存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

三星：12寸廠到2015年將不符經(jīng)濟(jì)效益

　　三星電子(Samsung Electronics)高層近期表示，2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)最快的是亞洲地區(qū)，消化全球70%芯片產(chǎn)出，未來包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技術(shù)，皆有助于提升效率并降低成本，都是存儲(chǔ)器技術(shù)的明日之星，而現(xiàn)在位居主流地位的12寸晶圓廠，預(yù)計(jì)到2015年將不符合經(jīng)濟(jì)效益，屆時(shí)將迎接18寸晶圓廠時(shí)代來臨。　　三星電子資深副總裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前參加首爾SEMICON國(guó)際半導(dǎo)體展時(shí)指出，在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，亞洲地
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2010請(qǐng)帶著希望上路

　　對(duì)于整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)來說，2009是個(gè)幸福缺失的年份，不管我們?nèi)绾瓮春捱@一場(chǎng)金融風(fēng)暴帶來的腥風(fēng)血雨，至少我們已經(jīng)撕去了屬于2009年最后一頁日歷，迎來了嶄新年輪的開始。既然最黑暗的時(shí)刻都已經(jīng)挺過來了，未來總會(huì)比現(xiàn)在光明些吧。　　從2008年四季度開始的這場(chǎng)金融風(fēng)暴，在重創(chuàng)了全球經(jīng)濟(jì)的同時(shí)，不可避免地將整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平拉回了2001年。經(jīng)歷過2008年的全行業(yè)深淵性墜落之后，在一片肅殺悲觀中到來的2009堪稱整個(gè)產(chǎn)業(yè)驚心動(dòng)魄的一年，多家分析機(jī)構(gòu)不斷下調(diào)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的預(yù)期，最可怕的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)整
關(guān)鍵字：邏輯電路微處理器存儲(chǔ)器摩爾定律 201001

世界半導(dǎo)體市場(chǎng)回顧與展望

　　歲末年初，又到了總結(jié)與展望之時(shí)，綜合業(yè)界的信息得知：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2009年陷入困境幸而回穩(wěn)，而2010年將重新步入快速發(fā)展之路，這一觀點(diǎn)已成共識(shí)。　　變數(shù)多多的2009年　　2009年的世界半導(dǎo)體市場(chǎng)變化真是光怪陸離、變幻莫測(cè)，為筆者所首見。　　回望一年來公布的數(shù)據(jù)，連連更迭，令人無所適從。例如，為業(yè)界推崇的WSTS(世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì))2008年11月所作的秋季預(yù)測(cè)，認(rèn)為2009年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)將僅略降2.8%，可到2009年6月的春季預(yù)測(cè)，時(shí)隔半年便來了個(gè)大跳水，驟然劇降21.
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滿足StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器要求的LDO應(yīng)用電路

滿足StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器要求的LDO應(yīng)用電路,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
關(guān)鍵字：德州儀器 LDO 應(yīng)用電路要求存儲(chǔ)器 StrataFlash 嵌入式滿足

用中檔FPGA實(shí)現(xiàn)高速DDR3存儲(chǔ)器控制器

由于系統(tǒng)帶寬不斷的增加，因此針對(duì)更高的速度和性能，設(shè)計(jì)人員對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。下一代雙數(shù)據(jù)速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的優(yōu)勢(shì)。這些器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的帶寬），并有更大的密度。
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DDR3成主流產(chǎn)品海力士增NAND Flash產(chǎn)能

　　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場(chǎng)市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%，　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計(jì)劃倍增NAND
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)持續(xù)升溫金士頓海力士緊密合作

　　2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來將以DRAM和NANDFlash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NANDFlash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NANDFlash三哥寶座，并防止三星電子(SamsungElectronics)和東芝(Tosh
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存儲(chǔ)器大廠Micron與澳大利亞公司組成太陽能合資公司

　　存儲(chǔ)器大廠Micron以50：50比例與澳大利亞Origin Energy公司組成合資的光伏技術(shù)公司。　　至此關(guān)于合資公司的細(xì)節(jié)未能透露。2009年5月Micron曾準(zhǔn)備化500萬美元來促進(jìn)LED Solar方面的嘗試。　　該項(xiàng)目執(zhí)行總經(jīng)理Andrew Stock表示將利用Micron在存儲(chǔ)器方面的實(shí)力來推動(dòng)光伏發(fā)展及市場(chǎng)化。　　Origin Energy是澳大利亞領(lǐng)先的集成能源公司，工作范圍涉及天然氣,石油開釆與生產(chǎn)、發(fā)電及能源行業(yè)。該公司列于澳大利亞股票市場(chǎng)ASX的前20位，有近400
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為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
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DDR2乏人問津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計(jì)第1季底DDR3比重將達(dá)70%，速度超乎預(yù)期。不過，亦有業(yè)者認(rèn)為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說不定會(huì)意外讓DDR2跌勢(shì)止穩(wěn)，反而有利于DDR2價(jià)格走勢(shì)。　　臺(tái) DRAM廠表示，原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機(jī)會(huì)，因?yàn)镈DR2若
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

　　2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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ISS預(yù)期2010年存儲(chǔ)器供應(yīng)偏緊

　　由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求上升，但是投資顯得嚴(yán)重不足，所以今年可能出現(xiàn)供不應(yīng)求局面。　　按ICInsight數(shù)據(jù)，在2007年存儲(chǔ)器投資達(dá)323億美元，而在2009年為68億美元，預(yù)計(jì)2010年為144億美元。　　Bill McClean認(rèn)為即便存儲(chǔ)器投資144億美元，也無法滿足2010年市場(chǎng)的需求。　　他預(yù)言對(duì)于半導(dǎo)體及設(shè)備來說2010年是個(gè)重組年。　　2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)有望達(dá)到2707億美元，比09年上升15%，而09年的IC市場(chǎng)為2354億美元，比08年下降10%。ICInsight表
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Maxim推出可編程gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)

　　Maxim推出集成MTP (多次可編程)存儲(chǔ)器的10位gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)MAX9672/MAX9673/MAX9674。器件省去了數(shù)字可變電阻、VCOM放大器、gamma緩沖器、電阻串和高壓線性穩(wěn)壓器等多個(gè)分立元件，極大地降低了方案成本。Maxim的MTP技術(shù)實(shí)現(xiàn)了NV (非易失)存儲(chǔ)器與高性能放大器的集成，可將gamma和VCOM寄存器值存儲(chǔ)在芯片內(nèi)。每個(gè)系統(tǒng)均支持多達(dá)100次的gamma和VCOM值寫操作，無需使用外部EEPROM。這些高度集成的系統(tǒng)具有12路(MAX9672)、14路(MAX
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晶圓雙雄2010年資本支出大手筆擴(kuò)增

　　2010年一開春臺(tái)積電、聯(lián)電法說成外界關(guān)注焦點(diǎn)，晶圓雙雄對(duì)于2010年景氣的論調(diào)與資本支出將會(huì)是外界解讀景氣的重要指標(biāo)之一。半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，盡管2009年景氣波動(dòng)劇烈，但以臺(tái)積電為例，過去景氣不錯(cuò)的數(shù)年，臺(tái)積電采買設(shè)備都不手軟，目前已知2010年臺(tái)積電資本支出將高達(dá)約45 億美元，聯(lián)電資本支出則約10億美元，都大幅超前2009年。　　臺(tái)積電2009年可說已算是砸大錢在資本支出上，臺(tái)積電總共約采買新臺(tái)幣1,450億元，相當(dāng)于45億美元添購設(shè)備，預(yù)料將使原本已經(jīng)產(chǎn)能稍許吃緊的設(shè)備業(yè)者，在因應(yīng)急單時(shí)
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超大容量存儲(chǔ)器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應(yīng)用

摘要：新型超大容量Flash存儲(chǔ)器K9F2G08U0M的基本組織結(jié)構(gòu)，給出了存儲(chǔ)器與C8051F020單片機(jī)外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)的硬件連接方式以及存儲(chǔ)器的主要操作流程和部分C語言代碼。關(guān)鍵詞： K9F2G08U0M 外部存儲(chǔ)器接口管道
關(guān)鍵字：通徑儀應(yīng)用管道及其存儲(chǔ)器 K9F2G08U0M 大容量

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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]