存儲器文章進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)

一種應(yīng)用于OTP存儲器的新型電荷泵的設(shè)計

摘要：對一次性可編程(OTP)存儲器進(jìn)行編程時需要較大的編程電流，而傳統(tǒng)的DICKSON電荷泵電路所提供的編程電流較小，不能滿足要求。本文提出了一種適用于OTP存儲器的新型電荷泵電路，在3．3V的工作電壓下，輸出電壓7V
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NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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ARM片外FIash存儲器IAP解決方案

ARM片外FIash存儲器IAP解決方案,0 引言以ARM芯片為處理器核的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內(nèi)資源以及對操作系統(tǒng)的廣泛支持，得到了人們越來越多的青睞。在應(yīng)用編程IAP(InApplicatAiON Program)就是這樣的自修改程
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嵌入式系統(tǒng)中存儲器性能研究

嵌入式系統(tǒng)中存儲器性能研究,摘要：動態(tài)隨機(jī)存儲器是嵌入式系統(tǒng)的一個重要組成部分，而動態(tài)隨機(jī)存儲器故障是嵌入式系統(tǒng)故障的一個主要原因之一。在此從動態(tài)隨機(jī)存儲器的結(jié)構(gòu)和失效模型出發(fā)，有針對地提出了用于檢測性能的數(shù)據(jù)和讀寫方式，實(shí)驗證
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基于NIOS II的SOPC存儲器型外設(shè)接口的設(shè)計

基于NIOS II的SOPC存儲器型外設(shè)接口的設(shè)計,0 引言

隨著微電子設(shè)計技術(shù)與工藝的發(fā)展，數(shù)字集成電路由最初的電子管、晶體管逐步發(fā)展成專用集成電路(ASIC，Application Specific IntegratedCircuit)，同時可編程邏輯器件也取得了長足進(jìn)步。

如今，可完成超
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硫系化合物相變存儲器

硫系化合物是由元素周期表第16族元素組成的合金(舊式元素周期表：第VIA族或第VIB族)。在室溫條件下，這些合金的 ...
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74HC373與閃速存儲器AT29C010A及其應(yīng)用

引言FLASH存儲器是一種電擦除與再編程的快速存儲器，又稱為閃速存儲器。它可以分為兩大類：并行FLASH和串行FLASH。串行產(chǎn)品能節(jié)約空間和成本，但存儲量小，又由于是串行通信，所以速度較慢，開發(fā)編程較復(fù)雜；并行產(chǎn)品
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使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計

使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計,基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
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TMS320C32浮點(diǎn)DSP存儲器接口設(shè)計

摘要：ＴＭＳ３２０Ｃ３２是美國德州儀器公司第三代數(shù)字信號處理器的新產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于實(shí)時數(shù)據(jù)采集和信號處理系統(tǒng)中。介紹了ＴＭＳ３２０Ｃ３２存儲...
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從零開始51單片機(jī)教程——連載4 存儲器結(jié)構(gòu)

單片機(jī)內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)分析我們來思考一個問題，當(dāng)我們在編程器中把一條指令寫進(jìn)單片要內(nèi)部，然后取下單片機(jī)，單 ...
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基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

在高速信號處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
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2012年半導(dǎo)體市場狀況分析

2012年全球半導(dǎo)體營收年成長率約3.3%，整體產(chǎn)值來到3,232億美元，優(yōu)于去年的1.25%，而2012年半導(dǎo)體市況須等下半年才會反彈，預(yù)估第三季需求就會轉(zhuǎn)強(qiáng)。 iSuppli半導(dǎo)體分析師杰洛尼克（LenJelinek）表示，今年存儲器將是所有半導(dǎo)體表現(xiàn)最差的產(chǎn)業(yè)，預(yù)期今年全球DRAM產(chǎn)值將年下滑26.8%，比去年下滑的16.1%更
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Ramtron推出低功耗非易失性存儲器

　　Ramtron)宣布推出低功耗非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計開創(chuàng)了全新的機(jī)遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲器系列中的首個產(chǎn)品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，并具有快速讀/寫特性和幾無乎無限次的耐用性。　　Ramtron市場推廣副總裁Scott Emley表示：“非易失性F-RAM存儲器的快速寫入能力與創(chuàng)新性IC設(shè)計相結(jié)合，讓我們可以實(shí)現(xiàn)迄今為止最低功耗的非易失性存儲器，典型主動電流只有
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Ramtron推出2兆位串口非易失性F-RAM存儲器

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布推出2兆位(Mb)高性能串口F-RAM器件FM25V20。該器件是Ramtron公司V系列F-RAM存儲器中的一員，具有2.0 - 3.6V的寬工作電壓范圍。FM25V20具有快速訪問、無延遲(NoDelay?)寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù)(1e14)及低功耗特性。這款最新F-RAM器件是2Mb 串行閃存和串行EEPROM 存儲器的普適型(drop
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μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運(yùn)行的關(guān)鍵問題

μC/OS-II在DSP Flash存儲器中運(yùn)行的關(guān)鍵問題,引言　　在作為國家863計劃子項目挖掘機(jī)智能化控制系統(tǒng)的開發(fā)中，出現(xiàn)了智能化挖掘機(jī)軌跡控制系統(tǒng)不按照預(yù)先設(shè)定好的軌跡運(yùn)行和嵌入式實(shí)時多任務(wù)操作系統(tǒng)mu;C／OS-Ⅱ調(diào)度紊亂等失控問題。該智能化系統(tǒng)中采用了mu;C
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]