三星(samsung) 文章進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區(qū)

三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測(cè)試

5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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爭(zhēng)奪英偉達(dá)訂單？三星或不惜代價(jià)確保第二代3納米良率

繼HBM之后，三星電子2024年的首要任務(wù)就是在代工業(yè)務(wù)方面搶下GPU大廠英偉達(dá)(NVIDIA)的訂單。尤其是，隨著晶圓代工龍頭臺(tái)積電面臨地震等風(fēng)險(xiǎn)，三星電子迫切尋求機(jī)會(huì)，為英偉達(dá)打造第二代3納米制程的供應(yīng)鏈。韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，根據(jù)市場(chǎng)人士20日的透露，三星電子的晶圓代工部門已經(jīng)在內(nèi)部制定「Nemo」計(jì)劃，也就是要贏得英偉達(dá)3納米制程的代工訂單，成為2024年的首要任務(wù)。市場(chǎng)人士透露，三星電子晶圓代工部門的各單位正在全力以赴，把對(duì)英偉達(dá)的相關(guān)接單工作列為優(yōu)先。不過，現(xiàn)階段三星代工部門內(nèi)并未成立專門的組織。事實(shí)
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良率不及臺(tái)積電4成！三星2代3nm制程爭(zhēng)奪英偉達(dá)訂單失敗

全球半導(dǎo)體大廠韓國(guó)三星即將在今年上半年量產(chǎn)的第2代3nm制程，不過據(jù)韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺(tái)積電N3B制程良率接近55%，還不及臺(tái)積電良率的4成，使得三星在爭(zhēng)奪英偉達(dá)（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進(jìn)制程上多加努力，才有可能與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，留住大客戶的訂單。據(jù)《芯智訊》引述韓媒的報(bào)導(dǎo)說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動(dòng)系統(tǒng)單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設(shè)計(jì)定案（tape out）。外界認(rèn)為，該芯
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三星任命新CEO，隨著AI對(duì)內(nèi)存需求的增加，公司希望重新奪回市場(chǎng)份額

三星電子宣布任命Young Hyun Jun為新的設(shè)備解決方案部負(fù)責(zé)人。設(shè)備解決方案部是三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的一部分，Jun在公司工作了24年后被選中領(lǐng)導(dǎo)這一部門。在董事會(huì)和股東批準(zhǔn)后，Jun將正式被任命為三星的總裁兼首席執(zhí)行官。三星采用雙CEO系統(tǒng)，一位CEO負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，另一位負(fù)責(zé)設(shè)備體驗(yàn)（手機(jī)、顯示器等）。根據(jù)三星的說法，Jun的主要目標(biāo)是“在不確定的全球商業(yè)環(huán)境中加強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)力?！盝un接替了現(xiàn)任總裁Kyehyun Kyung的職位，后者現(xiàn)在取代Jun擔(dān)任未來業(yè)務(wù)部的負(fù)責(zé)人，該部門于2023年成立，旨在
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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OLED中國(guó)廠商表現(xiàn)強(qiáng)勁：出貨量前五名獨(dú)占四席

2024年第一季度全球OLED面板市場(chǎng)出貨量排名出爐，最新數(shù)據(jù)顯示中國(guó)廠商在OLED面板市場(chǎng)的表現(xiàn)令人矚目，前五名中獨(dú)占四席。隨著技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求增加，預(yù)計(jì)未來中國(guó)將繼續(xù)成為全球OLED產(chǎn)業(yè)的重要參與者之一。根據(jù)群智咨詢的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，全球智能手機(jī)面板市場(chǎng)在本季度出貨量約為5.4億片，同比增長(zhǎng)約24.4%。三星依然以42.4%的市場(chǎng)份額保持全球OLED智能手機(jī)面板市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊地位，掌握著全球手機(jī)近一半市場(chǎng)。三星OLED面板利潤(rùn)也是行業(yè)最高，主打高端定位，除了三星Galaxy S24系列自家產(chǎn)品使用，還有iP
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三星HBM3E沒過英偉達(dá)驗(yàn)證，原因與臺(tái)積電有關(guān)

存儲(chǔ)器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達(dá)送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過英偉達(dá)驗(yàn)證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過驗(yàn)證。外媒報(bào)導(dǎo)，三星至今未通過英偉達(dá)驗(yàn)證，是卡在臺(tái)積電。身為英偉達(dá)數(shù)據(jù)中心GPU制造和封裝廠，臺(tái)積電也是英偉達(dá)驗(yàn)證重要參與者，傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，而三星制程與SK海力士有差異，SK海力士采MR-RUF，三星則是TC-NCF，對(duì)參數(shù)多少有影響。三星2024年第一季財(cái)報(bào)表示，八層垂直堆疊
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％

5月15日消息，據(jù)市場(chǎng)消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因?yàn)榉浅３墒?，功耗和價(jià)格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對(duì)于芯片廠商來說，DDR3利潤(rùn)微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動(dòng)下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價(jià)格預(yù)計(jì)明年
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)？

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長(zhǎng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
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三星電子已停止自動(dòng)駕駛汽車研究

5月14日消息，近日，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已停止自動(dòng)駕駛汽車研究，并且將研發(fā)人員轉(zhuǎn)移到機(jī)器人領(lǐng)域。負(fù)責(zé)三星中長(zhǎng)期發(fā)展的三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT），已經(jīng)將自動(dòng)駕駛排除在研究項(xiàng)目之外，將開發(fā)人員轉(zhuǎn)移到機(jī)器人領(lǐng)域，作為三星中長(zhǎng)期發(fā)展的一部分。在2023年的公開活動(dòng)中，三星電子曾透露，由SAIT研發(fā)的自動(dòng)駕駛技術(shù)已接近"L4級(jí)"，并在2022年10月在韓國(guó)完成了長(zhǎng)達(dá)200公里的測(cè)試，且開發(fā)了自動(dòng)駕駛汽車的半導(dǎo)體、顯示器和傳感器等相關(guān)技術(shù)。然而，由于開發(fā)難度超出預(yù)期、高級(jí)別自動(dòng)就愛是商業(yè)化困
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實(shí)在太難了！三星跟進(jìn)蘋果「放棄自研自動(dòng)駕駛」

韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，繼蘋果暫停Apple Car計(jì)劃后，三星電子也決定叫停自駕車研發(fā)項(xiàng)目，轉(zhuǎn)而將研發(fā)人員投入機(jī)器人領(lǐng)域。這也讓曾被視為未來主流趨勢(shì)的「自駕車時(shí)代」，因多家車廠相繼放棄相關(guān)技術(shù)研發(fā)，而蒙上巨大陰影。根據(jù)BusiessKorea報(bào)導(dǎo)，由于預(yù)期自駕車商業(yè)化還需要一段長(zhǎng)時(shí)間，三星已經(jīng)放棄第4級(jí)（Level 4）自駕技術(shù)，也就是車輛能夠自動(dòng)行駛的研發(fā)階段。業(yè)界消息人士透露，三星內(nèi)部負(fù)責(zé)中長(zhǎng)程發(fā)展的三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT），已將自駕計(jì)劃排除在研究項(xiàng)目之外，并把相關(guān)研發(fā)人員轉(zhuǎn)調(diào)到機(jī)器人領(lǐng)域。三星去年曾成
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AI賽道，馬力全開！

作為引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的戰(zhàn)略性技術(shù)，人工智能AI已經(jīng)成為新型工業(yè)化發(fā)展的重要推動(dòng)力之一。在ChatGPT熱潮推動(dòng)下，當(dāng)前，AI人工智能及其應(yīng)用在全球迅速普及。從產(chǎn)業(yè)格局來看，目前英偉達(dá)在AI芯片市場(chǎng)幾乎掌握著絕對(duì)的話語權(quán)。而與此同時(shí)，為加速占領(lǐng)風(fēng)口，以谷歌、微軟、蘋果等為代表的各大科技廠商都積極下場(chǎng)競(jìng)賽。其中，Meta、谷歌、英特爾、蘋果推出了最新的AI芯片，希望降低對(duì)英偉達(dá)等公司的依賴，而微軟、三星等廠商在AI方面的投資計(jì)劃及進(jìn)展亦相繼傳出。微軟：逾110億美元投資計(jì)劃公布微軟方面，近日，據(jù)多
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