存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

提高DFT設(shè)計測試覆蓋率的有效方法

伴隨著現(xiàn)代大規(guī)模集成電路制造工藝的快速發(fā)展，設(shè)計工程師必需直面芯片制造過程中可能產(chǎn)生的物理缺陷?，F(xiàn)...
關(guān)鍵字：寄存器邏輯存儲器 RTL 接口掃描模擬

Ramtron的64千位串行F-RAM存儲器達到汽車電子AEC-Q100標準

　　Ramtron International Corporation擴展其符合AEC-Q100標準要求的F-RAM存儲器產(chǎn)品，F(xiàn)M24CL64 64千位 (Kb) 串行F-RAM已通過認證，可在 -40至 +85℃ 的Grade 3汽車溫度范圍內(nèi)使用。FM24CL64是Ramtron不斷擴充的通過Grade 1 (+125℃) 和Grade 3 AEC-Q100認證的汽車存儲器產(chǎn)品的一部分。　　FM24CL64已設(shè)計用于高級汽車音頻平臺，其中F-RAM用于快速頻繁地記錄動態(tài)數(shù)據(jù)，并保持數(shù)據(jù)的完整性，
關(guān)鍵字： Ramtron 存儲器汽車電子 AEC

功率半導體應(yīng)用提速電源管理芯片一馬當先

　　電力、電子兩大領(lǐng)域并行發(fā)展　　功率半導體器件在其發(fā)展的初期(上世紀60年代-80年代)主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)，近二十年來，隨著4C產(chǎn)業(yè)(通信、計算機、消費電子、汽車)的蓬勃發(fā)展，功率半導體器件的應(yīng)用范圍有了大幅度的擴展，已滲透到國民經(jīng)濟與國防建設(shè)的各個領(lǐng)域，其技術(shù)已成為航空、航天、火車、汽車、通訊、計算機、消費類電子、工業(yè)自動化和其他科學與工業(yè)部門的至關(guān)重要的基礎(chǔ)。　　過去，通常把大規(guī)模集成電路和功率半導體器件的關(guān)系比喻為大腦和四肢，因為大規(guī)模集成電路的作用是接受和處理信息，而功
關(guān)鍵字：半導體 4C產(chǎn)業(yè) 集成電路存儲器電源管理

ADI擴展電能計量產(chǎn)品定位高級電能監(jiān)控

　　Analog Devices推出的兩款針對電能市場中日益復雜的通信網(wǎng)絡(luò)要求而設(shè)計的ADE51xx和ADE55xx單芯片計量器件，擴展了其領(lǐng)先市場的電能計量產(chǎn)品系列。全球來看，固態(tài)電子式電能表正逐步替代故障率高、容易竊電且不易于支持諸如遠程抄表和分時計費等新功能的機電式電能表。而這些新功能的實現(xiàn)以及對計量網(wǎng)絡(luò)更高的可靠性要求使得其需要更大的存儲器容量，以滿足電能行業(yè)日益增長的數(shù)據(jù)量要求。ADI公司的新款SoC（片上系統(tǒng)）電能計量IC集成了62 KB的片內(nèi)閃存和2 KB的RAM（隨機存取存儲器），與其它同
關(guān)鍵字： SoC ADI 計量電能存儲器

基于SPCE061A的通用漢字文本播音系統(tǒng)

　　0引言　　嵌入式語音播放系統(tǒng)應(yīng)用日益廣泛。漢字語音播放的方法有錄音芯片法、語音合成芯片法及漢字語音庫法等。Flash存儲器容量不斷增大，利用Windows的Speech SDK可以方便地提取漢字語音文件，因此漢字語音庫法得以廣泛應(yīng)用。　　漢字語音庫法可分為專用語音播放和通用語音播放兩類。專用語音播放系統(tǒng)只存儲少量固定的語音資源，只需較小的存儲容量，但應(yīng)用范圍有限。通用語音播放系統(tǒng)存儲所有不同讀音漢字的單字語音資源，可實現(xiàn)任意文本組合的語音播放，適用于播放內(nèi)容經(jīng)常更新的場合。本系統(tǒng)由1220個不
關(guān)鍵字：嵌入式漢字語音存儲器單片機

財報分析存儲器疲軟拖累全局產(chǎn)業(yè)整合愈加頻繁

　存儲器市場的持續(xù)低迷，使半導體整體市場表現(xiàn)受到拖累。而業(yè)內(nèi)公司紛紛祭出產(chǎn)業(yè)整合的法寶，或斷尾求生，或抱團取暖?？傊?，當半導體行業(yè)再次走出低谷之后，我們又將看到許多陌生的面孔。　最近，全球各大半導體公司陸續(xù)公布了2008年第一季度的財報，通過比較各公司的業(yè)績表現(xiàn)可以看出：存儲器市場在今年第一季度繼續(xù)了去年的頹勢，受此影響，全球半導體市場整體表現(xiàn)欠佳；為了在市場競爭中占據(jù)主動，很多企業(yè)強調(diào)專注于自身最
關(guān)鍵字：存儲器半導體 DRAM

12英寸芯片建線升溫贏利能力決定成敗

　　芯片制造已經(jīng)全面進入12英寸線時代，根據(jù)SEMI(國際半導體設(shè)備及材料協(xié)會)提供的資料，到2008年底全球12英寸生產(chǎn)線將達到73條，月產(chǎn)能將超過620萬片。在這一市場潮流下，12英寸芯片制造在我國內(nèi)地也不斷升溫。北京、上海、無錫等地的4條12英寸生產(chǎn)線已經(jīng)陸續(xù)投入量產(chǎn)，而武漢、大連、蘇州、深圳等地也有多條12英寸生產(chǎn)線在建或擬建。　　投資12英寸線符合產(chǎn)業(yè)規(guī)劃　　今年年初，蘇州禾發(fā)科技12英寸芯片生產(chǎn)項目引起了業(yè)界的關(guān)注，根據(jù)該項目“環(huán)境影響評價公示”的內(nèi)容，生產(chǎn)線將
關(guān)鍵字：芯片存儲器

Microchip推出單I/O總線串行EEPROM系列

　　全球領(lǐng)先的單片機和模擬半導體供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今天宣布推出最新的總共10款具備單I/O總線接口的串行EEPROM器件系列。新器件支持Microchip待批專利的UNI/O存儲器件協(xié)議 (美國專利商標局USPTO專利號7,376,020，將于2008年5月20日發(fā)布) 。11XX010、11XX020、11XX040、11XX080及11XX160是業(yè)內(nèi)首批能支持從10kHz至100kHz范圍內(nèi)任意數(shù)據(jù)速率的單I/O
關(guān)鍵字： Microchip EEPROM 存儲器

DSP處理器與FLASH存儲器的接口設(shè)計

DSP與FLASH存儲器的接口設(shè)計是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的一項重要技術(shù)，本文以基于三個C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實時系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計技術(shù)。
關(guān)鍵字： FLASH DSP 處理器存儲器

八大趨勢改變存儲走向

　　森哲的科學家們認為有八個趨勢將會改變數(shù)據(jù)中心--存儲以及所有其他。全球服務(wù)機構(gòu)埃森哲的首席科學家Kishore Swaminathan每隔五年都會同同事們交換看法，研討未來三到五年內(nèi)推動IT發(fā)展的主要因素。埃森哲將會根據(jù)這些趨勢來指導其產(chǎn)品和服務(wù)的投資、營銷、培訓、以及其他活動。　　今年的研究結(jié)果同存儲管理者有一些關(guān)系--而且你的職位越高，就越會受到影響。Swaminathan說：廣義上說，我們的結(jié)論是首席信息官的角色今后將有很大變化。　　埃森哲預計在IT領(lǐng)域內(nèi)的這個巨大變動將深刻地改
關(guān)鍵字：存儲器數(shù)據(jù)中心

存儲器兼并大戰(zhàn)開始打響

　　?目前全球存儲器市場因供過于求及價格下降過快，已經(jīng)到了不可收拾的地步。目前唯一的辦法，是讓一家或幾家首先壓縮產(chǎn)能，來緩和供需矛盾，促使存儲器價格的回升。因此業(yè)界共識，全球存儲器市場的兼并重組在即。???? ? ????全球存儲器業(yè)的震蕩在業(yè)界習以為常，中間最大的變化有兩次。一次是上世紀80年代日本依靠嚴格的質(zhì)量管理等，利用計算機中存儲器的爆炸性應(yīng)用市場，一舉超過美國成為全球最大的芯片制造地區(qū)，市場占
關(guān)鍵字：存儲器三星 DRAM

基于微控制器的web服務(wù)器設(shè)計

　　摘要: 近年來,隨著計算機軟硬件技術(shù)的迅速發(fā)展,計算機的應(yīng)用己逐漸深入各個領(lǐng)域。基于WEB方式和SNMP方式是目前兩種流行的網(wǎng)絡(luò)管理方式。本文介紹了基于RABBIT 2000微控制器,不帶操作系統(tǒng)的嵌入式WEB服務(wù)器的設(shè)計,并且介紹了基于ARM7TDMI處理器,及其接口電路的硬件電路與軟件的設(shè)計,本系統(tǒng)成本低廉,用戶通過WEB瀏覽器就可以管理設(shè)備。　　關(guān)鍵字: SNMP;微控制器;嵌入式WEB服務(wù)器　　1 引言　　隨著信息技術(shù)與網(wǎng)絡(luò)的高速發(fā)展,人類開始進入后PC時代。所謂后PC時代,從它原
關(guān)鍵字：微控制器嵌入式接口存儲器

Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC

　　Maxim推出用于DDR高速緩沖存儲器電池備份的集成電源管理IC DS2731。該PMIC集成了單節(jié)Li+電池充電器、控制系統(tǒng)電源和電池電源切換的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、以及用于“調(diào)節(jié)”DDR存儲器電源的2MHz同步降壓調(diào)節(jié)器。這種空前的高度集成特性省去了現(xiàn)有方案中15個以上的分立元件，從而節(jié)省了成本和空間。DS2731能夠兼容DDRII和DDRIII中的PCI Express® 12V電源，非常適合用于RAID服務(wù)器/系統(tǒng)存儲卡、板載RAID (ROMB)以及板載模塊化RAID
關(guān)鍵字： Maxim 電源管理存儲器電池

FPGA如何同DDR3存儲器進行接口?

　　大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III產(chǎn)品營銷經(jīng)理。到目前為止，我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器工作，今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯，如屏幕上所示。　　為了更好地進行演示，我們將使用這里所示的Stratix III DDR3存儲器電路板。它上面有幾個高速雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器，例如DDR2 UDIMM插槽、RLD RAM、QDR，當然，還有DDR3 UDIMM插槽。因此，我們所要做的就是通過Quartus軟件來下載一個簡單設(shè)計，F(xiàn)PGA
關(guān)鍵字： FPGA DDR3 存儲器

中國首個256位分子存儲器電路研制成功

近日，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)實驗室成功研制出國內(nèi)首個256位分子存儲器電路。分子電路是指在分子層次上構(gòu)筑的電子器件及其集成電路，是后摩爾時代接替硅基電路最受關(guān)注的方向之一，它能夠使電子器件的關(guān)鍵尺寸縮小到分子尺度，突破摩爾定律極限，推動集成電路向更小尺寸，更高集成度方向發(fā)展。電阻轉(zhuǎn)變型雙穩(wěn)態(tài)材料的存儲特性在信息存儲以及存儲器方面有著非常廣闊的應(yīng)用前景，是一種天生的存儲材料。具有此類雙穩(wěn)態(tài)特性的分子功能材料由于其低成本、低功耗，并且有潛力將特征尺寸縮小到分子尺度等優(yōu)
關(guān)鍵字：分子存儲器電路

共1630條 68/109 |‹ « 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 » ›|

存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]