存儲(chǔ)器文章最新資訊

基于DSP的單兵背負(fù)式短波數(shù)字通信系統(tǒng)

基于DSP的單兵背負(fù)式短波數(shù)字通信系統(tǒng),二十一世紀(jì)的戰(zhàn)爭將以數(shù)字化戰(zhàn)場為背景,而數(shù)字化戰(zhàn)場的一個(gè)重要特點(diǎn)是信息可以直達(dá)單個(gè)士兵。采用基于軟件無線電的思想,應(yīng)用第三代數(shù)字信號(hào)處理器 TMS320C31和數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片TLC32044等器件構(gòu)成短波自適應(yīng)調(diào)制解調(diào)器的
關(guān)鍵字： DSP 通信 A/D 存儲(chǔ)器電池

NAND Flash存儲(chǔ)器管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲(chǔ)器管理算法映射物理地址

抗SEU存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)的FPGA實(shí)現(xiàn)

抗SEU存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)的FPGA實(shí)現(xiàn),　　O 引言　　隨著我國航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展，衛(wèi)星的應(yīng)用越來越廣泛。然而，太空環(huán)境復(fù)雜多變，其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子，它們對(duì)運(yùn)行于其中的電子器件會(huì)產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對(duì)電子器件的影響
關(guān)鍵字：實(shí)現(xiàn) FPGA 設(shè)計(jì) 存儲(chǔ)器 SEU

基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片K9WBG08U1M的大容量存儲(chǔ)器

基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片K9WBG08U1M的大容量存儲(chǔ)器,　　O 引言　　隨著航空航天航海等技術(shù)的發(fā)展，無論是星載還是艦載方面的技術(shù)要求，都迫切希望有一種能夠在惡劣環(huán)境(高溫、低溫、振動(dòng))下正常工作，并且易于保存的大容量視頻記錄設(shè)備，以滿足數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)方面的要求
關(guān)鍵字：大容量存儲(chǔ)器 K9WBG08U1M 芯片半導(dǎo)體存儲(chǔ) 基于

相變存儲(chǔ)器(PCM)與存儲(chǔ)器技術(shù)的比較

相變存儲(chǔ)器(PCM)與存儲(chǔ)器技術(shù)的比較,　　相變存儲(chǔ)器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲(chǔ)器以及硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案，*估PCM的相對(duì)成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器比較技術(shù) PCM 相變

基于嵌入式視頻存儲(chǔ)的專用文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于嵌入式視頻存儲(chǔ)的專用文件系統(tǒng)設(shè)計(jì),摘要: 基于嵌入式視頻存儲(chǔ)的特點(diǎn)，分析目前已有的文件系統(tǒng)在視頻應(yīng)用上的不足，提出了適合硬盤錄像機(jī)的專用文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，并從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、檢索、讀取和恢復(fù)等方面闡述了設(shè)計(jì)思想及具體實(shí)現(xiàn)。經(jīng)過在相關(guān)產(chǎn)品上的應(yīng)
關(guān)鍵字：視頻存儲(chǔ)器數(shù)據(jù) 電路通信 ARM

基于TMS320C6713B的實(shí)時(shí)數(shù)字視頻消旋系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)探測器姿態(tài)變化造成的視頻圖像旋轉(zhuǎn)，提出一種基于TMS320C6713B的實(shí)時(shí)數(shù)字視頻消旋系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用TMS320C6713B計(jì)算圖像旋轉(zhuǎn)后各點(diǎn)的位置，再利用FPGA進(jìn)行地址映射，得到圖像旋轉(zhuǎn)后各點(diǎn)對(duì)應(yīng)的灰度值。實(shí)驗(yàn)
關(guān)鍵字：視頻 A／D DSP FPGA 存儲(chǔ)器

如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲(chǔ)密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
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基于閃爍存儲(chǔ)器的DSP并行引導(dǎo)裝載方法

基于閃爍存儲(chǔ)器的DSP并行引導(dǎo)裝載方法,TMS3.0VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低價(jià)位、低功耗數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了 50%。它的應(yīng)用對(duì)象大多是要求能脫機(jī)運(yùn)行的內(nèi)嵌式系統(tǒng)，如機(jī)頂盒（
關(guān)鍵字：引導(dǎo) 裝載方法并行 DSP 閃爍存儲(chǔ)器基于

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)特點(diǎn)分析

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)特點(diǎn)分析,如圖1所示，電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計(jì)量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲(chǔ)器。本文將以存儲(chǔ)器為重點(diǎn)說明為何電子式電能表需要使用鐵電存
關(guān)鍵字：分析特點(diǎn) 技術(shù) 存儲(chǔ)器

相變存儲(chǔ)器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)

相變存儲(chǔ)器--非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù),　　相變存儲(chǔ)器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)。它可能在將來代替閃存，因?yàn)樗粌H比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器技術(shù) 計(jì)算機(jī) 易失性相變

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM),　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個(gè)電能表 (瓦特瓦時(shí)表)原型之后，電能表經(jīng)過一個(gè)世紀(jì)多的演進(jìn)：由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費(fèi)電能表 (pre-paid) 復(fù)費(fèi)率電能
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 F-RAM 使用需要電子電能表為何

三星斥資2.75億美元　取得美光10年交叉授權(quán)

　　根據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)指出，美國存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)日前除了報(bào)出亮眼的財(cái)報(bào)結(jié)果以外，還獲得三星電子(Samsung Electronics)長達(dá)10年交叉授權(quán)的協(xié)議，美光將取得權(quán)利金2.75億美元。　　彭博(Bloomberg)則報(bào)導(dǎo)指出，三星已經(jīng)同意支付美光2.75億美元的權(quán)利金，其中的2億美元，將在10月12日前支付，另外還有4,000萬美元，將在2011年1月31日前支付，最后還有3,500萬美元?jiǎng)t將在2011年3月31日以前，全部支付完畢。　　不過，除此之外，美光婉拒提
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海力士：股份收購者將出現(xiàn)

　　據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，目前韓國有幾間業(yè)者對(duì)海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長金鍾甲表示，韓國企業(yè)中有業(yè)者表示對(duì)海力士股份有興趣，早晚會(huì)對(duì)外宣布收購立場。　　金鍾甲在接受電子新聞訪談時(shí)表示，由于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)競爭構(gòu)圖產(chǎn)生變化，且海力士的競爭力更強(qiáng)化，韓國業(yè)者對(duì)海力士的表現(xiàn)皆抱持正面的態(tài)度。　　雖然主要是由債權(quán)團(tuán)執(zhí)行海力士股份拋售，金鍾甲以理事會(huì)議長身分也積極接觸海力士潛在收購者。海力士近期以來對(duì)拋售股份的官方說法維持沒有表明收購意愿的企業(yè)，但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進(jìn)行
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挑戰(zhàn)快閃存儲(chǔ)器　首款CBRAM預(yù)計(jì)明年亮相

　　一家股東包括半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)的新創(chuàng)存儲(chǔ)器公司Adesto Technologies，正準(zhǔn)備推出首款導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(conductive-bridging RAM， CBRAM )。 CBRAM 是一種低耗電、與CMOS兼容的存儲(chǔ)器，可客制化應(yīng)用在廣泛的離散式或嵌入式市場，該公司打算最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。　　在近日于美國舉行的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器研討會(huì)(Non Volatile Memory Conference)上，Ades
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]