存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

Maxim推出可編程gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)

　　Maxim推出集成MTP (多次可編程)存儲(chǔ)器的10位gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)MAX9672/MAX9673/MAX9674。器件省去了數(shù)字可變電阻、VCOM放大器、gamma緩沖器、電阻串和高壓線性穩(wěn)壓器等多個(gè)分立元件，極大地降低了方案成本。Maxim的MTP技術(shù)實(shí)現(xiàn)了NV (非易失)存儲(chǔ)器與高性能放大器的集成，可將gamma和VCOM寄存器值存儲(chǔ)在芯片內(nèi)。每個(gè)系統(tǒng)均支持多達(dá)100次的gamma和VCOM值寫操作，無需使用外部EEPROM。這些高度集成的系統(tǒng)具有12路(MAX9672)、14路(MAX
關(guān)鍵字： Maxim MTP 存儲(chǔ)器校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)

晶圓雙雄2010年資本支出大手筆擴(kuò)增

　　2010年一開春臺積電、聯(lián)電法說成外界關(guān)注焦點(diǎn)，晶圓雙雄對于2010年景氣的論調(diào)與資本支出將會(huì)是外界解讀景氣的重要指標(biāo)之一。半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，盡管2009年景氣波動(dòng)劇烈，但以臺積電為例，過去景氣不錯(cuò)的數(shù)年，臺積電采買設(shè)備都不手軟，目前已知2010年臺積電資本支出將高達(dá)約45 億美元，聯(lián)電資本支出則約10億美元，都大幅超前2009年。　　臺積電2009年可說已算是砸大錢在資本支出上，臺積電總共約采買新臺幣1,450億元，相當(dāng)于45億美元添購設(shè)備，預(yù)料將使原本已經(jīng)產(chǎn)能稍許吃緊的設(shè)備業(yè)者，在因應(yīng)急單時(shí)
關(guān)鍵字：臺積電存儲(chǔ)器晶圓

超大容量存儲(chǔ)器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應(yīng)用

摘要：新型超大容量Flash存儲(chǔ)器K9F2G08U0M的基本組織結(jié)構(gòu)，給出了存儲(chǔ)器與C8051F020單片機(jī)外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)的硬件連接方式以及存儲(chǔ)器的主要操作流程和部分C語言代碼。關(guān)鍵詞： K9F2G08U0M 外部存儲(chǔ)器接口管道
關(guān)鍵字：通徑儀應(yīng)用管道及其存儲(chǔ)器 K9F2G08U0M 大容量

存儲(chǔ)器及代工推動(dòng)2010年投資增長

　　按華爾街的一位分析師預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資在存儲(chǔ)器和代工的再次推動(dòng)下可達(dá)335億美元，比09年增加50%。　　由于09年存儲(chǔ)器的產(chǎn)能緊縮，在2010年為了滿足市場需求的增加，制造商又開始增加投資。按Barclays Capital的分析師C.J Muse預(yù)測，半導(dǎo)體業(yè)的投資在2010年增加42%。通過比較，其中存儲(chǔ)器相比于09年增加38%，而相比于07年又下降63%。　　代工的投資在2010年將由09年的50億美元，上升到90億美元。并預(yù)計(jì)投資集中在臺積電及新廠Globalfoun
關(guān)鍵字： Globalfoundries 存儲(chǔ)器

基于閃存的星載大容量存儲(chǔ)器的研究和實(shí)現(xiàn)

摘要：就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲(chǔ)器時(shí)的寫入速度慢、存在無效塊等關(guān)鍵問題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個(gè)基于閃存的大容量存儲(chǔ)器的演示樣機(jī)的實(shí)現(xiàn)。無效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是
關(guān)鍵字：閃存大容量存儲(chǔ)器星載

為存儲(chǔ)器測試開發(fā)低成本的解決方案

便攜式技術(shù)的發(fā)展使人們越來越依賴蜂窩電話、PDA和導(dǎo)航系統(tǒng)這類便攜式裝置。隨著處理器技術(shù)的不斷進(jìn)步，過去幾年中大容量存儲(chǔ)器件的設(shè)計(jì)和開發(fā)呈指數(shù)級增長。例如，從蘋果公司的iPod Mini到尺寸更小的iPod Nano產(chǎn)品
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器測試方案

威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

　　存儲(chǔ)器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價(jià)格維持平穩(wěn)，預(yù)計(jì)對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事，往年會(huì)是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會(huì)見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價(jià)格則預(yù)計(jì)會(huì)起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會(huì)優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。　　威剛2009年進(jìn)行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器部門資深營銷副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
關(guān)鍵字：威剛存儲(chǔ)器 NAND

對FPGA中SPI復(fù)用配置的編程方法的研究

SPI(SerialPeripheralInteRFace，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上...
關(guān)鍵字： FPGA SPI 復(fù)用配置存儲(chǔ)器

相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器

相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器,從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：容量
C 因?yàn)橄M(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、通信三合一的應(yīng)用趨勢，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長，數(shù)據(jù)增長速率甚至更
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器模型新型使用全新實(shí)現(xiàn) 相變

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)

1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設(shè)計(jì)一種符合當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行研究。
本文第二部分介紹當(dāng)代D
關(guān)鍵字：控制器設(shè)計(jì) 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) 當(dāng)代 DRAM 基于

半導(dǎo)體二手設(shè)備市場看好

　　全球半導(dǎo)體翻新，二手設(shè)備市場歷來很難精切的界定及統(tǒng)計(jì)，有人認(rèn)為是處于半祕密狀態(tài)(semi-secrecy)。不管是出售二手設(shè)備的供應(yīng)商或者購買設(shè)備的公司都比較含蓄，而不大愿意公布其細(xì)節(jié)。因?yàn)橘徺I二手設(shè)備從好的方面被認(rèn)為是節(jié)省投資，從不好方面可能會(huì)讓人另眼相看。但是在目前階段那些負(fù)面的影響可能會(huì)減少。因?yàn)橐环矫婀I(yè)處于下降周期，二手設(shè)備拋向市場增多，而在另一方面業(yè)界對于二手設(shè)備的認(rèn)識也逐漸有所改善。　　ClassOne是美國Atlanta基一家翻新及納米技術(shù)設(shè)備的供應(yīng)商，進(jìn)行二手設(shè)備的買賣，包括薄膜
關(guān)鍵字：芯片制造存儲(chǔ)器

海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

　　據(jù)華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。　　海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲(chǔ)器芯片將缺貨，半導(dǎo)體市場已走出過去3年的谷底，前景相當(dāng)穩(wěn)定。　　隨著景氣逐漸回升，海力士計(jì)劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴(kuò)張目前的NAND
關(guān)鍵字： Hynix 存儲(chǔ)器 NAND

TIMC驚傳B計(jì)畫　力晶爭取買回瑞晶股權(quán)

　　盡管臺灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)瀕臨解散邊緣，但對于力晶而言，仍是揮之不去的心腹大患，尤其近期業(yè)界不斷傳出TIMC有一套「B計(jì)畫」版本，可能藉由與爾必達(dá)(Elpida)合作滲入瑞晶，再度于DRAM產(chǎn)業(yè)復(fù)活。因此，力晶對于手上瑞晶持股偏低問題，始終耿耿于懷，不斷宣示要買回合作伙伴爾必達(dá)手上瑞晶股權(quán)，不過，爾必達(dá)會(huì)不會(huì)同意釋股仍是大問題。　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露，力晶不只一次對外宣布要買回瑞晶持股，盡管業(yè)界多認(rèn)為并沒有這個(gè)必要，因?yàn)榱θ鹁С止刹徽撌?0%或40%，其實(shí)都不能改變主導(dǎo)權(quán)旁落爾必達(dá)的事實(shí)，
關(guān)鍵字： TIMC DRAM 存儲(chǔ)器

PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3%　

　　沈寂已久的DRAM價(jià)格再度動(dòng)起來，存儲(chǔ)器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載存儲(chǔ)器平均容量成長16%至2.92GB，未來消費(fèi)性PC機(jī)種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當(dāng)樂觀，原本外界預(yù)期12月合約價(jià)格會(huì)開始下跌，反應(yīng)淡季效應(yīng)，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價(jià)格又開始蠢蠢欲動(dòng)，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。　　存儲(chǔ)器模塊廠一致看好2010
關(guān)鍵字：南亞科 DRAM 存儲(chǔ)器 NAND

存儲(chǔ)器價(jià)格回溫　美光虧損11季后首度獲利

　　美國存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)公布2010會(huì)計(jì)年度第1季(2009年9~11月)財(cái)報(bào)，由于存儲(chǔ)器價(jià)格回溫，因此在連續(xù)虧損11季之后，終于由虧轉(zhuǎn)盈。第1季營收為17.4億美元，較2009年度同期成長約24%。凈利為2.04億美元，每股盈余(EPS)為0.23美元。　　據(jù)彭博(Bloomberg)的預(yù)估，美光第1季的每股盈余為0.06美元，實(shí)際表現(xiàn)情況超出華爾街多數(shù)分析師的預(yù)期。美光執(zhí)行長Steve Appleton表示，盡管全球經(jīng)濟(jì)仍挑戰(zhàn)重重，美光靠著技術(shù)領(lǐng)先、成本優(yōu)勢及財(cái)務(wù)穩(wěn)健的優(yōu)勢，可望在市
關(guān)鍵字： Micron 存儲(chǔ)器

共1630條 58/109 |‹ « 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]