SRAM FPGA你選擇誰？

Flash based FPGA, ASIC, SRAM-based FPGA, which one do you choose ? 近年來，F(xiàn)PGA器件的應(yīng)用領(lǐng)域在不斷擴大。由于這種極其靈活的器件提供的通用平臺能夠針對特定的應(yīng)用進行快速編程，并且可以在設(shè)計迭代中進行重復(fù)編程，因此它們迅速成為電子系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域的中流砥柱。 ---但是，F(xiàn)PGA在量產(chǎn)類產(chǎn)品中仍未得到廣泛應(yīng)用。當工程師們準
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PC大廠刻意壓低內(nèi)存上下游博弈仍在繼續(xù)

內(nèi)存顆粒在最近一兩天終于價格開始反彈，DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元，而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。內(nèi)存業(yè)者表示，DRAM制造廠不再殺低出貨，再加上部份模組廠開始趁低收貨，是帶動近日DRAM現(xiàn)貨價跌深反彈的主因。只是目前終端市場需求依然疲軟，因此DRAM價格是否就此落底，仍待進一步觀察。創(chuàng)見上海代表處的總經(jīng)理顏明吉表示，此前內(nèi)存之所以狂跌，戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。去年年末Vi
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DRAM廠減產(chǎn)　DRAM售價瀕臨變動成本

近來對于所有DRAM廠來說都面臨慘不忍睹的情況，原因在于DRAM售價重挫，幾乎已到了寧可關(guān)廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計劃，部分DRAM廠已正式啟動產(chǎn)能調(diào)配計劃，希望通過這樣動作來減少虧損，也因為DRAM廠已開始減產(chǎn)，DRAM廠認為第三季度應(yīng)該可以見到減產(chǎn)后對于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現(xiàn)暴跌，雖說目前價格略微回穩(wěn)，不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴重虧損壓力，DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術(shù)時所需的變動成本，
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內(nèi)存狂跌引發(fā)質(zhì)量嚴重下滑不良率數(shù)倍提升

“憑良心來講，現(xiàn)在內(nèi)存的品質(zhì)整體來說真的很差。”某品牌內(nèi)存的一位高管向PConline產(chǎn)業(yè)資訊這樣透露。根據(jù)相關(guān)人士透露，內(nèi)存晶元的測試，是晶元廠要另外要付費給專門的測試廠商。按照業(yè)界的概況，DDR2的顆粒一般好一點的原廠要測試800秒，普通的廠商是測試400秒。一般來說，原廠的品牌顆粒不太敢完全不測試，多少會測一下。但是現(xiàn)在測試時間變成了200秒或者100秒，甚至有些廠商只測50秒。一般來說，如果經(jīng)過800秒完全測試，內(nèi)存顆粒的不良率可以低于500PPM(注1)，非常的低。當測試時間從800秒
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NEC電子推出可用于內(nèi)置硬盤的機頂盒的芯片

NEC電子近日開發(fā)出了用于內(nèi)置硬盤(HDD)的機頂盒（STB）的系統(tǒng)芯片—“EMMA2SE（μPD61140）”，并將于即日起開始發(fā)售樣品。此外，NEC電子還將于今年6月起，推出在EMMA2SE的基礎(chǔ)上內(nèi)置了防非法使用功能的“EMMA2SE/P（μPD61142）”的樣品。這兩款新產(chǎn)品均為將接收、存儲、播放數(shù)字廣播所必需的功能集成到了1顆芯片上的圖像處理用系統(tǒng)芯片。新產(chǎn)品的主要特征包括：CPU的處理性能提高到了284MIPS，約為NEC電子以往產(chǎn)品的1.4倍；可外接容量達1G的外部存儲器；內(nèi)置USB功
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意法新款8引腳微控制器增加了存儲容量

8位微控制器的世界領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體進一步完善了公司專門為簡單的低成本應(yīng)用設(shè)計的ST7UltraLite系列8引腳微控制器產(chǎn)品陣容，新的ST7FLITEU0系列產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的豐富外設(shè)基礎(chǔ)上擴大了存儲容量和有用的系統(tǒng)功能。采用8引腳的SO、DIP和0.9mm厚的DFN封裝，工作溫度高達125℃，新系列產(chǎn)品是HVAC(暖風、通風和空調(diào))、家電、照明控制和電動工具市場的最佳選擇。由于內(nèi)置的2KB閃存程序存儲器的容量是以前產(chǎn)品的二倍，同時還內(nèi)置一個128字節(jié)的數(shù)據(jù)EEPROM，新產(chǎn)品雖然
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三大DRAM廠商瘋狂擴產(chǎn) 致內(nèi)存價崩潰

　　據(jù)業(yè)界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內(nèi)存廠商提高了DRAM的產(chǎn)量，因此DRAM內(nèi)存價格近期出現(xiàn)大幅下跌。　　據(jù)悉，這三家廠商紛紛調(diào)整調(diào)整產(chǎn)能，將之前生產(chǎn)其它類型產(chǎn)品的生產(chǎn)線全部轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DRAM內(nèi)存。據(jù)預(yù)測，07年第二季度受上述三家廠商產(chǎn)能調(diào)節(jié)影響，全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)量將增長20-30%。　　美光科技由于預(yù)測07年受手機市場帶動，CIS（C
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]