存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器

　　耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來(lái)代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下，而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無(wú)需刷新。　　耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗(yàn)樣品，該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長(zhǎng)1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。　　“我們的存儲(chǔ)器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
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一種靈活的包含嵌入式存儲(chǔ)器的FPGA結(jié)構(gòu)

一種靈活的包含嵌入式存儲(chǔ)器的FPGA結(jié)構(gòu),1.引言
傳統(tǒng)上 FPGA只能實(shí)現(xiàn)相對(duì)較小的邏輯電路，隨著工藝技術(shù)的提高， FPGA的容量和性能也不斷提高，如今 FPGA已經(jīng)被用于實(shí)現(xiàn)大的邏輯電路甚至整個(gè)系統(tǒng)。這些大的系統(tǒng)相對(duì)于傳統(tǒng)上一直作為 FPGA市場(chǎng)目標(biāo)的小邏輯分
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6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開(kāi)始發(fā)力

　　市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI Research指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。　　VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(zhǎng)31%，達(dá)24億美元，但較去年6月減少57%。　　VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢(shì)。后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長(zhǎng)，后端工廠產(chǎn)能利用率正在快速增長(zhǎng)
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一種數(shù)字射頻存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)

引言
現(xiàn)代電子戰(zhàn)孕育了DRFM的誕生，數(shù)字射頻存儲(chǔ)器是一種對(duì)射頻信號(hào)采樣、存儲(chǔ)、運(yùn)算然后轉(zhuǎn)發(fā)的電子部件。DRFM對(duì)樣本信息保存下來(lái)后，根據(jù)需要加入調(diào)制信息；再通過(guò)高速DAC轉(zhuǎn)發(fā)出去，實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)的有效干擾。隨
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海力士41納米通過(guò)認(rèn)證　切入蘋果供應(yīng)鏈

　　海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開(kāi)始活躍起來(lái)，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈，獲得認(rèn)證通過(guò)，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 　　海力士2008年下半開(kāi)始，NAND Flash出貨量變得相當(dāng)少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤，導(dǎo)致虧損
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分析：臺(tái)灣芯片制造商面臨考驗(yàn)

　　一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于臺(tái)灣芯片制造商而言，科技行業(yè)的變革是好消息。　　自從上世紀(jì)80年代，臺(tái)灣政府成立臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)華電子(UnitedMicroelectronicsCompany)以來(lái)，臺(tái)灣半導(dǎo)體行業(yè)已發(fā)展成為世界芯片工廠。　　英特爾(Intel)亞太區(qū)總裁孫納頤(NavinShenoy)表示，這基本上是通過(guò)“贏在轉(zhuǎn)型”而實(shí)現(xiàn)的。　　在從臺(tái)式電腦向筆記本電腦的轉(zhuǎn)型過(guò)程中，臺(tái)灣半導(dǎo)體集團(tuán)和電腦制造商“非常明智地提前參與了進(jìn)來(lái)”。　　通過(guò)
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某型數(shù)字射頻存儲(chǔ)器模數(shù)轉(zhuǎn)換接口設(shè)計(jì)研究

數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(DRFM)采用高速采樣和數(shù)字存儲(chǔ)作為其技術(shù)基礎(chǔ)，具有對(duì)射頻和微波信號(hào)的存儲(chǔ)和再現(xiàn)能力，可實(shí)現(xiàn)對(duì)雷達(dá)設(shè)備性能的無(wú)線檢測(cè)。但DRFM系統(tǒng)模擬前端一直是保證系統(tǒng)高速高精度信號(hào)采集與回放的設(shè)計(jì)難點(diǎn)。本文以實(shí)際工程項(xiàng)目為背景，著重論述了在本項(xiàng)目中解決DRFM系統(tǒng)模擬前端設(shè)計(jì)中諸多難題的方法。
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市場(chǎng)存疑慮面板漲勢(shì)稍歇

　　在友達(dá)(2409)法說(shuō)會(huì)前夕，面板股22日表現(xiàn)普遍回檔休息，由于面板報(bào)價(jià)7月下旬凍漲，又市調(diào)機(jī)構(gòu)WitsView 提出警告，新世代面板產(chǎn)能逐漸開(kāi)出，7-8月面板價(jià)格將是今年高點(diǎn)，因此友達(dá)法說(shuō)行情跟著凍結(jié)，面板股稍作休息。　　根據(jù)顯示器某市調(diào)機(jī)構(gòu)指出，由于7月上旬面板價(jià)格漲勢(shì)太過(guò)猛烈，導(dǎo)致下游廠措手不及，要求面板廠暫緩漲價(jià)，觀察終端市場(chǎng)對(duì)于產(chǎn)品漲價(jià)的反應(yīng)，再?zèng)Q定8月報(bào)價(jià)是否該調(diào)漲。　　上旬漲勢(shì)兇下游措手不及　　由于受限玻璃基板供應(yīng)短缺，預(yù)期第3季面板出貨量成長(zhǎng)有限，因此各家面板廠無(wú)不希望調(diào)
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FLASH存儲(chǔ)器的測(cè)試方法研究

1．引言隨著當(dāng)前移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展和移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的高速擴(kuò)大，F(xiàn)LASH型存儲(chǔ)器的用量迅速增長(zhǎng)。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點(diǎn)，在移動(dòng)產(chǎn)品中非常適用。市場(chǎng)的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)、
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三星增資臺(tái)灣DRAM廠面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)

　　三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲(chǔ)器先進(jìn)制程，對(duì)于臺(tái)灣DRAM廠來(lái)說(shuō)，又將面臨一次嚴(yán)峻的考驗(yàn)。　　DRAM廠目前最欠缺的就是金援，以現(xiàn)在全球DRAM業(yè)者來(lái)看，很難靠一己之力對(duì)外籌資。也因此，包括韓國(guó)、日本等國(guó)政府都已出手金援，相形之下，臺(tái)灣DRAM廠迄無(wú)政府資金奧援，儼然落居劣勢(shì)。　　由于資金壓力緊迫，加上政府產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃仍沒(méi)有進(jìn)一步具體動(dòng)作，甚至連政府挹注TMC資金都還沒(méi)到位，近期臺(tái)塑集團(tuán)旗下南科、華亞科已搶先發(fā)動(dòng)募資計(jì)畫，將有助提升臺(tái)灣DRAM 產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力與韓系業(yè)者勢(shì)力抗衡。　　伴隨
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DRAM廠縮衣節(jié)食　資本支出大幅縮減

　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出，各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食，日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半，全年支出僅約16億美元，但分析師預(yù)估，將海力士的自有廠房與意法半導(dǎo)體在大陸合資的無(wú)錫廠一并計(jì)算，2009年的總資本支出也頂多10億美元，較目前規(guī)劃的金額減少6億美元，充分反應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)看法的保守;此外，臺(tái)系DRAM廠只有南亞科和華亞科下半年轉(zhuǎn)進(jìn)50納米，2009年資本支出規(guī)劃超過(guò)新臺(tái)幣100億元，力晶資本支出不到50億美元，茂德更無(wú)資本支出可言。　　DRAM業(yè)者表示，以
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半導(dǎo)體投資放緩導(dǎo)致產(chǎn)能下降明年芯片廠投資增60%

　　根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備權(quán)威機(jī)構(gòu)SEMI的報(bào)道，由于今年半導(dǎo)體投資迅速下降，導(dǎo)致全球產(chǎn)能下降。　　SEMI認(rèn)為如果半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速與全球經(jīng)濟(jì)同步復(fù)蘇，目前的低投資水平無(wú)法滿足需求。　　SEMI預(yù)計(jì)明年芯片廠投資將增加60%。　　然而，2009年在很低水平，如08年用于芯片廠房建設(shè)投資為46億美元，而09年僅16億美元。預(yù)計(jì)明年為28億歐元。　　全球半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)于2008年消費(fèi)260億美元，2009年為140億美元，而2010年預(yù)計(jì)為220億美元。　　總的半導(dǎo)體用于廠房投資，包括設(shè)施及設(shè)備，2
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FPGA相關(guān)技術(shù)助力高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

高性能系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在滿足關(guān)鍵時(shí)序余量的同時(shí)要力爭(zhēng)獲得更高性能，而存儲(chǔ)器>存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)則是一項(xiàng)艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來(lái)把數(shù)據(jù)和時(shí)鐘(或選通脈沖)由發(fā)射器
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VLSI Research：6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1

　　市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI Research指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。　　VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。　　6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(zhǎng)31%，達(dá)24億美元，但較去年6月減少57%。　　VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢(shì)。　　后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長(zhǎng)，后端工廠產(chǎn)能利
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臺(tái)灣DRAM廠面臨內(nèi)憂外患

　　三星破天荒公布第二季獲利預(yù)估，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，業(yè)界認(rèn)為作多意味濃厚，三星主要業(yè)務(wù)涵蓋面板、手機(jī)、半導(dǎo)體晶片等三大領(lǐng)域，以現(xiàn)況來(lái)看，面板需求暢旺無(wú)虞，但半導(dǎo)體芯片，尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲(chǔ)領(lǐng)域，則仍有觀察空間。　　近來(lái)包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內(nèi)外大廠，紛紛看好下半年DRAM價(jià)格走勢(shì)，為市場(chǎng)信心吞下一顆定心丸。　　但業(yè)界憂心，三星第二季整體獲利超乎市場(chǎng)預(yù)期，在記憶體價(jià)格仍未見(jiàn)明顯起色下，是否會(huì)以其他部門的獲利，來(lái)彌補(bǔ)存儲(chǔ)事業(yè)虧損，進(jìn)而持續(xù)以&
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]