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光刻 文章 最新資訊

美科學(xué)家設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)便快速的納米電線制造方法

  • 　　美科學(xué)家設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)便快速的納米電線制造方法，只需加熱即可將氧化石墨烯轉(zhuǎn)為導(dǎo)電物質(zhì) 　　據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)6月10日?qǐng)?bào)道，美國(guó)一聯(lián)合研究小組稱(chēng)，他們?cè)诶檬┲圃旒{米電路領(lǐng)域獲得了突破：設(shè)計(jì)出了簡(jiǎn)便、快速的納米電線制造方法，能夠 調(diào)諧石墨烯的電學(xué)特征，使氧化石墨烯從絕緣物質(zhì)變成導(dǎo)電物質(zhì)。這被認(rèn)定為石墨烯電子學(xué)領(lǐng)域的一項(xiàng)重要發(fā)現(xiàn)，相關(guān)研究報(bào)告發(fā)表在6月11日出版的《科學(xué)》雜 志上。 　　納米電路的研究人員之所以對(duì)于石墨烯的研究頗具熱忱，是因?yàn)榕c硅相比，電子在石墨烯內(nèi)移動(dòng)時(shí)會(huì)受到更小的阻力，而硅晶體管
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SUSS MicroTec推出面向LED市場(chǎng)的專(zhuān)用光刻系統(tǒng)

  • 　　SUSS MicroTec，全球知名的半導(dǎo)體行業(yè)及相關(guān)設(shè)備和工藝解決方案供應(yīng)商，推出新一代MA100e光刻機(jī)，專(zhuān)用于高亮度發(fā)光二極管(HB-LEDs)生產(chǎn)。MA100e基于SUSS MicroTec光刻機(jī)經(jīng)典設(shè)計(jì)，具有最大至4英寸的載片能力，每小時(shí)產(chǎn)量可達(dá)145片，業(yè)界領(lǐng)先。 　　電視機(jī)、顯示器等對(duì)LED背光的需求急劇增長(zhǎng)，LED設(shè)備生產(chǎn)商必須盡力滿(mǎn)足這一市場(chǎng)增長(zhǎng)需要。LED行業(yè)對(duì)成本很敏感，所以SUSS MicroTec設(shè)計(jì)的MA100e Gen2自動(dòng)光刻機(jī)在成本控制方面極具競(jìng)爭(zhēng)力。設(shè)備配置的高照
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新型高科技芯片有望使海水變成淡水

  • 　　[導(dǎo)讀]將海水變?yōu)槿祟?lèi)可以飲用的淡水一直是一個(gè)吃力不討好的差事，它耗能大、水質(zhì)又差，現(xiàn)在MIT的科學(xué)家們制造的芯片可以更好地完成這個(gè)工作。 　　雖然地球表面有超過(guò)70%被水覆蓋，但是我們可以直接使用的淡水卻并不算多。海洋中的苦澀咸水占了總水量的97.5%，剩下的淡水又大部分集中在南北極和冰川上。數(shù)百萬(wàn)年來(lái)，人類(lèi)只能依靠?jī)H占總水量0.2%的淡水生存。 　　將海水變?yōu)榈莻€(gè)歷史悠久的課題。雖然早在1954年人們就修建了大規(guī)模的海水淡化廠，但是直到目前為止，最常見(jiàn)的海水脫鹽方式依然是半透膜反滲透或者多
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IMEC讓前TSMC歐洲總裁來(lái)加強(qiáng)IC業(yè)務(wù)

  • 　　歐洲半導(dǎo)體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場(chǎng)發(fā)展。 　　可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務(wù), 并創(chuàng)造應(yīng)有的價(jià)值。顯然近年來(lái)其pilot生產(chǎn)線中EUV光刻研發(fā)的 費(fèi)用高聳,也難以為繼。 　　近幾年來(lái)IMEC與TSMC的關(guān)系靠近, 之前它的進(jìn)步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著NXP趨向fab lite及TSMC反而增強(qiáng)它在全球的超級(jí)能力,IMEC與TSMC在各個(gè)方面加強(qiáng)合作。 　　IMEC作
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IC設(shè)備國(guó)產(chǎn)化多點(diǎn)突破二手市場(chǎng)尋求整合

  • 　　“工欲善其事，必先利其器。”集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離不開(kāi)裝備制造業(yè)的支撐，而裝備業(yè)的發(fā)展水平也是衡量一個(gè)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)總體水平的重要標(biāo)準(zhǔn)。近年來(lái)，我國(guó)集成電路裝備業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，12英寸設(shè)備在多個(gè)工序?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。但由于8英寸、12英寸集成電路生產(chǎn)線在我國(guó)仍有很大的發(fā)展空間，這也給國(guó)外的二手設(shè)備提供了用武之地，同時(shí)，也給從事設(shè)備翻新的企業(yè)提供了發(fā)展機(jī)遇。 　　12英寸國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)展顯著 　　●多種核心裝備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化 　　●12英寸65納米是下階段重點(diǎn) 　　一條標(biāo)準(zhǔn)的集成電
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張忠謀公開(kāi)臺(tái)積電20nm制程技術(shù)部分細(xì)節(jié)

  • 　　臺(tái)積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過(guò)22nm全代制程，直接開(kāi)發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺(tái)積電公司日前舉辦的技術(shù)會(huì)展上，臺(tái)積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺(tái)積電的下一個(gè)主要制程平臺(tái)，另外，20nm之后，臺(tái)積電還會(huì)跳過(guò)18nm制程。 　　根據(jù)臺(tái)積電會(huì)上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù)，并仍然采用平面型晶體管結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)技術(shù)方面則會(huì)使用HKMG/應(yīng)變硅和較新的“low-r”技術(shù)(即由銅+low-
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未來(lái)三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升

  • 　　DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱(chēng)內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們預(yù)計(jì)從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。 　　不過(guò)內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級(jí)別則一般
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ASML第一季訂單量繼續(xù)增長(zhǎng)

  • 　　荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商ASML的訂單狀況顯示今年第一季情況繼續(xù)好轉(zhuǎn)，投資者將詳細(xì)審視該公司業(yè)績(jī)，以尋找芯片行業(yè)結(jié)構(gòu)性復(fù)蘇的跡象。 　　分析師將該公司的訂單情況視作英特爾和臺(tái)積電等大型芯片生產(chǎn)商業(yè)績(jī)預(yù)估的風(fēng)向標(biāo)。 　　根據(jù)路透調(diào)查，第一季半導(dǎo)體光刻設(shè)備訂單料為43筆，多于前一季的40筆。 　　ASML是全球最大的光刻設(shè)備生產(chǎn)商，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括日本的Nikon和佳能。 　　分析師預(yù)計(jì)ASML第一季凈利為9,900萬(wàn)歐元(1.324億美元)，營(yíng)收為7.13億歐元。15位分析師的營(yíng)收預(yù)估范圍為5.90億
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Vistec Lithography宣布與華中科技大簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議

  • 　　電子束光刻系統(tǒng)的知名廠商Vistec Lithography公司近日宣布他們與中國(guó)武漢華中科技大學(xué)光電工程學(xué)院簽署了戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。武漢華中科技大學(xué)是大陸國(guó)家級(jí)重點(diǎn)院校之一，而 Vistec Lithography則是電子束光刻設(shè)備的領(lǐng)先廠商，按協(xié)議規(guī)定，兩家將在納米光刻技術(shù)研究和教學(xué)領(lǐng)域開(kāi)展合作。 　　這次合作的核心是Vistec公司提供給華中科技大學(xué)的EBPG5000pES電子束光刻系統(tǒng)，裝備這套系統(tǒng)之后，華中科技大學(xué)在教學(xué)，科研以及對(duì)外合作方面的實(shí)力將如虎添翼。華中科技大學(xué)稱(chēng)：“
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DRAMeXchange：未來(lái)三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升

  • 　　DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱(chēng)內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表 示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們 預(yù)計(jì)從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。 　　不過(guò)內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級(jí)別則
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IBM宣布旗下芯片廠將停用PFOS/PFOA兩種有毒化合物

  • 　　IBM公司近日宣布其名下的芯片制造廠中將停止使用全氟辛烷磺?；衔?PFOS)和全氟辛酸(PFOA)兩種有毒有害化合物。多年前，在歐盟以及其它 一些國(guó)家的環(huán)保部門(mén)出臺(tái)限制使用這兩種化合物的法規(guī)之后，美國(guó)環(huán)保署也出臺(tái)了限制在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中使用這兩種化合物的法規(guī)，這兩種化合物一般用于 防污和防潮處理。 　　不過(guò)在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，仍允許使用這兩種化合物，半導(dǎo)體制造的光刻和蝕刻工步需要少量使用這兩種化合物。經(jīng)過(guò)10多年的努力，IBM終于找到了這兩種有毒化合物的替代用品。 　　IBM公司主管微電
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)

  • 　　在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì)上，Intel公司公布了其未來(lái)幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將 193nm波長(zhǎng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們?cè)俅魏笱恿似錁O紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 　　Intel實(shí)驗(yàn)室中的EUV曝光設(shè)備 　　根據(jù)會(huì)上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
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三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年

  • 　　半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。 　　據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開(kāi)始實(shí)用化建設(shè)--比預(yù)期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預(yù)計(jì)16nm級(jí)別制程技術(shù)中也不會(huì)應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)會(huì)被后延到2015年，在13nm級(jí)別的工藝制程中投入實(shí)用。 　　另外一項(xiàng)較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
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北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨保持平穩(wěn)增長(zhǎng) 訂單出貨比微跌至1.06

  • 　　SEMI日前公布了2009年11月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比報(bào)告。按三個(gè)月移動(dòng)平均額統(tǒng)計(jì)，11月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單額為7.905億美元，訂單出貨比為1.06。訂單出貨比為1.06意味著該月每出貨價(jià)值100美元的產(chǎn)品可獲得價(jià)值106美元的訂單。 　　報(bào)告顯示，11月份7.905億美元的訂單額較10月份7.563億美元最終額增長(zhǎng)4.5%，較2008年11月份的7.838億美元最終額增長(zhǎng)1%。 　　與此同時(shí)，2009年11月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額為7.437億美元，較10月份6.94
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2012年前內(nèi)存芯片廠商的重點(diǎn)將不會(huì)放在產(chǎn)能拓展方面

  • 　　據(jù)iSuppli公司分析，由于全球內(nèi)存芯片廠商在2005-2007年間已經(jīng)耗費(fèi)了大量資本進(jìn)行設(shè)備投資和產(chǎn)能擴(kuò)展,因此現(xiàn)有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿(mǎn)足2012年的市場(chǎng)需求，這便意味著在未來(lái)兩年之內(nèi)全球內(nèi)存芯片廠商的主要精力將不會(huì)放在產(chǎn)能拓展方面。 　　”2005-2007年間，內(nèi)存芯片廠商共花費(fèi)了500億美元的資金來(lái)采購(gòu)新的制造設(shè)備和建設(shè)新的芯片廠，這筆花費(fèi)已經(jīng)占到同期整個(gè)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的55%左右。“iSuppli公司的高級(jí)內(nèi)存分析師Mike Howard表示：”由于向這
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光刻介紹

光刻 　　利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。光刻原理雖然在19世紀(jì)初就為人們所知，但長(zhǎng)期以來(lái)由于缺乏優(yōu)良的光致抗蝕劑而未得到應(yīng)用。直到20世紀(jì)50年代，美國(guó)制成高分辨率和優(yōu)異抗蝕性能的柯達(dá)光致抗蝕劑(KPR)之后,光刻技術(shù)才迅速發(fā)展起來(lái)，并開(kāi)始用在半導(dǎo)體工業(yè)方面。光刻是制造高級(jí)半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵工藝之一，并已用于刻劃光柵、 [ 查看詳細(xì) ]

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