存儲(chǔ)器文章最新資訊

基于FPGA技術(shù)的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)及其應(yīng)用

基于FPGA技術(shù)的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)及其應(yīng)用,復(fù)雜可編程邏輯器件—FPGA技術(shù)在近幾年的電子設(shè)計(jì)中應(yīng)用越來(lái)越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內(nèi)嵌存儲(chǔ)陣列等特點(diǎn)使其特別適合于高速數(shù)據(jù)采集、復(fù)雜控制邏輯、精確時(shí)序邏輯等場(chǎng)合的應(yīng)用。而應(yīng)
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英研發(fā)新型存儲(chǔ)器速度比閃存快百倍

　　英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。　　電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時(shí)其電阻會(huì)發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個(gè)電阻值。在此基礎(chǔ)上開發(fā)出的存儲(chǔ)設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能，是業(yè)界近來(lái)的研發(fā)熱點(diǎn)。但以前開發(fā)出的這種存儲(chǔ)設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運(yùn)行。　　英國(guó)倫敦大學(xué)學(xué)院等機(jī)構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜
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存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)-認(rèn)識(shí)信號(hào)完整性的價(jià)值

存儲(chǔ)器和其它組件之間的問(wèn)題通常存在于這些器件之間的接口上，這些系統(tǒng)級(jí)的問(wèn)題有時(shí)候是難以覺(jué)察的。本文詳述了一種能夠很容易地識(shí)別和解決這些出現(xiàn)在存儲(chǔ)器接口上問(wèn)題的測(cè)試工具，從而使你的設(shè)計(jì)更為魯棒。過(guò)去，設(shè)
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便攜存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量

便攜存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量　　存儲(chǔ)容量是指該便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最大所能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量，是便攜存儲(chǔ)產(chǎn)品最為關(guān) ...
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Synopsys將HAPS糾錯(cuò)可見(jiàn)度提升100倍

全球領(lǐng)先的電子器件和系統(tǒng)設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和制造軟件及知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：為其HAPS?基于FPGA原型系統(tǒng)的用戶推出新版的Deep Trace Debug深度追蹤糾錯(cuò)軟件。借助HAPS Deep Trace Debug，原型工程師可利用比傳統(tǒng)FPGA片上邏輯糾錯(cuò)器所用的存儲(chǔ)器高出將近100倍的信號(hào)存儲(chǔ)容量。新的深度追蹤糾錯(cuò)功能同時(shí)增強(qiáng)了容量和故障隔離性能，同時(shí)釋放片上FPGA存儲(chǔ)器來(lái)滿足驗(yàn)證復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)之
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嵌入式多媒體應(yīng)用中的片上存儲(chǔ)器分配

引言隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲(chǔ)器的速度差異越來(lái)越大，匹配CPU與外部存儲(chǔ)器的方法通常是采用Cache或者片上存儲(chǔ)器。微處理器中片上存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache ，數(shù)據(jù)Cache 或者片上存儲(chǔ)器。對(duì)于嵌入
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嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用

嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用,傳統(tǒng)方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲(chǔ)程序，NVSRAM具有高速存取時(shí)間和與SRAM相同的接口，因而可用于存儲(chǔ)程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的微處理器進(jìn)行接口，并說(shuō)明選用NVSRAM與現(xiàn)有的其它非易
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Invensas推出多芯片倒裝焊接(xFD)技術(shù)

Invensas Corporation 是半導(dǎo)體技術(shù)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，也是 Tessera Technologies, Inc.(納斯達(dá)克：TSRA)的全資子公司，現(xiàn)推出面向輕薄筆記本(又稱 UltrabooksTM)及平板電腦的 DIMM-IN-A-PACKAGETM multi-die face-down(多芯片倒裝焊接)(xFD)TM 技術(shù)。
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基于PSoC5 UDB的DMA傳輸

Cypress PSoC5是一款集成了可配置模擬/數(shù)字外設(shè)功能、存儲(chǔ)器和微控制器于一身的可編程嵌入式片上系統(tǒng)，使用32位3級(jí)流水的ARM Cortex-M3處理器內(nèi)核，運(yùn)行速度最高為67MHz。PSoC5的數(shù)字系統(tǒng)具有豐富的可配置能力，通過(guò)數(shù)字系統(tǒng)互連(DSI)可將來(lái)自外設(shè)的數(shù)字信號(hào)連接到任意引腳，它通過(guò)小的、快速的、低功耗的UDB陣列提供了靈活的功能。
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鐵電存儲(chǔ)器FM24C16原理及其在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器FM24C16原理及其在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用,1、鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用美國(guó)Ramtron公司鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性。鐵電晶體的工作原理是：當(dāng)在鐵電晶體材
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基于DSP的外部Flash存儲(chǔ)器在線編程的軟硬件設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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基于fifo存儲(chǔ)器的聲發(fā)射信號(hào)的數(shù)據(jù)傳輸及存儲(chǔ)方案介紹

聲發(fā)射技術(shù)是光纖傳感技術(shù)和聲發(fā)射技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物，是目前聲發(fā)射技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。它將高靈敏度聲發(fā)射傳感器安裝于受力構(gòu)件表面以形成一定數(shù)目的傳感器陣列，實(shí)時(shí)接收和采集來(lái)自于材料缺陷的聲發(fā)射信號(hào)，進(jìn)而通過(guò)對(duì)
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Ramtron通過(guò)低功耗非易失性存儲(chǔ)器來(lái)控制時(shí)間

世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 在剛舉行的硅谷Design West/嵌入式系統(tǒng)會(huì)議 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 發(fā)布新型低功耗F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，進(jìn)一步加強(qiáng)公司幫助客戶改善產(chǎn)品能效、訪問(wèn)速度和安全性的能力。此外，Ramtron同時(shí)展出具有類似系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)的WM72016無(wú)線存儲(chǔ)器和F
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基于Flash存儲(chǔ)器的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要:針對(duì)Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一種適合開源實(shí)時(shí)操作的嵌入式文件系統(tǒng)。該系統(tǒng)設(shè)計(jì)依據(jù)日志文件系...
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鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)

鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)1 鐵電存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來(lái)越大 ...
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]