存儲器文章最新資訊

從零開始51單片機教程——連載4 存儲器結(jié)構(gòu)

單片機內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)分析我們來思考一個問題，當我們在編程器中把一條指令寫進單片要內(nèi)部，然后取下單片機，單 ...
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基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計與實現(xiàn)

在高速信號處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態(tài)隨機訪問存儲器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
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2012年半導體市場狀況分析

2012年全球半導體營收年成長率約3.3%，整體產(chǎn)值來到3,232億美元，優(yōu)于去年的1.25%，而2012年半導體市況須等下半年才會反彈，預估第三季需求就會轉(zhuǎn)強。 iSuppli半導體分析師杰洛尼克（LenJelinek）表示，今年存儲器將是所有半導體表現(xiàn)最差的產(chǎn)業(yè)，預期今年全球DRAM產(chǎn)值將年下滑26.8%，比去年下滑的16.1%更
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Ramtron推出低功耗非易失性存儲器

　　Ramtron)宣布推出低功耗非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計開創(chuàng)了全新的機遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲器系列中的首個產(chǎn)品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，并具有快速讀/寫特性和幾無乎無限次的耐用性。　　Ramtron市場推廣副總裁Scott Emley表示：“非易失性F-RAM存儲器的快速寫入能力與創(chuàng)新性IC設(shè)計相結(jié)合，讓我們可以實現(xiàn)迄今為止最低功耗的非易失性存儲器，典型主動電流只有
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Ramtron推出2兆位串口非易失性F-RAM存儲器

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布推出2兆位(Mb)高性能串口F-RAM器件FM25V20。該器件是Ramtron公司V系列F-RAM存儲器中的一員，具有2.0 - 3.6V的寬工作電壓范圍。FM25V20具有快速訪問、無延遲(NoDelay?)寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù)(1e14)及低功耗特性。這款最新F-RAM器件是2Mb 串行閃存和串行EEPROM 存儲器的普適型(drop
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μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運行的關(guān)鍵問題

μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運行的關(guān)鍵問題,引言　　在作為國家863計劃子項目挖掘機智能化控制系統(tǒng)的開發(fā)中，出現(xiàn)了智能化挖掘機軌跡控制系統(tǒng)不按照預先設(shè)定好的軌跡運行和嵌入式實時多任務(wù)操作系統(tǒng)mu;C／OS-Ⅱ調(diào)度紊亂等失控問題。該智能化系統(tǒng)中采用了mu;C
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CPU讀/寫存儲器的步驟過程舉例說明

1)存儲器的讀操作。例如，若要將存儲器40H中的內(nèi)容50H讀出，其過程如下： ①CPU將地址碼40H送到地址總線上，經(jīng)存儲器地址譯碼器選通地址為40H的存儲單元： ②CPU發(fā)出“瀆”信號，存儲器讀/寫控制開
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任奇?zhèn)ィ捍蛟熘袊拇鎯ζ鱅DM巨頭

　　在工業(yè)和信息化部的指導下，由中國電子工業(yè)科學技術(shù)交流中心(工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進中心)(簡稱CSIP)和濟南市經(jīng)濟和信息化委員會共同主辦的2011中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨第六屆“中國芯”頒獎典禮于12月16日在濟南隆重召開。　　以下是華芯半導體有限公司副總裁任奇?zhèn)ピ诒緦么筚愵C獎典禮上的講話實錄：　　各位領(lǐng)導、各位專家、各位嘉賓：大家上午好!大概分幾個部分，首先看一下存儲器產(chǎn)品的現(xiàn)狀和面臨的挑戰(zhàn)。再就是想跟大家匯報一下華芯半導體的現(xiàn)狀以及我們所提供的存儲器產(chǎn)品
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三星存儲器營收逆勢成長將不會宣布減產(chǎn)

　　三星上季DRAM拿下近45%市占率，2012年DRAM、NAND Flash景氣唯三星馬首是瞻，由于三星目前掌握兩大存儲器最龐大的產(chǎn)能，價格漲跌有絕對性的影響作用，存儲器業(yè)者分析，上一季三星在兩大存儲器的市占率已經(jīng)超過40%，為了不要踩到50%的紅線區(qū)，三星在DRAM、NAND Flash要再大幅度沖高產(chǎn)能機率不大，然而DRAM因為競爭對手已經(jīng)奄奄一息，三星也不會公開宣布減產(chǎn)讓對手有喘息的機會。　　由于制程轉(zhuǎn)進順利、市占率穩(wěn)固，三星在存儲器廠中2011年營收呈現(xiàn)逆勢成長。由于受到DRAM價格及市占
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新型的嵌入式存儲器測試算法

新型的嵌入式存儲器測試算法,摘要：針對目前嵌入式存儲器測試算法的測試效率與故障覆蓋率難以兼得的現(xiàn)狀，提出了兼顧二者的測試算法。實驗結(jié)果表明該算法最適合對存儲器進行大批量的測試。在測試效率上的優(yōu)勢很明顯，故障覆蓋率也能達到應(yīng)用標準
關(guān)鍵字：算法測試存儲器嵌入式新型

單片機存儲器結(jié)構(gòu)

單片機內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)分析
我們來思考一個問題，當我們在編程器中把一條指令寫進單片要內(nèi)部，然后取下單片機，單片機就可以執(zhí)行這條指令，那么這條指令一定保存在單片機的某個地方，并且這個地方在單片機掉電后依然可
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實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器

實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器,從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：容量
ndash; 因為消費電子、計算機、通信三合一的應(yīng)用趨勢，所有電子系統(tǒng)的代碼量都以冪指數(shù)的速率增長，數(shù)據(jù)增長速率甚
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TMS320C32的存儲器接口設(shè)計

1TMS320C32的外部存儲器接口的特點TMS320C32是一個32位微處理器，它可以通過24位地址總線、32位數(shù)據(jù)...
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Cypress與諾西達成協(xié)議撤銷訴訟

　　賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp. )周一表示，該公司已經(jīng)與諾基亞西門子通信(Nokia Siemens Networks)達成協(xié)議，撤銷向美國國際貿(mào)易委員會投訴諾西有關(guān)Cypress的SRAM專利侵權(quán)。　　Cypress的申訴主要涉及GSI科技公司產(chǎn)品的存儲技術(shù)。　　目前，Cypress與諾基亞西門子的交易條款尚未披露。　　Cypress存儲器產(chǎn)品部執(zhí)行副總裁在一份聲明中稱，“我們很高興能與諾基亞西門子通信達成協(xié)議，有效地避免其他客戶牽
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Ramtron任命Scott Emley擔任市場推廣副總裁

世界領(lǐng)先的低功耗非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布任命Scott Emley為市場推廣副總裁。Emley 先生將領(lǐng)導全球市場推廣團隊，全面負責包括應(yīng)用和技術(shù)支持的產(chǎn)品線推廣，并向Ramtron首席執(zhí)行官Eric Balzer報告。
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]