首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器及代工推動(dòng)2010年投資增長(zhǎng)

  •   按華爾街的一位分析師預(yù)計(jì),2010年半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資在存儲(chǔ)器和代工的再次推動(dòng)下可達(dá)335億美元,比09年增加50%。   由于09年存儲(chǔ)器的產(chǎn)能緊縮,在2010年為了滿足市場(chǎng)需求的增加,制造商又開(kāi)始增加投資。按Barclays Capital的分析師C.J Muse預(yù)測(cè),半導(dǎo)體業(yè)的投資在2010年增加42%。通過(guò)比較,其中存儲(chǔ)器相比于09年增加38%,而相比于07年又下降63%。   代工的投資在2010年將由09年的50億美元,上升到90億美元。并預(yù)計(jì)投資集中在臺(tái)積電及新廠Globalfoun
  • 關(guān)鍵字: Globalfoundries  存儲(chǔ)器  

基于閃存的星載大容量存儲(chǔ)器的研究和實(shí)現(xiàn)

  • 摘要:就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲(chǔ)器時(shí)的寫(xiě)入速度慢、存在無(wú)效塊等關(guān)鍵問(wèn)題探討了可行性解決方案,并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個(gè)基于閃存的大容量存儲(chǔ)器的演示樣機(jī)的實(shí)現(xiàn)。 無(wú)效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是
  • 關(guān)鍵字: 閃存  大容量  存儲(chǔ)器  星載    

為存儲(chǔ)器測(cè)試開(kāi)發(fā)低成本的解決方案

  • 便攜式技術(shù)的發(fā)展使人們?cè)絹?lái)越依賴蜂窩電話、PDA和導(dǎo)航系統(tǒng)這類便攜式裝置。隨著處理器技術(shù)的不斷進(jìn)步,過(guò)去幾年中大容量存儲(chǔ)器件的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。例如,從蘋(píng)果公司的iPod Mini到尺寸更小的iPod Nano產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  測(cè)試  方案    

威剛陳立白:今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)

  •   存儲(chǔ)器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績(jī)單,董事長(zhǎng)陳立白表示,2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài),只要價(jià)格維持平穩(wěn),預(yù)計(jì)對(duì)于模塊產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是好事,往年會(huì)是傳統(tǒng)淡季的第2季,2010年將會(huì)見(jiàn)到淡季不淡,也不見(jiàn)五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價(jià)格則預(yù)計(jì)會(huì)起起伏伏,整體而言,DRAM表現(xiàn)會(huì)優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。   威剛2009年進(jìn)行高層人士調(diào)整,延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器部門(mén)資深營(yíng)銷副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職,與原有的總經(jīng)理
  • 關(guān)鍵字: 威剛  存儲(chǔ)器  NAND   

對(duì)FPGA中SPI復(fù)用配置的編程方法的研究

  • SPI(SerialPeripheralInteRFace,串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線,在芯片的引腳上...
  • 關(guān)鍵字: FPGA  SPI  復(fù)用配置  存儲(chǔ)器  

相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器

  • 相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器,從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求: 容量
    C 因?yàn)橄M(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、通信三合一的應(yīng)用趨勢(shì),所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長(zhǎng),數(shù)據(jù)增長(zhǎng)速率甚至更
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  模型  新型  使用  全新  實(shí)現(xiàn)  相變  

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)

  • 1、引言
    當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長(zhǎng),存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10%的帶寬,本文就如何設(shè)計(jì)一種符合當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行研究。
    本文第二部分介紹當(dāng)代D
  • 關(guān)鍵字: 控制器  設(shè)計(jì)  存儲(chǔ)器  結(jié)構(gòu)  當(dāng)代  DRAM  基于  

半導(dǎo)體二手設(shè)備市場(chǎng)看好

  •   全球半導(dǎo)體翻新,二手設(shè)備市場(chǎng)歷來(lái)很難精切的界定及統(tǒng)計(jì),有人認(rèn)為是處于半祕(mì)密狀態(tài)(semi-secrecy)。不管是出售二手設(shè)備的供應(yīng)商或者購(gòu)買(mǎi)設(shè)備的公司都比較含蓄,而不大愿意公布其細(xì)節(jié)。因?yàn)橘?gòu)買(mǎi)二手設(shè)備從好的方面被認(rèn)為是節(jié)省投資,從不好方面可能會(huì)讓人另眼相看。但是在目前階段那些負(fù)面的影響可能會(huì)減少。因?yàn)橐环矫婀I(yè)處于下降周期,二手設(shè)備拋向市場(chǎng)增多,而在另一方面業(yè)界對(duì)于二手設(shè)備的認(rèn)識(shí)也逐漸有所改善。   ClassOne是美國(guó)Atlanta基一家翻新及納米技術(shù)設(shè)備的供應(yīng)商,進(jìn)行二手設(shè)備的買(mǎi)賣,包括薄膜
  • 關(guān)鍵字: 芯片制造  存儲(chǔ)器  

海力士:2010年DRAM供不應(yīng)求

  •   據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn),將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。   海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示,2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑,此外,預(yù)期2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲(chǔ)器芯片將缺貨,半導(dǎo)體市場(chǎng)已走出過(guò)去3年的谷底,前景相當(dāng)穩(wěn)定。   隨著景氣逐漸回升,海力士計(jì)劃2010年提升資本支出,共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平,及擴(kuò)張目前的NAND
  • 關(guān)鍵字: Hynix  存儲(chǔ)器  NAND   

TIMC驚傳B計(jì)畫(huà) 力晶爭(zhēng)取買(mǎi)回瑞晶股權(quán)

  •   盡管臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)瀕臨解散邊緣,但對(duì)于力晶而言,仍是揮之不去的心腹大患,尤其近期業(yè)界不斷傳出TIMC有一套「B計(jì)畫(huà)」版本,可能藉由與爾必達(dá)(Elpida)合作滲入瑞晶,再度于DRAM產(chǎn)業(yè)復(fù)活。因此,力晶對(duì)于手上瑞晶持股偏低問(wèn)題,始終耿耿于懷,不斷宣示要買(mǎi)回合作伙伴爾必達(dá)手上瑞晶股權(quán),不過(guò),爾必達(dá)會(huì)不會(huì)同意釋股仍是大問(wèn)題。   存儲(chǔ)器業(yè)者透露,力晶不只一次對(duì)外宣布要買(mǎi)回瑞晶持股,盡管業(yè)界多認(rèn)為并沒(méi)有這個(gè)必要,因?yàn)榱?duì)瑞晶持股不論是30%或40%,其實(shí)都不能改變主導(dǎo)權(quán)旁落爾必達(dá)的事實(shí),
  • 關(guān)鍵字: TIMC  DRAM  存儲(chǔ)器  

PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3% 

  •   沈寂已久的DRAM價(jià)格再度動(dòng)起來(lái),存儲(chǔ)器廠對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂(lè)觀,DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài),目前個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載存儲(chǔ)器 平均容量成長(zhǎng)16%至2.92GB,未來(lái)消費(fèi)性PC機(jī)種搭載DRAM容量可望升級(jí)至4GB,市場(chǎng)對(duì)于后市看法相當(dāng)樂(lè)觀,原本外界預(yù)期12月合約價(jià)格會(huì)開(kāi)始下跌,反應(yīng)淡季效應(yīng),但目前開(kāi)出是持平,反映市場(chǎng)供給不多,而22日現(xiàn)貨價(jià)格又開(kāi)始蠢蠢欲動(dòng),一口氣大漲3%;此外,下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場(chǎng)。   存儲(chǔ)器模塊廠一致看好2010
  • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  存儲(chǔ)器  NAND   

存儲(chǔ)器價(jià)格回溫 美光虧損11季后首度獲利

  •   美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)公布2010會(huì)計(jì)年度第1季(2009年9~11月)財(cái)報(bào),由于存儲(chǔ)器價(jià)格回溫,因此在連續(xù)虧損11季之后,終于由虧轉(zhuǎn)盈。第1季營(yíng)收為17.4億美元,較2009年度同期成長(zhǎng)約24%。凈利為2.04億美元,每股盈余(EPS)為0.23美元。   據(jù)彭博(Bloomberg)的預(yù)估,美光第1季的每股盈余為0.06美元,實(shí)際表現(xiàn)情況超出華爾街多數(shù)分析師的預(yù)期。美光執(zhí)行長(zhǎng)Steve Appleton表示,盡管全球經(jīng)濟(jì)仍挑戰(zhàn)重重,美光靠著技術(shù)領(lǐng)先、成本優(yōu)勢(shì)及財(cái)務(wù)穩(wěn)健的優(yōu)勢(shì),可望在市
  • 關(guān)鍵字: Micron  存儲(chǔ)器  

東京大學(xué)研發(fā)出可彎曲有機(jī)快閃記憶體

  •   東京大學(xué)宣布已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種可彎曲的快閃記憶體,這種記憶體完全由有機(jī)材料打造,額定讀取和擦除電壓分別為1V和6V,可惜的是壽命不長(zhǎng),數(shù)據(jù)只能被寫(xiě)入和擦除超過(guò)1000次左右。   這種存儲(chǔ)器的用途廣泛,可以用于大面積的傳感器,電子紙和其他大型電子設(shè)備,由于存儲(chǔ)壽命問(wèn)題沒(méi)有解決,因此還沒(méi)有到商用階段。   目前早期的樣機(jī)已經(jīng)出現(xiàn),這種記憶體采用聚乙烯酯(PEN),作為樹(shù)脂薄膜基板,可以靈活彎曲直至它的半徑為6mm也不會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)損害,并且可以短期保持記憶。
  • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  電子紙  傳感器  

爾必達(dá)預(yù)期明年DRAM需求大增

  •   日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預(yù)期芯片將出現(xiàn)短缺潮,因而計(jì)劃在明年4月起的財(cái)年中,增加其資本支出。   爾必達(dá)社長(zhǎng)兼執(zhí)行長(zhǎng)坂本幸雄周二在記者會(huì)上表示,爾必達(dá)下一個(gè)財(cái)年的資本支出可能將自本財(cái)年的5億美元上升至6億美元。   他表示:“明年(DRAM芯片產(chǎn)業(yè)狀況將大幅好轉(zhuǎn)。”   爾必達(dá)預(yù)期,一些驅(qū)動(dòng)新需求的動(dòng)力,例如微軟的Window 7個(gè)人電腦操作系統(tǒng),有可能刺激個(gè)人電腦汰換潮發(fā)生,進(jìn)而提升存儲(chǔ)芯片的銷售力道。   坂本幸雄預(yù)期,明年全球用于電腦
  • 關(guān)鍵字: Elpida  DRAM  存儲(chǔ)器  

非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制

  •   非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫(xiě)入速度極快的高密度存儲(chǔ)器,而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪存速度更快。   經(jīng)過(guò)研究人員對(duì)浮柵存儲(chǔ)技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究,現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升,盡管如此,現(xiàn)在人們?cè)絹?lái)越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級(jí)到更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新式存儲(chǔ)器機(jī)制和材料。   目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲(chǔ)機(jī)制,相變存儲(chǔ)器(PC
  • 關(guān)鍵字: 恒憶  NVM  存儲(chǔ)器  浮柵存儲(chǔ)  
共1627條 58/109 |‹ « 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473