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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

Ramtron推出最低功耗非易失性存儲器FM25P16

  •   世界領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16,是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器,為對功耗敏感的系統設計開創(chuàng)了全新的機遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲器系列中的首個產品,其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一,并具有快速讀/寫特性和幾無乎無限次的耐用性。   Ramtron市場推廣副總
  • 關鍵字: Ramtron  存儲器  

一種應用于OTP存儲器的新型電荷泵的設計

  • 摘要:對一次性可編程(OTP)存儲器進行編程時需要較大的編程電流,而傳統的DICKSON電荷泵電路所提供的編程電流較小,不能滿足要求。本文提出了一種適用于OTP存儲器的新型電荷泵電路,在3.3V的工作電壓下,輸出電壓7V
  • 關鍵字: 電荷  設計  新型  存儲器  OTP  應用  

NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計

  • NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成,每個塊又劃分為固定大小的頁,塊是擦
  • 關鍵字: 閃存  設計  映射  存儲器  NAND  適應  

ARM片外FIash存儲器IAP解決方案

  • ARM片外FIash存儲器IAP解決方案,0 引 言以ARM芯片為處理器核的嵌入式應用系統,以其小體積、低功耗、低成本、高性能、豐富的片內資源以及對操作系統的廣泛支持,得到了人們越來越多的青睞。在應用編程IAP(InApplicatAiON Program)就是這樣的自修改程
  • 關鍵字: IAP  解決方案  存儲器  FIash  片外  ARM  

嵌入式系統中存儲器性能研究

  • 嵌入式系統中存儲器性能研究,摘要:動態(tài)隨機存儲器是嵌入式系統的一個重要組成部分,而動態(tài)隨機存儲器故障是嵌入式系統故障的一個主要原因之一。在此從動態(tài)隨機存儲器的結構和失效模型出發(fā),有針對地提出了用于檢測性能的數據和讀寫方式,實驗證
  • 關鍵字: 研究  性能  存儲器  系統  嵌入式  

基于NIOS II的SOPC存儲器型外設接口的設計

  • 基于NIOS II的SOPC存儲器型外設接口的設計,0 引言

    隨著微電子設計技術與工藝的發(fā)展,數字集成電路由最初的電子管、晶體管逐步發(fā)展成專用集成電路(ASIC,Application Specific IntegratedCircuit),同時可編程邏輯器件也取得了長足進步。

    如今,可完成超
  • 關鍵字: 外設  接口  設計  存儲器  SOPC  NIOS  II  基于  

硫系化合物相變存儲器

  • 硫系化合物是由元素周期表第16族元素組成的合金(舊式元素周期表:第VIA族或第VIB族)。在室溫條件下,這些合金的 ...
  • 關鍵字: 硫系  化合物  存儲器  

74HC373與閃速存儲器AT29C010A及其應用

  • 引言FLASH存儲器是一種電擦除與再編程的快速存儲器,又稱為閃速存儲器。它可以分為兩大類:并行FLASH和串行FLASH。串行產品能節(jié)約空間和成本,但存儲量小,又由于是串行通信,所以速度較慢,開發(fā)編程較復雜;并行產品
  • 關鍵字: 應用  及其  AT29C010A  存儲器  74HC373  

使用新SRAM工藝實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計

  • 使用新SRAM工藝實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計,基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發(fā)人員所采用的利器,因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
  • 關鍵字: SoC  存儲器  設計  ASIC  嵌入式  SRAM  工藝  實現  使用  

TMS320C32浮點DSP存儲器接口設計

  • 摘要:TMS320C32是美國德州儀器公司第三代數字信號處理器的新產品,廣泛應用于實時數據采集和信號處理系統中。介紹了TMS320C32存儲...
  • 關鍵字: 數字信號處理器  存儲器  接口  

從零開始51單片機教程——連載4 存儲器結構

  • 單片機內部存儲結構分析 我們來思考一個問題,當我們在編程器中把一條指令寫進單片要內部,然后取下單片機,單 ...
  • 關鍵字: 單片機  存儲器  

基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設計與實現

  • 在高速信號處理系統中,需要緩存高速、大量的數據,存儲器的選擇與應用已成為系統實現的關鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態(tài)隨機訪問存儲器,它采用雙倍數據速率結構來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數據位寬的數據,因此在相同的數據總線寬度和工作頻率下,DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
  • 關鍵字: 存儲器  DDR SDRAM  

2012年半導體市場狀況分析

  •         2012年全球半導體營收年成長率約3.3%,整體產值來到3,232億美元,優(yōu)于去年的1.25%,而2012年半導體市況須等下半年才會反彈,預估第三季需求就會轉強。         iSuppli半導體分析師杰洛尼克(LenJelinek)表示,今年存儲器將是所有半導體表現最差的產業(yè),預期今年全球DRAM產值將年下滑26.8%,比去年下滑的16.1%更
  • 關鍵字: 半導體  存儲器  

Ramtron推出低功耗非易失性存儲器

  •   Ramtron)宣布推出低功耗非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16,是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器,為對功耗敏感的系統設計開創(chuàng)了全新的機遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲器系列中的首個產品,其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一,并具有快速讀/寫特性和幾無乎無限次的耐用性。   Ramtron市場推廣副總裁Scott Emley表示:“非易失性F-RAM存儲器的快速寫入能力與創(chuàng)新性IC設計相結合,讓我們可以實現迄今為止最低功耗的非易失性存儲器,典型主動電流只有
  • 關鍵字: Ramtron  存儲器  

Ramtron推出2兆位串口非易失性F-RAM存儲器

  • 世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布推出2兆位(Mb)高性能串口F-RAM器件FM25V20。該器件是Ramtron公司V系列F-RAM存儲器中的一員,具有2.0 - 3.6V的寬工作電壓范圍。FM25V20具有快速訪問、無延遲(NoDelay?)寫入、幾乎無限的讀/寫次數(1e14)及低功耗特性。這款最新F-RAM器件是2Mb 串行閃存和串行EEPROM 存儲器的普適型(drop
  • 關鍵字: Ramtron  存儲器  FM25V20  
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存儲器介紹

什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統中的記憶設備,用來存放程序和數據。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構成 構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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