存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

CMIC：未來(lái)幾年集成電路發(fā)展勢(shì)頭良好

　　在3G手機(jī)、平板電視、便攜式數(shù)碼產(chǎn)品、汽車電子等行業(yè)電子市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)2010年市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)超過10%的增幅，而且CMIC專家預(yù)計(jì)未來(lái)3年中國(guó)集成電路市場(chǎng)發(fā)展速度將保持在10%以上。CMIC預(yù)計(jì)2013年中國(guó)的集成電路市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到1001億美元，約占全球芯片市場(chǎng)的35%。　　
關(guān)鍵字：集成電路存儲(chǔ)器

瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的存儲(chǔ)器產(chǎn)品

　　瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM，品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新產(chǎn)品將于即日起提供樣品。　　與公司原有288Mb 低時(shí)延DRAM“μPD48288236”產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品最大的特點(diǎn)是其存儲(chǔ)容量提升至原有產(chǎn)品的2倍，實(shí)現(xiàn)了大容量化。此
關(guān)鍵字：瑞薩電子 DRAM 存儲(chǔ)器

鐵電存儲(chǔ)器在驗(yàn)光儀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的應(yīng)用

引言
在綜合驗(yàn)光儀的驗(yàn)光過程中，用戶會(huì)根據(jù)不同的測(cè)試需求和習(xí)慣設(shè)置一些系統(tǒng)配置參數(shù)，這些參數(shù)需要保存起來(lái)；更為重要的是，患者測(cè)得的雙眼屈光數(shù)據(jù)也需要長(zhǎng)時(shí)間地保存起來(lái)，以備下次更換眼鏡時(shí)作為配鏡參考
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器單片機(jī)

基于FPGA的空間存儲(chǔ)器糾錯(cuò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)研究

基于FPGA的空間存儲(chǔ)器糾錯(cuò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)研究,　1、引言　　阿爾法磁譜儀(Alpha Magnetic Spectrometer，AMS)實(shí)驗(yàn)室是丁肇中博士領(lǐng)導(dǎo)的由美、俄、德、法、中等16個(gè)國(guó)家和地區(qū)共300多名科學(xué)家參加的大型國(guó)際合作項(xiàng)目。它是國(guó)際空間站上唯一大型物理實(shí)驗(yàn)，是人類第
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 研究糾錯(cuò) 存儲(chǔ)器 FPGA 空間基于

基于DVI接口的LED視頻控制系統(tǒng)研究

摘要：本文從分析DVI接口的工作原理入手,探討了基于DVI 接口的LED視頻控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)取代了傳統(tǒng)的VGA接入方式,不需要進(jìn)行 A/D轉(zhuǎn)換和處理,減少了信號(hào)損失,有利于提高整個(gè)顯示系統(tǒng)的性能。

關(guān)鍵詞：DVI接口;T.M.D
關(guān)鍵字： LED 視頻存儲(chǔ)器 A/D

DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用,DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，使用一個(gè)高效且易于使用的DDR3存儲(chǔ)器接口控制器
關(guān)鍵字：視頻數(shù)據(jù)處理應(yīng)用 IP 控制器存儲(chǔ)器接口 DDR3

LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器中的應(yīng)用

LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器中的應(yīng)用,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
關(guān)鍵字：嵌入式存儲(chǔ)器應(yīng)用 StrataFlash 電路線性調(diào)節(jié)器 LDO

串行Flash存儲(chǔ)器的編程解決方案

串行Flash存儲(chǔ)器的編程解決方案,串行Flash存儲(chǔ)器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)，在IC卡和便攜式智能檢測(cè)儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介紹一種通過51系列單片機(jī)的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡(jiǎn)單，且運(yùn)行
關(guān)鍵字：解決方案編程存儲(chǔ)器 Flash 串行

基于XPM存儲(chǔ)器RFID高頻接口設(shè)計(jì)

　　1.引言　　RFID(射頻識(shí)別)技術(shù)是從上世紀(jì)80 年代走向成熟的一項(xiàng)自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，近年來(lái)發(fā)展十分迅速。其技術(shù)的覆蓋范圍廣泛，許多正在應(yīng)用中的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)都可以歸于RFID 技術(shù)之內(nèi)，但它們的工作原理、工作頻率、
關(guān)鍵字：接口設(shè)計(jì) 高頻 RFID XPM 存儲(chǔ)器基于

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

　　2010年在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場(chǎng)上的份額競(jìng)爭(zhēng)再次變得激烈起來(lái)。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢(shì)。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲(chǔ)器極限為目標(biāo)的新存儲(chǔ)器的開發(fā)也越來(lái)越活躍。　　
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù)

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對(duì)實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理而設(shè)計(jì)的數(shù)字信號(hào)處理器，由于它具有計(jì)算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn)，非常適合應(yīng)用于嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)。FLASH存儲(chǔ)器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲(chǔ)器，屬于EEPROM器件，與其它的
關(guān)鍵字： MBM29LV800BA 接口技術(shù) 存儲(chǔ)器 FLASH C6701 DSP 處理器

基于DSP的單兵背負(fù)式短波數(shù)字通信系統(tǒng)

基于DSP的單兵背負(fù)式短波數(shù)字通信系統(tǒng),二十一世紀(jì)的戰(zhàn)爭(zhēng)將以數(shù)字化戰(zhàn)場(chǎng)為背景,而數(shù)字化戰(zhàn)場(chǎng)的一個(gè)重要特點(diǎn)是信息可以直達(dá)單個(gè)士兵。采用基于軟件無(wú)線電的思想,應(yīng)用第三代數(shù)字信號(hào)處理器 TMS320C31和數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片TLC32044等器件構(gòu)成短波自適應(yīng)調(diào)制解調(diào)器的
關(guān)鍵字： DSP 通信 A/D 存儲(chǔ)器電池

NAND Flash存儲(chǔ)器管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲(chǔ)器管理算法映射物理地址

抗SEU存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)的FPGA實(shí)現(xiàn)

抗SEU存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)的FPGA實(shí)現(xiàn),　　O 引言　　隨著我國(guó)航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展，衛(wèi)星的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。然而，太空環(huán)境復(fù)雜多變，其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子，它們對(duì)運(yùn)行于其中的電子器件會(huì)產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對(duì)電子器件的影響
關(guān)鍵字：實(shí)現(xiàn) FPGA 設(shè)計(jì) 存儲(chǔ)器 SEU

基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片K9WBG08U1M的大容量存儲(chǔ)器

基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片K9WBG08U1M的大容量存儲(chǔ)器,　　O 引言　　隨著航空航天航海等技術(shù)的發(fā)展，無(wú)論是星載還是艦載方面的技術(shù)要求，都迫切希望有一種能夠在惡劣環(huán)境(高溫、低溫、振動(dòng))下正常工作，并且易于保存的大容量視頻記錄設(shè)備，以滿足數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)方面的要求
關(guān)鍵字：大容量存儲(chǔ)器 K9WBG08U1M 芯片半導(dǎo)體存儲(chǔ) 基于

共1629條 50/109 |‹ « 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]