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存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器 文章 進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)
VC5402與外部存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)

- VC5402與外部存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì),作為DSP 芯片與外界交換數(shù)據(jù)的重要關(guān)口,外擴(kuò)存儲(chǔ)器接口的優(yōu)劣程度直接影響著DSP 的適應(yīng)性和控制功能,同時(shí),高性能、靈活性強(qiáng)的外部存儲(chǔ)器接口也是利用DSP 搭建圖像采集處理系統(tǒng)的重要保證?;谏鲜鲈?本文提出了一
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USB接口的傳感器與存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)記錄中的實(shí)現(xiàn)
- 數(shù)據(jù)采集(DAQ),是指從傳感器和其它待測(cè)設(shè)備等模擬和數(shù)字被測(cè)單元中自動(dòng)采非電量或者電量信號(hào),送到上位機(jī)中...
- 關(guān)鍵字: USB接口 傳感器 存儲(chǔ)器 數(shù)據(jù)記錄
1553B總線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方案

- 本文設(shè)計(jì)了1553B總線(xiàn)上的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器。整個(gè)系統(tǒng)基于NIOS II內(nèi)核設(shè)計(jì),利用SoPC技術(shù)將接口部分的邏輯控制全部集成于FPGA片內(nèi),系統(tǒng)的存儲(chǔ)量、結(jié)點(diǎn)數(shù)量均可擴(kuò)展?! ?0世紀(jì)70年代誕生的1553B總線(xiàn),是一種主從式多余度總
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 方案 存儲(chǔ)器 網(wǎng)絡(luò) 總線(xiàn) 1553B
讓智能電表更加省電的解決方案推介
- 為了提高能源效率,各國(guó)都在加快智能電網(wǎng)建設(shè),大力推廣智能電表,以滿(mǎn)足電力需求的不斷攀升。在快速推進(jìn)智能電...
- 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 存儲(chǔ)器 智能電表
存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來(lái)臨
- 隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開(kāi)始遇到瓶頸,業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。
- 關(guān)鍵字: 三星 存儲(chǔ)器 NAND
計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的層次分析

- 計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的層次分析,當(dāng)前計(jì)算機(jī)幾乎毫無(wú)例外地采用了如圖所示的層次式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),目的是為了兼顧存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度。在圖中,以處理器為中心,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)依次為寄存器、高速緩存、主存儲(chǔ)器、磁盤(pán)緩存、磁盤(pán)和可移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)等7個(gè)層
- 關(guān)鍵字: 分析 層次 存儲(chǔ)器 計(jì)算機(jī)
存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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