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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 光刻

ASML官網(wǎng)顯示：支持7nm高端DUV光刻機仍可出口

  • 荷蘭政府宣布了限制某些先進半導體設備出口的新規(guī)定，這些規(guī)定將于9月1日生效。具體而言，荷蘭政府將要求先進芯片制造設備的公司在出口之前須獲得許可證。ASML在其官網(wǎng)發(fā)表聲明稱，該公司未來出口其先進的浸潤式DUV光刻系統(tǒng)（即TWINSCAN NXT:2000i及后續(xù)浸潤式系統(tǒng)）時，將需要向荷蘭政府申請出口許可證。而ASML強調，該公司的EUV系統(tǒng)的銷售此前已經(jīng)受到限制。據(jù)ASML官網(wǎng)提供的信息，該公司目前在售的主流浸沒式DUV光刻機產品共有三款，分別是：TWINSCAN NXT:1980Di、TWINSCAN
  • 關鍵字： ASML  芯片制造  DUV  光刻  

事關EUV光刻技術，中國廠商公布新專利

  • 近日，據(jù)國家知識產權局官網(wǎng)消息，華為技術有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術相關的專利，專利申請?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關鍵技術之一。隨著半導體工藝向7nm及以下節(jié)點的推進，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。相關技術的EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個子光束具有固定的相位關系，當
  • 關鍵字： EUV  光刻  華為  

包括光刻！美國禁運6項關鍵技術

  • 近日美國商務部工業(yè)安全局（BIS）宣布將六項新興技術添加到《出口管理條例》（EAR）的商務部管制清單（CCL）中。據(jù)了解，目前受到出口管制的新興技術總數(shù)已經(jīng)達到了37項。美國商務部在官網(wǎng)發(fā)布公告中寫道：“此舉是為了支持關鍵及新興技術這一國家戰(zhàn)略.”“關鍵技術和新興技術國家戰(zhàn)略是保護美國國家安全，確保美國在軍事、情報和經(jīng)濟事務中保持技術領先地位的重要戰(zhàn)略部署?！泵绹虅詹坎块LWilbur Ross說道，并表示“美國商務部已經(jīng)對30多種新興技術的出口實施了管控，我們將繼續(xù)評估和確定未來還有哪些技術需要管控
  • 關鍵字： 光刻  

臺積電公布3納米光刻規(guī)劃及未來路線

  • 臺積電昨天召開了第一次虛擬技術研討會，公布了3納米光刻及未來路線計劃。過去幾年，臺積電已經(jīng)與英特爾旗鼓相當，在半導體領域占據(jù)了領導地位。在今年年初英特爾宣布推遲其7納米工藝后，臺積電正抓住機會，以行業(yè)領導者的身份繼續(xù)“攻城略地”。據(jù)臺積電高級副總裁米玉杰表示，該公司有計劃繼續(xù)提供有意義的節(jié)點改進，直到N3及以下?？偟膩碚f，7納米得到了一系列產品系列的支持，而不僅僅是單一的芯片類型或類別，它貢獻了臺積電2020年第二季度36%的收入。接下來，關于N5和N6節(jié)點的一些更新。根據(jù)臺積電的說法，N6比N5的邏輯密
  • 關鍵字： 臺積電  3納米  光刻  

Intel/臺積電/ASML齊捧EUV光刻：捍衛(wèi)摩爾定律

  • 日前，中國國際半導體技術大會（CSTIC）在上海開幕，為期19天，本次會議重點是探討先進制造和封裝。其中，光刻機一哥ASML（阿斯麥）的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進工藝的設備，EUV技術已經(jīng)被廣泛認為是突破摩爾定律瓶頸的關鍵因素之一。Yen援引統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，截至2019年第四季度，ASML當年共售出53臺EUV NXE：3400系列EUV光刻機，使用EUV機器制造的芯片產量已經(jīng)達到1000萬片。他說，EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電
  • 關鍵字： Intel  臺積電  ASML  EUV  光刻  摩爾定律  

泛林集團發(fā)布應用于EUV光刻的技術突破

  • 近日，泛林集團發(fā)布了一項用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術。泛林集團研發(fā)的這項全新的干膜光刻膠技術，結合了泛林集團在沉積、刻蝕工藝上的領導地位及其與阿斯麥?(ASML) 和比利時微電子研究中心?(imec)?戰(zhàn)略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產率和良率。泛林集團的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢，從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。由于領先的芯片制造商已開始將EUV光刻系統(tǒng)應用于大規(guī)模量產，進一步提升生產率和分辨率將幫助他們以更合理
  • 關鍵字： EUV  光刻  

日韓決裂，半導體誰最受傷？

  • 6月末也是在大阪召開G20結束的時間，此次出口限制可謂是對韓國企業(yè)的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時的“日本偷襲珍珠港”。
  • 關鍵字： 日韓貿易戰(zhàn)  半導體  光刻  DRAM  

首次加入EUV極紫外光刻！臺積電二代7nm+工藝已量產

  • 臺積電官方宣布，已經(jīng)開始批量生產7nm N7+工藝，這是臺積電第一次、也是行業(yè)第一次量產EUV極紫外光刻技術，意義非凡，也領先Intel、三星一大步。
  • 關鍵字： 光刻  臺積電  7nm  

芯片是如何被制造出來的？芯片光刻流程詳解

  • 　　在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現(xiàn)功能。現(xiàn)代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復制一種刻蝕在油紙上的印痕(圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的復制品。
  • 關鍵字： 芯片，光刻  

我國成功研制出的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備？

  • 　　昨天關于中國成功超分辨率光刻機的新聞刷爆了朋友圈，這個新聞出來以后，輿論出現(xiàn)了兩個極端，一堆人說很牛，一堆人說吹牛。那么這兩種說法到底誰對誰錯呢?　　我們先看一下新聞：　　由中國科學院光電技術研究所主導的項目“超分辨光刻裝備研制”29日通過驗收?！　∵@是我國成功研制出的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研制，光刻分辨力達到22納米，結合多重曝光技術后，可用于制造10納米級別的芯片?！　≈锌圃豪砘夹g研究所許祖彥院士等驗收組專家一致表示，該光刻機在365nm光源波長
  • 關鍵字： 光刻  芯片  

基于模型的建議：光刻友好設計成功的導航

  • 如今對于一些技術節(jié)點，設計人員需要在晶圓代工廠流片和驗收之前進行光刻友好設計(Litho Friendly Design) 檢查。由于先進節(jié)點的解析度增進技術(RET) 限制，即使在符合設計規(guī)則檢查 (DRC) 的設計中，我們仍看到了更多的制造問題。
  • 關鍵字： 模型  光刻  DRC  MBH  

“合肥造”光刻設備將打破國外壟斷

  • 　　中國芯片制造業(yè)高端裝備一直以來依賴國外進口，尤其是高端光刻設備受到西方封鎖，有錢也買不到，或是毫無競價權，國內進口集成電路裝備采購每年達數(shù)十億美元。在高新區(qū)的合肥芯碁微電子裝備有限公司，正在通過自主創(chuàng)新，改變這種現(xiàn)況。 　　據(jù)介紹，合肥芯碁微電子裝備有限公司主要經(jīng)營微電子高端裝備研發(fā)、制造、技術服務。公司技術團隊是以曾承接國家02重大科技專項《130—65nm制版光刻設備及產業(yè)化》項目核心人員為基礎，結合國內外業(yè)界精英組成，60%以上碩博士。團隊骨干均為國內首創(chuàng)激光直寫光刻設備、激光曝光
  • 關鍵字： 光刻  芯片  

晶圓制造人才告急，校企聯(lián)動與在職培訓缺一不可

  • 摘要：近日，明導公司與北京理工大學合作創(chuàng)建了光電聯(lián)合實驗室。合作儀式期間，部分專家學者談到目前晶圓制造人才非常缺乏，人才培養(yǎng)迫在眉睫。
  • 關鍵字： 晶圓  OPC  RET  光刻  201407  

Molecular Imprints 將為半導體大批量制造提供先進光刻設備

  • 　Molecular Imprints, Inc. (MII) 是高分辨率與低擁有成本納米圖案成形系統(tǒng)和解決方案的技術領導商。MII 將利用其創(chuàng)新的 Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?) 技術成為半導體存儲設備大批量圖案成形解決方案的全球市場和技術領導商
  • 關鍵字： 半導體  光刻  

SEMI：2013年全球光刻掩膜板市場預計可達33.5億美元規(guī)模

  • 技術問題更讓人頭痛，隨著線寬必須不斷縮小的趨勢下，廠商面臨諸多艱巨的挑戰(zhàn)，更多先進的光刻掩膜板工具和材料必須應運而生，但卻僅有部份的客戶會轉移至更小尺寸的產品，而且似乎對于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深，因此批發(fā)式光刻掩膜板產業(yè)必須在一個正在萎縮的市場上找到它的平衡點，既能進行技術升級發(fā)展也能兼顧資本成本。 　　SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》，對2011年的光刻掩膜板市場提供詳細的分析，并以全球七個主要地區(qū)，包括北美、日本、歐洲、臺灣、
  • 關鍵字： 光刻  掩膜板  
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光刻介紹

光刻 　　利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知，但長期以來由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代，美國制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術才迅速發(fā)展起來，并開始用在半導體工業(yè)方面。光刻是制造高級半導體器件和大規(guī)模集成電路的關鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細 ]

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