存儲器文章進入存儲器技術社區(qū)

投資高潮下有隱患

　　SEMI于6月1日公布全球半導體投資的報告，之前曾預測2010年增長60%，而如今已修正為增長117%，從2009年的163億美元，到2010年的355億美元(把分立器件的投資計在內(nèi))，如扣除分立器件為335億美元，增長115.7%。　　誰在積極擴充產(chǎn)能　　去年全球半導體業(yè)處于減投資時期，今年產(chǎn)業(yè)受需求增長及價格上升的雙重夾攻的影響，許多公司宣布積極的擴張策略，所以在2010年投資中有部分仍是為技術升級，但也有許多為了擴充產(chǎn)能。　　如果依類別看，全球代工與2009年相比，其2010年安裝產(chǎn)
關鍵字： Elpida 存儲器

中芯國際與臺灣旺宏提出銅基電阻型RAM

　　6月15-17日于夏威夷由VLSI技術公司組織的討論會上將聽到兩篇有關基于銅基的電阻型隨機存儲器(RAM)方面的報告。　　其中一個研究小組來自上海復旦大學和中芯國際，它們提出采用銅與二氧化硅(CuxSiyO)的混合物，已經(jīng)制成1Mbit存儲器，并集成在標準邏輯工藝中。(注：通常邏輯工藝是無法與存儲器工藝集成在一起制造) 　　該小組研究人員在文章前言中表示，通常被半導體知曉的兩種銅的二氧化物，它們的銅空穴在特定的混合體CuxSiyo中遷移的激活能要比CuxO高出5倍多，因而大大改善性能。　　
關鍵字：中芯國際存儲器

誰在積極擴充半導體產(chǎn)能？

　　SEMI于6月1日公布全球半導體投資的報告，之前曾預測2010年增長60%，而如今已修正為增長117%，從2009年的163億美元，到2010年的355億美元(把分立器件的投資計在內(nèi))，如扣除分立器件為335億美元，增長115.7%。　　誰在積極擴充產(chǎn)能　　去年全球半導體業(yè)處于減投資時期，今年產(chǎn)業(yè)受需求增長及價格上升的雙重夾攻的影響，許多公司宣布積極的擴張策略，所以在2010年投資中有部分仍是為技術升級，但也有許多為了擴充產(chǎn)能。　　如果依類別看，全球代工與2009年相比，其2010年安裝產(chǎn)
關鍵字：分立器件存儲器

Maxim推出具有無痕跡存儲器和篡改檢測功能的安全管理器

　　Maxim推出帶有1024字節(jié)無痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數(shù)據(jù)。器件內(nèi)部的篡改監(jiān)測器能夠有效抵御時鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實現(xiàn)靈活的定制特性。片內(nèi)無痕跡存儲器允許終端用戶在發(fā)生特定篡改事件時有選擇地清除存儲器數(shù)據(jù)。這種具有專利保護的存儲器架構(gòu)*能夠確保在發(fā)生篡改事件時立即擦除數(shù)據(jù)，從而提高了基于SRAM存儲器的系統(tǒng)安全等級。DS3644能夠滿足政府設施、軍事系統(tǒng)等高安全等級應用的要求，適用于需要監(jiān)測多種篡改操作的系統(tǒng)。　　DS3644能
關鍵字： Maxim 存儲器 SRAM DS3644

今年Q1呈現(xiàn)出04年以來最強的季度銷售額

　　按iSuppli報道，今年Q1半導體銷售額與09年Q4相比增長2%，是連續(xù)第四個季度環(huán)比的增長，也是2004年以來最強的季度銷售額。　　按iSuppli市場部副總裁Dale Ford認為，得出這樣的結(jié)果是iSuppli公司通過統(tǒng)計150家以上公司中，僅只有6家公司在Q1中的銷售額比同期的09年Q1低。　　由此表示產(chǎn)業(yè)經(jīng)過09年初的危機之后，己經(jīng)進人全方位的復蘇。　　由瑞薩與NEC組成的新瑞薩列于該公司的全球Q1前10位供應商排名中的第5位。而由IC Insight列出的全球前20位供應商排
關鍵字：瑞薩電子存儲器

存儲器市場高漲引發(fā)全球前20大IC供應商排名大變

　　按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導致與之相關連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。　　同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。　　三星在本月初時，它將擴大今年半導體的投資達96億美元，也即表示
關鍵字： Hynix 存儲器 DRAM NAND

DRAM模塊大者越大　金士頓全球市占突破40%

　　存儲器模塊產(chǎn)業(yè)2009年享受低價庫存變黃金的榮景，但2010年營運則面對嚴峻挑戰(zhàn)，惟產(chǎn)業(yè)大者越大的趨勢不變，根據(jù)市調(diào)機構(gòu) iSuppli最新統(tǒng)計，金士頓2009年全球市占率已達40.3%，幾乎是第2到8名的總和，威剛則以7.4%位居全球第2，而2009年DRAM模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)模約175億美元，整體出貨量約6.32億支，預計2010年會提升至242億美元之多。　　2009年DRAM價格觸底反彈，存儲器模塊廠營運率先受惠，幾乎是上半年各廠手上還抱著庫存欲哭無淚，但隨著奇夢達(Qimonda)退出市場、個人
關鍵字：存儲器 DRAM

擴大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

　　韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預料競爭將加劇。　　除提高投資外，該份名為「財務穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達到20
關鍵字： Hynix 存儲器

可編程和自營業(yè)務是提升利潤的竅門

　　在芯片市場，很多廠商在追逐著摩爾定律，例如CPU、存儲器、FPGA等產(chǎn)品靠工藝的進步來降低單位成本，靠大批量通用產(chǎn)品來獲利。除此之外，另一種可取的方法是做高附加價值產(chǎn)品。不久前，Cypress公司市場傳訊部高級總監(jiān)Joseph L. McCarthy向本刊介紹了該公司這幾年的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型：該公司正從做通用產(chǎn)品轉(zhuǎn)為可編程器件和自營產(chǎn)品上來(圖1)，2009年可編程和自營產(chǎn)品比例已達到81%。這兩部分可使產(chǎn)品的單價上升，產(chǎn)生更高的利潤。　　PSoC/觸控可編程戰(zhàn)略　　為了實施可編程戰(zhàn)略，2003年
關鍵字： Cypress 摩爾定律 CPU 存儲器 FPGA 201005

擴大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

　　韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預料競爭將加劇。　　除提高投資外，該份名為「財務穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達到20
關鍵字：海力士存儲器

一年之隔芯片市場形勢冰火兩重天

　　對于全球半導體業(yè)，如果比較2009 Q1與2010 Q1的結(jié)果感覺如兩重天。2009年Q1時感覺一場災難來臨，心中無底，反復詢問“何時走出谷底”?而到2010年Q1時，產(chǎn)業(yè)似乎來了個大逆轉(zhuǎn)，好得有點出奇，樂壞了全球市場分析公司，它們有用武之地，但是企業(yè)家們卻在冷靜的思考，是“真的來臨了嗎”? 　　兩重天　　據(jù)SIA公布的2010年Q1全球半導體銷售額為692億美元，與2009年Q1的437億美元相比增長達58%。另外據(jù)IC Insigh
關鍵字：芯片存儲器

三星半導體社長：今年存儲器將供不應求

　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)部社長權(quán)五鉉表示，2010年存儲器將供不應求，且將在第2季內(nèi)決定半導體領域的追加投資規(guī)模。　　權(quán)五鉉出席4日在首爾三成洞GRAND InterContinental飯店召開的韓國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會2010年定期總會時說明，若期望在2010年內(nèi)看到追加投資成果，第4季前所有裝備必須就定位，以交貨時間為考量推算，第2季就須先確定投資計畫。　　權(quán)五鉉未發(fā)表具體追加投資金額，業(yè)界猜測約為4兆韓元(約35.88億美元)。　　權(quán)五鉉對于延后確認半
關鍵字：三星電子存儲器

追趕65納米

　　在渡過困難的09年后,全球半導體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場相繼出現(xiàn)存儲器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導扭虧為盈, 預計2010年全球DRAM增長40%,可達319億美元。　　以臺積電為首的代工業(yè)也是看好, 預計今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進制程取消淡季的固定優(yōu)惠，實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
關鍵字：存儲器 DRAM 模擬電路

基于單片機P0口的片外數(shù)據(jù)存儲器擴展

單片機作為一種微型計算機，其內(nèi)部具有一定的存儲單元(8031除外)，但由于其內(nèi)部存儲單元及端口有限，很多情況下難以滿足實際需求。為此介紹一種新的擴展方法，將數(shù)據(jù)線與地址線合并使用，通過軟件控制的方法實現(xiàn)數(shù)據(jù)線與地址線功能的分時轉(zhuǎn)換，數(shù)據(jù)線不僅用于傳送數(shù)據(jù)信號，還可作為地址線、控制線，用于傳送地址信號和控制信號，從而實現(xiàn)單片機與存儲器件的有效連接。以單片機片外256 KB數(shù)據(jù)存儲空間的擴展為例，通過該擴展方法，僅用10個I／O端口便可實現(xiàn)，與傳統(tǒng)的擴展方法相比，可節(jié)約8個I／O端口。
關鍵字：存儲器擴展數(shù)據(jù) P0 單片機基于數(shù)字信號

基于單片機的FIash存儲器壞塊自動檢測

在深入了解Flash存儲器的基礎上，采用單片機自動檢測存儲器無效塊。主要通過讀取每一塊的第1、第2頁內(nèi)容，判斷該塊的好壞，并給出具體的實現(xiàn)過程，以及部分關鍵的電路原理圖和C語言程序代碼。該設計最終實現(xiàn)單片機自動檢測Flash壞塊的功能，并通過讀取ID號檢測Flash的性能，同時該設計能夠存儲和讀取1 GB數(shù)據(jù)。
關鍵字：自動檢測存儲器 FIash 單片機基于

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]