三星導(dǎo)入最新黑科技 BSPDN技術(shù)曝光
三星為了與臺積電競爭大絕盡出,根據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)導(dǎo),三星計(jì)劃采用最新「背面電軌」(BSPDN,又稱「晶背供電」)芯片制造技術(shù),能讓2納米芯片的尺寸,相比傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)(PDN)技術(shù)縮小17%。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202408/462399.htm三星代工制程設(shè)計(jì)套件(PDK)開發(fā)團(tuán)隊(duì)副總裁Lee Sungjae近期向大眾揭露BSPDN細(xì)節(jié),BSPDN相較于傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò),可將芯片效能、功率分別提升8%、15%,而且三星預(yù)定在2027年量產(chǎn)2納米芯片時(shí)采用BSPDN技術(shù)。
BSPDN被稱為次世代晶圓代工技術(shù),該技術(shù)主要是將電軌置于硅晶圓被面,進(jìn)而排除電與訊號線的瓶頸,以縮小芯片尺寸。
先進(jìn)制程競賽白熱化,英特爾則預(yù)計(jì)今年將BSPDN應(yīng)用在英特爾20A(相當(dāng)于2納米節(jié)點(diǎn))的制程上,該公司稱該技術(shù)為「PowerVia」。臺積電則計(jì)劃在2026年底左右,對1.6納米以下制程導(dǎo)入BSPDN。
Lee Sungjae也公布次世代GAA制程的計(jì)劃及芯片效能,三星將在今年下半年量產(chǎn)基于第二代環(huán)繞式閘極(GAA)技術(shù)(SF3)的3納米芯片,并將GAA導(dǎo)入2納米制程。SF3相比第一代GAA制程,芯片效能和功率提升30%、50%,芯片尺寸亦縮小35%。
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