三星(samsung) 文章進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區(qū)

三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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三星電子宣布其首個(gè)背面供電工藝節(jié)點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時(shí)間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個(gè)采用 BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）的制程節(jié)點(diǎn) SF2Z 將于 2027 年量產(chǎn)推出。BSPDN 技術(shù)將芯片的供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。三大先進(jìn)制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進(jìn)的關(guān)鍵技術(shù)：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應(yīng)用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
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英偉達(dá)黃仁勛反駁三星HBM3e有問題

近日，英偉達(dá)(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛在2024年中國臺北國際電腦展上對三星HBM因過熱問題而未能通過測試的報(bào)道進(jìn)行了反駁。他表示，英偉達(dá)正在努力測試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過測試，因?yàn)檫€有更多的工程工作要做。其中特別針對三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題，黃仁勛表示，認(rèn)證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報(bào)道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測試。他重申，英偉達(dá)與三星的合作進(jìn)展順利。此前，三星也堅(jiān)決否認(rèn)有關(guān)其高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未能達(dá)到英偉達(dá)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的報(bào)道。三星電子在一份聲明中表示，
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2024年折疊手機(jī)品牌市占率預(yù)估：三星50.4%，華為30.8%

2024年折疊手機(jī)出貨量約1,780萬部，占智能手機(jī)市場僅約1.5%，由于高維修率、高售價(jià)的問題待解決，預(yù)計(jì)至2028年占比才有機(jī)會(huì)達(dá)到4.8%。三星（Samsung）初入市場作為折疊手機(jī)的先驅(qū)之姿，在2022年占據(jù)了超過八成市場份額，從2023到2024年間，開始面臨隨著多家智慧型手機(jī)品牌廠加入競爭，市場份額從六成降到了五成保衛(wèi)戰(zhàn)。今年折疊手機(jī)的重要角色華為（Huawei），在2023年推出4G吸睛小折Pocket S，市場銷量成績優(yōu)異，推動(dòng)了華為2023年其折疊手機(jī)市占率首次突破雙位數(shù)，達(dá)12%。20
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新型存儲技術(shù)迎制程突破

近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計(jì)劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時(shí)寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動(dòng)eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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華為折疊屏手機(jī)出貨量猛增257%，首登榜首

根據(jù)Counterpoint Research的最新報(bào)告，2024年第一季度，全球可折疊智能手機(jī)市場同比增長49%，創(chuàng)下了六個(gè)季度以來的最高增速。出貨量前十名分別為華為、三星、榮耀、摩托羅拉，各自的市場份額分別為35%、23%、12%、11%；從出貨量的同比變化來看，華為同比增長257%，三星同比減少42%，榮耀同比增長460%，摩托羅拉同比增長1473%。華為折疊屏手機(jī)的銷量猛增257%，市場份額的增長主要得益于首次推出支持5G的折疊屏手機(jī)：例如上市即熱銷的小折疊華為Pocket 2和大折疊華為Mate
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三星預(yù)先起訴Oura，以防范潛在專利糾紛

6月4日消息，據(jù)engadget報(bào)道，隨著三星Galaxy Ring智能戒指的發(fā)布日期逐漸臨近，該公司已采取法律行動(dòng)，對智能戒指制造商Oura提起訴訟。Samsung三星在訴訟中指出，Oura利用其專利組合對多個(gè)規(guī)模較小的可穿戴技術(shù)競爭對手提起訴訟，并暗示可能對三星這一行業(yè)巨頭采取相似法律行動(dòng)?！癘ura的一系列行為和公開聲明顯示，他們有可能會(huì)繼續(xù)指控包括三星在內(nèi)的其他進(jìn)入美國智能戒指市場的公司侵犯其專利權(quán)，”訴訟文件中寫道，該訴訟最早由科技新聞網(wǎng)站The Verge報(bào)道。“Oura對Galaxy Rin
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三星1nm量產(chǎn)計(jì)劃或?qū)⑻崆爸?026年

據(jù)外媒報(bào)道，三星計(jì)劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計(jì)劃，并計(jì)劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計(jì)劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時(shí)芯片面積減少5%。報(bào)道中稱，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
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一季度全球可穿戴腕帶設(shè)備蘋果、小米、華為分列前三

Canalys最新數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度，全球可穿戴腕帶設(shè)備的出貨量達(dá)4120萬臺，與去年同期基本持平。廠商方面，2024年第一季度，蘋果持續(xù)兩位數(shù)的下滑，但依舊以18%的份額穩(wěn)坐第一；小米依托其腕帶類豐富的產(chǎn)品組合和海外的快速擴(kuò)張，同比增長38%，以15%的份額位列第二；華為憑借Watch GT4在國內(nèi)的強(qiáng)勢出貨，同比增長46%，以13%的市場份額位列第三。三星進(jìn)軍入門級設(shè)備，推出新品手環(huán)Galaxy Fit3，同比實(shí)現(xiàn)4%增長，以7%的份額位列第四；Noise受印度市場整體市場表現(xiàn)不佳的影響，一
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臺積電領(lǐng)先中國大陸、美國多少？專家爆最短只剩2年

瑞銀舉辦亞洲投資論壇，首席環(huán)球股市分析師Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技術(shù)從2028年起，每年提升生產(chǎn)力至少1%，同時(shí)他也看好臺積電與三星，其中臺積電技術(shù)領(lǐng)先中國大陸同業(yè)5年、美國同業(yè)2年，為長期最具吸引力的投資選擇。香港經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)導(dǎo)，瑞銀亞洲投資論壇在香港登場，會(huì)中暢談全球經(jīng)濟(jì)脈動(dòng)與股市發(fā)展，提到目前最熱門的人工智能議題，Andrew Garthwaite表示，生成式人工智能技術(shù)屬于輕資本，且目前已經(jīng)有20%的個(gè)人計(jì)算機(jī)開放支持，擁有前所未有的覆蓋率，預(yù)估2028年開始，生成式人工
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三星計(jì)劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實(shí)現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星否認(rèn)HBM3E品質(zhì)問題，聲明巧妙回避

有報(bào)導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質(zhì)測試，三星對此否認(rèn)。韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應(yīng)測試，強(qiáng)調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！比墙陂_始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
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李強(qiáng)會(huì)見三星李在镕，呼吁中韓企業(yè)深化人工智能合作

當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月26日下午，國務(wù)院總理李強(qiáng)在首爾出席第九次中日韓領(lǐng)導(dǎo)人會(huì)議期間會(huì)見韓國三星集團(tuán)會(huì)長李在镕。李強(qiáng)表示，三星對華合作是中韓兩國互利共贏、合作發(fā)展的一個(gè)生動(dòng)縮影。隨著兩國經(jīng)濟(jì)持續(xù)發(fā)展、新興產(chǎn)業(yè)不斷涌現(xiàn)，合作的前景將越來越廣闊。李強(qiáng)進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，外資企業(yè)是中國發(fā)展不可或缺的重要力量，歡迎三星等韓國企業(yè)繼續(xù)擴(kuò)大對華投資合作，分享更多中國新發(fā)展帶來的新機(jī)遇。在會(huì)見期間，李強(qiáng)提到中韓雙方在高端制造、人工智能等領(lǐng)域的合作。李強(qiáng)表示，希望兩國企業(yè)圍繞高端制造、數(shù)字經(jīng)濟(jì)、人工智能、綠色發(fā)展、生物醫(yī)藥等新領(lǐng)域深挖合作
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三星集團(tuán)會(huì)長李在镕：堅(jiān)持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)

IT之家 5 月 27 日消息，據(jù)新華社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 26 日下午，在首爾舉行的第九次中日韓領(lǐng)導(dǎo)人會(huì)議期間，韓國三星集團(tuán)會(huì)長李在镕表示將“堅(jiān)持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)”。報(bào)道稱，李在镕介紹了三星集團(tuán)在華投資合作情況，感謝中國政府為三星在華生產(chǎn)經(jīng)營提供的大力支持，表示三星將堅(jiān)持在華發(fā)展，致力于做中國人民喜愛的企業(yè)，繼續(xù)為韓中互利合作作出自己的貢獻(xiàn)。此前消息稱，三星正在提高中國大陸手機(jī)產(chǎn)量，將 JDM（共同開發(fā)設(shè)計(jì)制造）產(chǎn)品產(chǎn)量從 4400 萬臺提升至 67
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試，“正改善質(zhì)量”

5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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