存儲器文章最新資訊

弱勢韓元　三星海力士2Q看俏

　　據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報導，由于韓元弱勢，韓國2大半導體公司三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)可望從中受惠，第2季的營業(yè)利益(Operating Profit)可望較第1季成長。　　投資機構(gòu)Citi Investment Research & Analysis分析師Henry Kim表示，由于韓元走弱，加上美元相對穩(wěn)定，2家公司可望從匯率的變化中獲得雙重利益。　　Citi預期在以美元計算時，存儲器價格在第2季可望提升。造成此現(xiàn)象的主要原因有2個，
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PCM存儲器優(yōu)化智能電表成本和性能

　　新一代智能電表對成本和性能提出了更高的要求。而PCM(相變存儲器)作為新一代存儲器，對智能電表存儲架構(gòu)進行統(tǒng)一整合，優(yōu)化了電表成本和性能。2010年5月7日，美光(Micron)宣布并購恒憶。合并后，兩大存儲器芯片廠商將為客戶提供業(yè)內(nèi)最完整、最具創(chuàng)新性的產(chǎn)品組合，其中包括PCM產(chǎn)品。　　PCM綜合性能高　　PCM是利用特殊材料在加熱和冷卻過程中，通過晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化所表現(xiàn)出來的導電性差異來存儲數(shù)據(jù)。　　據(jù)美光亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務總經(jīng)理徐宏來先生介紹，PCM的概念其實早在上世紀60年代就
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探討爾必達存儲器項目的可行性

　　日前傳聞爾必達可能牽手臺灣茂德來中國建存儲器廠，引起業(yè)界興趣。如今不管項目成與否?作些準備還是十分有必要的。　　爾必迖在中國建廠的目的　　爾必達社長坂本幸雄是個有野心之人，誓言要與三星爭個高低，作全球存儲器第一。之前他的努力欲聯(lián)合臺灣地區(qū)的存儲器業(yè)，結(jié)果由于美光的插足等原因，使其目的僅達成一半。如今又想到中國，因此它的目的非常清楚，要擴大產(chǎn)能，缺資金是首位，所以要中國政府來投資;另一方面是希望獲得優(yōu)惠政策，加上利用中國的市場及人力等來降低生產(chǎn)制造成本。　　中方的策略　　中國方面要考慮些
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市場需求繼續(xù)推高半導體業(yè)的預測

　　在近波士頓的SEMI早餐會上，分析師們都同意目前半導體市場的預測偏于保守，即便有人推出更樂觀的預測也完全有可能，這是因為市場的需求強勁己把半導體業(yè)拉回到季節(jié)性的增長軌跡及有寬廣的電子產(chǎn)品應用市場來支撐。　　再往后看，會同如2010年一樣的亮麗。Gartner對于2011年與2012年的預測，分別僅只有1%與2%的回調(diào)，Gartner的副總裁Bob Johnson認為，由于存儲器的走軟，半導體業(yè)增長可能會稍慢一點。不過今后半導體業(yè)的增長仍是相當穩(wěn)健，不僅重新回到季節(jié)性增長的軌道，而且終端電子產(chǎn)品市場
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投資高潮下有隱患

　　SEMI于6月1日公布全球半導體投資的報告，之前曾預測2010年增長60%，而如今已修正為增長117%，從2009年的163億美元，到2010年的355億美元(把分立器件的投資計在內(nèi))，如扣除分立器件為335億美元，增長115.7%。　　誰在積極擴充產(chǎn)能　　去年全球半導體業(yè)處于減投資時期，今年產(chǎn)業(yè)受需求增長及價格上升的雙重夾攻的影響，許多公司宣布積極的擴張策略，所以在2010年投資中有部分仍是為技術(shù)升級，但也有許多為了擴充產(chǎn)能。　　如果依類別看，全球代工與2009年相比，其2010年安裝產(chǎn)
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中芯國際與臺灣旺宏提出銅基電阻型RAM

　　6月15-17日于夏威夷由VLSI技術(shù)公司組織的討論會上將聽到兩篇有關(guān)基于銅基的電阻型隨機存儲器(RAM)方面的報告。　　其中一個研究小組來自上海復旦大學和中芯國際，它們提出采用銅與二氧化硅(CuxSiyO)的混合物，已經(jīng)制成1Mbit存儲器，并集成在標準邏輯工藝中。(注：通常邏輯工藝是無法與存儲器工藝集成在一起制造) 　　該小組研究人員在文章前言中表示，通常被半導體知曉的兩種銅的二氧化物，它們的銅空穴在特定的混合體CuxSiyo中遷移的激活能要比CuxO高出5倍多，因而大大改善性能。　　
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誰在積極擴充半導體產(chǎn)能？

　　SEMI于6月1日公布全球半導體投資的報告，之前曾預測2010年增長60%，而如今已修正為增長117%，從2009年的163億美元，到2010年的355億美元(把分立器件的投資計在內(nèi))，如扣除分立器件為335億美元，增長115.7%。　　誰在積極擴充產(chǎn)能　　去年全球半導體業(yè)處于減投資時期，今年產(chǎn)業(yè)受需求增長及價格上升的雙重夾攻的影響，許多公司宣布積極的擴張策略，所以在2010年投資中有部分仍是為技術(shù)升級，但也有許多為了擴充產(chǎn)能。　　如果依類別看，全球代工與2009年相比，其2010年安裝產(chǎn)
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Maxim推出具有無痕跡存儲器和篡改檢測功能的安全管理器

　　Maxim推出帶有1024字節(jié)無痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數(shù)據(jù)。器件內(nèi)部的篡改監(jiān)測器能夠有效抵御時鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實現(xiàn)靈活的定制特性。片內(nèi)無痕跡存儲器允許終端用戶在發(fā)生特定篡改事件時有選擇地清除存儲器數(shù)據(jù)。這種具有專利保護的存儲器架構(gòu)*能夠確保在發(fā)生篡改事件時立即擦除數(shù)據(jù)，從而提高了基于SRAM存儲器的系統(tǒng)安全等級。DS3644能夠滿足政府設施、軍事系統(tǒng)等高安全等級應用的要求，適用于需要監(jiān)測多種篡改操作的系統(tǒng)。　　DS3644能
關(guān)鍵字： Maxim 存儲器 SRAM DS3644

今年Q1呈現(xiàn)出04年以來最強的季度銷售額

　　按iSuppli報道，今年Q1半導體銷售額與09年Q4相比增長2%，是連續(xù)第四個季度環(huán)比的增長，也是2004年以來最強的季度銷售額。　　按iSuppli市場部副總裁Dale Ford認為，得出這樣的結(jié)果是iSuppli公司通過統(tǒng)計150家以上公司中，僅只有6家公司在Q1中的銷售額比同期的09年Q1低。　　由此表示產(chǎn)業(yè)經(jīng)過09年初的危機之后，己經(jīng)進人全方位的復蘇。　　由瑞薩與NEC組成的新瑞薩列于該公司的全球Q1前10位供應商排名中的第5位。而由IC Insight列出的全球前20位供應商排
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存儲器市場高漲引發(fā)全球前20大IC供應商排名大變

　　按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導致與之相關(guān)連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。　　同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。　　三星在本月初時，它將擴大今年半導體的投資達96億美元，也即表示
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DRAM模塊大者越大　金士頓全球市占突破40%

　　存儲器模塊產(chǎn)業(yè)2009年享受低價庫存變黃金的榮景，但2010年營運則面對嚴峻挑戰(zhàn)，惟產(chǎn)業(yè)大者越大的趨勢不變，根據(jù)市調(diào)機構(gòu) iSuppli最新統(tǒng)計，金士頓2009年全球市占率已達40.3%，幾乎是第2到8名的總和，威剛則以7.4%位居全球第2，而2009年DRAM模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)模約175億美元，整體出貨量約6.32億支，預計2010年會提升至242億美元之多。　　2009年DRAM價格觸底反彈，存儲器模塊廠營運率先受惠，幾乎是上半年各廠手上還抱著庫存欲哭無淚，但隨著奇夢達(Qimonda)退出市場、個人
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擴大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

　　韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預料競爭將加劇。　　除提高投資外，該份名為「財務穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達到20
關(guān)鍵字： Hynix 存儲器

可編程和自營業(yè)務是提升利潤的竅門

　　在芯片市場，很多廠商在追逐著摩爾定律，例如CPU、存儲器、FPGA等產(chǎn)品靠工藝的進步來降低單位成本，靠大批量通用產(chǎn)品來獲利。除此之外，另一種可取的方法是做高附加價值產(chǎn)品。不久前，Cypress公司市場傳訊部高級總監(jiān)Joseph L. McCarthy向本刊介紹了該公司這幾年的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型：該公司正從做通用產(chǎn)品轉(zhuǎn)為可編程器件和自營產(chǎn)品上來(圖1)，2009年可編程和自營產(chǎn)品比例已達到81%。這兩部分可使產(chǎn)品的單價上升，產(chǎn)生更高的利潤。　　PSoC/觸控可編程戰(zhàn)略　　為了實施可編程戰(zhàn)略，2003年
關(guān)鍵字： Cypress 摩爾定律 CPU 存儲器 FPGA 201005

擴大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

　　韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠商提高投資，預料競爭將加劇。　　除提高投資外，該份名為「財務穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營收目標為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達到20
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一年之隔芯片市場形勢冰火兩重天

　　對于全球半導體業(yè)，如果比較2009 Q1與2010 Q1的結(jié)果感覺如兩重天。2009年Q1時感覺一場災難來臨，心中無底，反復詢問“何時走出谷底”?而到2010年Q1時，產(chǎn)業(yè)似乎來了個大逆轉(zhuǎn)，好得有點出奇，樂壞了全球市場分析公司，它們有用武之地，但是企業(yè)家們卻在冷靜的思考，是“真的來臨了嗎”? 　　兩重天　　據(jù)SIA公布的2010年Q1全球半導體銷售額為692億美元，與2009年Q1的437億美元相比增長達58%。另外據(jù)IC Insigh
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]