公司 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達測試?三星回應稱并不屬實
IT之家 8 月 7 日消息,今天早些時候路透社報道稱,三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達測試。現(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報道,三星電子回應稱該報道并不屬實。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202408/461755.htm對于這一傳聞,三星明確回應稱:“我們無法證實與客戶相關的報道,但該報道不屬實。”
此外,三星電子的一位高管表示,目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測試仍在進行中,與上月財報電話會議時的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報道稱,三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過英偉達的測試,并將于第四季度開始供貨。
IT之家注意到,三星電子在 7 月 31 日公布第二季度財報的電話會議上表示,已向包括英偉達在內(nèi)的主要客戶提供了其 8 層 HBM3E 產(chǎn)品的樣品,目前正在進行質(zhì)量測試,預計第三季度開始量產(chǎn)供貨。
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