存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

Altera宣布Stratix® III FPGA的DDR3存儲(chǔ)器接口速率超過1067 Mbps

　　Altera公司宣布，Stratix® III FPGA的DDR3存儲(chǔ)器接口速率超過1067 Mbps，存儲(chǔ)器性能比競(jìng)爭(zhēng)FPGA解決方案高出33%。更寬的存儲(chǔ)器帶寬支持新的通信、計(jì)算和視頻處理應(yīng)用，以前很難實(shí)現(xiàn)這類應(yīng)用或者需要增加存儲(chǔ)器塊才能實(shí)現(xiàn)。Altera的Stratix III FPGA系列是業(yè)界唯一完全符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的FPGA，該標(biāo)準(zhǔn)包括為提高性能而制定的高性能讀寫均衡規(guī)范。　　Altera高端產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)David Greenfie
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) Altera DDR3 存儲(chǔ)器

2008年存儲(chǔ)行業(yè)十大預(yù)測(cè)：控制碳排放量居首

　　日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司公布了其對(duì)2008年存儲(chǔ)行業(yè)的十大預(yù)測(cè)與觀點(diǎn)，其中控制碳排放量被認(rèn)為是繼虛擬化之后沖擊市場(chǎng)的最熱門、最具創(chuàng)新性的技術(shù)。在日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司首席技術(shù)官 Hu Yoshida的博客中，提出的2008年存儲(chǔ)行業(yè)十大趨勢(shì)預(yù)測(cè)分別是：　　1.綠色存儲(chǔ)：控制碳排放量　　隨著對(duì)全球變暖的關(guān)注日益增加，我們將會(huì)看到更多政府會(huì)圍繞碳排放量頒布相應(yīng)的法規(guī)和法律。主要企業(yè)也會(huì)制定目標(biāo)，減少碳排放量。發(fā)電是碳排放產(chǎn)生的一個(gè)主要來源，而企業(yè)計(jì)算能力、網(wǎng)絡(luò)帶寬和存儲(chǔ)容量的不斷增長對(duì)數(shù)據(jù)中心的能耗和冷卻能力提
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 日立傳感器 RFID 存儲(chǔ)器

三季磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)容量增長近50%

　　市場(chǎng)調(diào)研廠商IDC在本周四發(fā)表的一份報(bào)告中表示，今年第三季度銷售的磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)容量較上年同期增長了近50%，在大多數(shù)類型的磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)領(lǐng)域，EMC仍然是領(lǐng)頭羊。　　IDC在一份新聞稿中說，第三季度銷售的磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)━━包括內(nèi)置和外圍系統(tǒng)，網(wǎng)絡(luò)連接存儲(chǔ)(NAS)、開放存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(Open SAN)的容量達(dá)到了1.3Exa字節(jié)。這一數(shù)字較上年同期增長了49.4%。　　IDC表示，所有類型磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的銷售收入較上年同期增長了4.3%，而為63億美元。　　據(jù)IDC稱，在外置式存儲(chǔ)系統(tǒng)、NAS、
關(guān)鍵字：測(cè)試測(cè)量磁盤存儲(chǔ) 存儲(chǔ)器

串行FLASH存儲(chǔ)器在小型LED顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用

　　LED顯示屏由于其具有耗電少、使用壽命長、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，已經(jīng)成為新一代的信息傳播媒體工具。LED與LCD相比較最突出的特點(diǎn)是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況用標(biāo)準(zhǔn)LED單元板拼制。按安裝位置可分為：室外、半室外和室內(nèi);按顏色可分為：?jiǎn)紊?、雙基色和彩色;按發(fā)光二極管點(diǎn)距可分為：φ5.0，φ3.75及φ3.0等。本文以市場(chǎng)上常見的室內(nèi)雙色LED單元板為控制對(duì)象，說明基于STC單片機(jī)的LED顯示屏控制系統(tǒng)工作原理以及數(shù)據(jù)組織方法。　　1 標(biāo)準(zhǔn)雙色LED單元板的硬
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) LED 存儲(chǔ)器顯示系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

第3季度存儲(chǔ)出貨量同比增長16.4% EMC領(lǐng)先

　　2007年第3季度存儲(chǔ)系統(tǒng)整體市場(chǎng)存儲(chǔ)出貨量為5992.6TB，相比上季度增長了16.4%，市場(chǎng)價(jià)值為15.2億元，相比上季度增長了10.9%，本季度是行業(yè)采購高峰，高端存儲(chǔ)出貨量有所增多。與去年同期相比，存儲(chǔ)出貨量增長了20.4%，市場(chǎng)價(jià)值增長了17.8%，存儲(chǔ)市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入高速發(fā)展期，預(yù)計(jì)今后三個(gè)季度仍將保持20%以上的同比增長率。　　從行業(yè)市場(chǎng)分布來看，受大行業(yè)集中采購的影響，政府、教育行業(yè)的市場(chǎng)比重較上一季度增加較多，中小企業(yè)市場(chǎng)增長最為迅速，一方面是由于廠商加大了此市場(chǎng)的宣傳力度，另一方面
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 存儲(chǔ)系統(tǒng) IBM HP 存儲(chǔ)器

內(nèi)存芯片廠商減少投資 08年半導(dǎo)體裝備市場(chǎng)轉(zhuǎn)冷

　　12月4日國際報(bào)道本周二，國際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織(SEMI)表示，由于內(nèi)存芯片廠商減少了投資，半導(dǎo)體裝備廠商現(xiàn)在預(yù)計(jì)2008年銷售將減少1.5%，此前預(yù)計(jì)銷售將增長6.5%。　　SEMI將2007年的增長速度預(yù)期由原來的1.1%提高到了3%，并預(yù)計(jì)2007年的銷售額將達(dá)到417億美元，這將是有史以來的第二高。　　SEMI還表示，市場(chǎng)將從2008年下半年開始復(fù)蘇，2009、2010年的銷售增長速度將達(dá)到較高的一位數(shù)。SEMI估計(jì)，2008年市場(chǎng)將萎縮到410.5億美元。　　SEMI總裁斯
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體裝備內(nèi)存存儲(chǔ)器

2015年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)216億美元

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司NanoMarkets最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，包裝、顯示屏、智能卡、傳感器等行業(yè)對(duì)柔性大面積電子電路的需求將推動(dòng)有機(jī)晶體管和存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)在2015年達(dá)到216億美元。雖然有機(jī)存儲(chǔ)芯片的增長低于有機(jī)薄膜晶體管的增長，但是，它將迅速趕上來。到2015年，將有價(jià)值161億美元的電子產(chǎn)品中將包含有機(jī)存儲(chǔ)芯片。這篇報(bào)告的要點(diǎn)包括：　　
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 芯片晶體管存儲(chǔ)器

內(nèi)存芯片廠商提出新設(shè)計(jì)欲破摩爾定律

　　很多廠商都設(shè)計(jì)出了未來的閃存技術(shù)，但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢? 　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。　　Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)營銷活動(dòng)，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。　　伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對(duì)電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
關(guān)鍵字：閃存芯片 NAND 存儲(chǔ)器

第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達(dá)42億美元

　　市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷售額增長37%，達(dá)到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長勢(shì)頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價(jià)格將下降18%。　　韓國海力士半導(dǎo)體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達(dá)到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%，在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
關(guān)鍵字： NAND 閃存 DRAM 存儲(chǔ)器

基于單片機(jī)的自動(dòng)巡線輪式機(jī)器人控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種自動(dòng)巡線輪式行走機(jī)器人控制系統(tǒng)，采用AT89S52型單片機(jī)作為主控CPU，外加一個(gè)復(fù)雜可鳊程邏輯器件(CPID)協(xié)助CPU處理數(shù)據(jù)，擴(kuò)展了程序參數(shù)存儲(chǔ)器，能夠進(jìn)行檢測(cè)引導(dǎo)線和直流電機(jī)、舵機(jī)的PWM控制。關(guān)鍵詞：控制系統(tǒng)；復(fù)雜可編程邏輯器件；存儲(chǔ)器；光電檢測(cè)；脈沖寬度調(diào)制 1 引言輪式移動(dòng)機(jī)器人是機(jī)器人研究領(lǐng)域的一項(xiàng)重要內(nèi)容．它集機(jī)械、電子、檢測(cè)技術(shù)與智能控制于一體。在各種移動(dòng)機(jī)構(gòu)中，輪式移動(dòng)機(jī)構(gòu)最為常見。輪式移動(dòng)機(jī)構(gòu)之所以得到廣泛的應(yīng)用
關(guān)鍵字：控制系統(tǒng) 復(fù)雜可編程邏輯器件存儲(chǔ)器光電檢測(cè) 脈沖寬度調(diào)制 MCU和嵌入式微處理器

基于FPGA的串行Flash擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點(diǎn)而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低且價(jià)格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會(huì)丟失，因此成為設(shè)計(jì)人員的首選。　　2 M25P80的介紹　　Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲(chǔ)量大，速度快;而串行Fl
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) FPGA Flash 存儲(chǔ)器 MCU和嵌入式微處理器

帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘所具備的優(yōu)勢(shì)

　　1 概述　　隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Dallas Semi-conductor公司提供了無需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲(chǔ)器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數(shù)據(jù)保持10年之久，與EEPROM和其他非易失存儲(chǔ)器不同的是：它不需要考慮系統(tǒng)復(fù)雜性、過度開銷以及可靠性等問題。從1992年出現(xiàn)第一塊FRAM至今，鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)技術(shù)已趨于成熟。　　2 非易失存儲(chǔ)器　　目前，非易失存儲(chǔ)技術(shù)主要有3種：電池備份的SRA
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) DS32X35 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 FRAM 存儲(chǔ)器

RAMTRON的F-RAM存儲(chǔ)器榮獲《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》EDN CHINA創(chuàng)新獎(jiǎng)

　　非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布榮獲業(yè)界知名的《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志EDN China頒發(fā)2007年度創(chuàng)新獎(jiǎng)之優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。Ramtron的FM22L16產(chǎn)品是半導(dǎo)體行業(yè)首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存儲(chǔ)器，獲評(píng)委會(huì)及數(shù)以千計(jì)《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》的讀者選為數(shù)據(jù)IC與可編程邏輯類別的優(yōu)秀產(chǎn)品。　　Ramtron亞太區(qū)域總監(jiān)徐夢(mèng)嵐稱：“我們非常高興獲得業(yè)界知名的《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志頒發(fā)的獎(jiǎng)
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 RAMTRON 存儲(chǔ)器電子設(shè)計(jì)技術(shù) 消費(fèi)電子

內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器MCM69C232及其應(yīng)用

　　內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器CAM(Coment-Addressable Memo-ry)以內(nèi)容進(jìn)行尋址的存儲(chǔ)器，是一種特殊的存儲(chǔ)陣列RAM。它的主要工作機(jī)制就是將一個(gè)輸入數(shù)據(jù)項(xiàng)與存儲(chǔ)在CAM中的所有數(shù)據(jù)項(xiàng)自動(dòng)同時(shí)進(jìn)行比較，判別該輸入數(shù)據(jù)項(xiàng)與CAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)項(xiàng)是否相匹配，并輸出該數(shù)據(jù)項(xiàng)對(duì)應(yīng)的匹配信息。美Motorola公司的CAM芯片MCM69C232在市場(chǎng)上是性價(jià)比較高的產(chǎn)品，因而被廣泛地應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、模式識(shí)別等領(lǐng)域，其用于數(shù)據(jù)檢索的優(yōu)勢(shì)是軟件無法比擬的，可以極大地提高系統(tǒng)性能。　　1 MCM69C23
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器 CAM 存儲(chǔ)器

移動(dòng)存儲(chǔ)器全面解析

似乎每天都有新的海量存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)問世。CompactFlash(CF)曾一度獨(dú)步天下，但是今天，新設(shè)備制造商不得不在CF、安全數(shù)據(jù)(SD)、SDIO、多媒體存儲(chǔ)卡(MMC)、RS-MMC、MMC Plus、MemoryStick、XD-Picture(XD)和CE-ATA等等這些海量存儲(chǔ)器之間做出選擇。有時(shí)，一種新標(biāo)準(zhǔn)具有明顯優(yōu)勢(shì)；而另外一些時(shí)候，新標(biāo)準(zhǔn)和已有標(biāo)準(zhǔn)又像是在重蹈Betamax與VHS格式間的對(duì)決，在先期很難看到誰將取得勝利。 CF標(biāo)準(zhǔn)是所有小型海量存儲(chǔ)器的鼻祖，10多年前
關(guān)鍵字：移動(dòng) 存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)

共1627條 70/109 |‹ « 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]