存儲(chǔ)器文章最新資訊

DDR2乏人問(wèn)津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計(jì)第1季底DDR3比重將達(dá)70%，速度超乎預(yù)期。不過(guò)，亦有業(yè)者認(rèn)為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說(shuō)不定會(huì)意外讓DDR2跌勢(shì)止穩(wěn)，反而有利于DDR2價(jià)格走勢(shì)。　　臺(tái) DRAM廠表示，原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買(mǎi)氣還有最后一搏機(jī)會(huì)，因?yàn)镈DR2若
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

　　2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠，紛積極募資搶錢(qián)，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢(qián)，未來(lái)再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來(lái)將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚(yú)幫水、水幫魚(yú)的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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ISS預(yù)期2010年存儲(chǔ)器供應(yīng)偏緊

　　由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求上升，但是投資顯得嚴(yán)重不足，所以今年可能出現(xiàn)供不應(yīng)求局面。　　按ICInsight數(shù)據(jù)，在2007年存儲(chǔ)器投資達(dá)323億美元，而在2009年為68億美元，預(yù)計(jì)2010年為144億美元。　　Bill McClean認(rèn)為即便存儲(chǔ)器投資144億美元，也無(wú)法滿足2010年市場(chǎng)的需求。　　他預(yù)言對(duì)于半導(dǎo)體及設(shè)備來(lái)說(shuō)2010年是個(gè)重組年。　　2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)有望達(dá)到2707億美元，比09年上升15%，而09年的IC市場(chǎng)為2354億美元，比08年下降10%。ICInsight表
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Maxim推出可編程gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)

　　Maxim推出集成MTP (多次可編程)存儲(chǔ)器的10位gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)MAX9672/MAX9673/MAX9674。器件省去了數(shù)字可變電阻、VCOM放大器、gamma緩沖器、電阻串和高壓線性穩(wěn)壓器等多個(gè)分立元件，極大地降低了方案成本。Maxim的MTP技術(shù)實(shí)現(xiàn)了NV (非易失)存儲(chǔ)器與高性能放大器的集成，可將gamma和VCOM寄存器值存儲(chǔ)在芯片內(nèi)。每個(gè)系統(tǒng)均支持多達(dá)100次的gamma和VCOM值寫(xiě)操作，無(wú)需使用外部EEPROM。這些高度集成的系統(tǒng)具有12路(MAX9672)、14路(MAX
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晶圓雙雄2010年資本支出大手筆擴(kuò)增

　　2010年一開(kāi)春臺(tái)積電、聯(lián)電法說(shuō)成外界關(guān)注焦點(diǎn)，晶圓雙雄對(duì)于2010年景氣的論調(diào)與資本支出將會(huì)是外界解讀景氣的重要指標(biāo)之一。半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，盡管2009年景氣波動(dòng)劇烈，但以臺(tái)積電為例，過(guò)去景氣不錯(cuò)的數(shù)年，臺(tái)積電采買(mǎi)設(shè)備都不手軟，目前已知2010年臺(tái)積電資本支出將高達(dá)約45 億美元，聯(lián)電資本支出則約10億美元，都大幅超前2009年。　　臺(tái)積電2009年可說(shuō)已算是砸大錢(qián)在資本支出上，臺(tái)積電總共約采買(mǎi)新臺(tái)幣1,450億元，相當(dāng)于45億美元添購(gòu)設(shè)備，預(yù)料將使原本已經(jīng)產(chǎn)能稍許吃緊的設(shè)備業(yè)者，在因應(yīng)急單時(shí)
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超大容量存儲(chǔ)器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應(yīng)用

摘要：新型超大容量Flash存儲(chǔ)器K9F2G08U0M的基本組織結(jié)構(gòu)，給出了存儲(chǔ)器與C8051F020單片機(jī)外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)的硬件連接方式以及存儲(chǔ)器的主要操作流程和部分C語(yǔ)言代碼。關(guān)鍵詞： K9F2G08U0M 外部存儲(chǔ)器接口管道
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存儲(chǔ)器及代工推動(dòng)2010年投資增長(zhǎng)

　　按華爾街的一位分析師預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資在存儲(chǔ)器和代工的再次推動(dòng)下可達(dá)335億美元，比09年增加50%。　　由于09年存儲(chǔ)器的產(chǎn)能緊縮，在2010年為了滿足市場(chǎng)需求的增加，制造商又開(kāi)始增加投資。按Barclays Capital的分析師C.J Muse預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體業(yè)的投資在2010年增加42%。通過(guò)比較，其中存儲(chǔ)器相比于09年增加38%，而相比于07年又下降63%。　　代工的投資在2010年將由09年的50億美元，上升到90億美元。并預(yù)計(jì)投資集中在臺(tái)積電及新廠Globalfoun
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基于閃存的星載大容量存儲(chǔ)器的研究和實(shí)現(xiàn)

摘要：就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲(chǔ)器時(shí)的寫(xiě)入速度慢、存在無(wú)效塊等關(guān)鍵問(wèn)題探討了可行性解決方案，并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個(gè)基于閃存的大容量存儲(chǔ)器的演示樣機(jī)的實(shí)現(xiàn)。無(wú)效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是
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為存儲(chǔ)器測(cè)試開(kāi)發(fā)低成本的解決方案

便攜式技術(shù)的發(fā)展使人們?cè)絹?lái)越依賴蜂窩電話、PDA和導(dǎo)航系統(tǒng)這類(lèi)便攜式裝置。隨著處理器技術(shù)的不斷進(jìn)步，過(guò)去幾年中大容量存儲(chǔ)器件的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。例如，從蘋(píng)果公司的iPod Mini到尺寸更小的iPod Nano產(chǎn)品
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威剛陳立白：今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)

　　存儲(chǔ)器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績(jī)單，董事長(zhǎng)陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價(jià)格維持平穩(wěn)，預(yù)計(jì)對(duì)于模塊產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是好事，往年會(huì)是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會(huì)見(jiàn)到淡季不淡，也不見(jiàn)五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價(jià)格則預(yù)計(jì)會(huì)起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會(huì)優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。　　威剛2009年進(jìn)行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器部門(mén)資深營(yíng)銷(xiāo)副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
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對(duì)FPGA中SPI復(fù)用配置的編程方法的研究

SPI(SerialPeripheralInteRFace，串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線，在芯片的引腳上...
關(guān)鍵字： FPGA SPI 復(fù)用配置存儲(chǔ)器

相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器

相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器,從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：容量
C 因?yàn)橄M(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、通信三合一的應(yīng)用趨勢(shì)，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)增長(zhǎng)速率甚至更
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器模型新型使用全新實(shí)現(xiàn) 相變

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)

1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設(shè)計(jì)一種符合當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行研究。
本文第二部分介紹當(dāng)代D
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半導(dǎo)體二手設(shè)備市場(chǎng)看好

　　全球半導(dǎo)體翻新，二手設(shè)備市場(chǎng)歷來(lái)很難精切的界定及統(tǒng)計(jì)，有人認(rèn)為是處于半祕(mì)密狀態(tài)(semi-secrecy)。不管是出售二手設(shè)備的供應(yīng)商或者購(gòu)買(mǎi)設(shè)備的公司都比較含蓄，而不大愿意公布其細(xì)節(jié)。因?yàn)橘?gòu)買(mǎi)二手設(shè)備從好的方面被認(rèn)為是節(jié)省投資，從不好方面可能會(huì)讓人另眼相看。但是在目前階段那些負(fù)面的影響可能會(huì)減少。因?yàn)橐环矫婀I(yè)處于下降周期，二手設(shè)備拋向市場(chǎng)增多，而在另一方面業(yè)界對(duì)于二手設(shè)備的認(rèn)識(shí)也逐漸有所改善。　　ClassOne是美國(guó)Atlanta基一家翻新及納米技術(shù)設(shè)備的供應(yīng)商，進(jìn)行二手設(shè)備的買(mǎi)賣(mài)，包括薄膜
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海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

　　據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。　　海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲(chǔ)器芯片將缺貨，半導(dǎo)體市場(chǎng)已走出過(guò)去3年的谷底，前景相當(dāng)穩(wěn)定。　　隨著景氣逐漸回升，海力士計(jì)劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴(kuò)張目前的NAND
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]