Intel/臺(tái)積電/ASML齊捧EUV光刻：捍衛(wèi)摩爾定律

日前，中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)（CSTIC）在上海開幕，為期19天，本次會(huì)議重點(diǎn)是探討先進(jìn)制造和封裝。

其中，光刻機(jī)一哥ASML（阿斯麥）的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進(jìn)工藝的設(shè)備，EUV技術(shù)已經(jīng)被廣泛認(rèn)為是突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一。

Yen援引統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至2019年第四季度，ASML當(dāng)年共售出53臺(tái)EUV NXE：3400系列EUV光刻機(jī)，使用EUV機(jī)器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到1000萬(wàn)片。他說(shuō)，EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電路的最關(guān)鍵武器。

Yen還指出，三星電子于2020年3月宣布正式采用EUV光刻設(shè)備制造10nm DRAM芯片，預(yù)計(jì)2021年將大量使用這些設(shè)備來(lái)支持先進(jìn)的DRAM工藝。

臺(tái)積電研發(fā)副總裁Doug Yu則在會(huì)上提及，Chiplet小芯片系統(tǒng)封裝技術(shù)被認(rèn)為是擴(kuò)展摩爾定律有效性的另一種武器，它認(rèn)為Chiplets可以促進(jìn)芯片集成、降低研發(fā)成本、提高成品率和實(shí)現(xiàn)高性能計(jì)算以及設(shè)計(jì)和架構(gòu)創(chuàng)新。Yu透露，臺(tái)積電開發(fā)了LIPINCONTM(低壓封裝互連)技術(shù)，數(shù)據(jù)傳輸速度為8GB/s/pin，旨在優(yōu)化芯片的性能。

除前端工藝技術(shù)外，臺(tái)積電還熱衷于開發(fā)先進(jìn)的封裝工藝，最新的3D SoIC封裝技術(shù)將于2021年進(jìn)入批量生產(chǎn)，這將促進(jìn)高性能芯片的成本效益生產(chǎn)。

值得一提的是，Intel院士Ravi Mahajan援引Yole的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)稱，2024年先進(jìn)的封裝市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)到440億美元，這促使Intel加緊在2.5D和3D封裝業(yè)務(wù)中的部署。

Intel所謂的2.5D封裝即EMIB多芯片互聯(lián)，封裝尺度目前是55nm，3D封裝則是Foveros，尺度50nm。Intel正致力于將EMIB推進(jìn)到30-45 nm，3D Foveros推進(jìn)到20~35nm。